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篇1

關鍵詞:半導體制造系統 預(yu)防性維修(xiu) 役(yi)齡回退參(can)數 維修(xiu)周期

中圖分類號: TNT10文獻(xian)標識碼:A 文章編(bian)號:1007-3973 (2010) 01-089-03

半導(dao)體(ti)制造系統(tong)是(shi)典型(xing)的(de)(de)可重(zhong)入系統(tong),也是(shi)最復雜的(de)(de)制造系統(tong)之(zhi)一。目前,大多數半導(dao)體(ti)設(she)備(bei)都是(shi)使用(yong)BM(事后維(wei)修)的(de)(de)辦法來處理設(she)備(bei)故(gu)障,隨著維(wei)修理論研究的(de)(de)深入,學者發(fa)現使用(yong)PM(預防性維(wei)修)在減(jian)少設(she)備(bei)發(fa)生故(gu)障的(de)(de)次(ci)數,提高設(she)備(bei)的(de)(de)可靠(kao)性,增(zeng)加企業的(de)(de)利(li)潤(run)等方面有著重(zhong)要作用(yong)。

設(she)備(bei)(bei)是企(qi)業(ye)固定(ding)資(zi)產的(de)(de)主(zhu)要組成(cheng)(cheng)(cheng)部(bu)分,是企(qi)業(ye)生(sheng)(sheng)產中能(neng)供長(chang)期使(shi)用(yong)(yong)(yong)并在使(shi)用(yong)(yong)(yong)中基本保持其實(shi)物(wu)形態的(de)(de)物(wu)質資(zi)料的(de)(de)總稱。現代設(she)備(bei)(bei)具有(you)自(zi)動化(hua)(hua)、大型化(hua)(hua)、集成(cheng)(cheng)(cheng)化(hua)(hua)、高(gao)速化(hua)(hua)、智能(neng)化(hua)(hua)、連(lian)(lian)續(xu)化(hua)(hua)等方(fang)面的(de)(de)特點,這很大程度(du)增加(jia)了(le)維修(xiu)(xiu)的(de)(de)難度(du)和(he)費(fei)(fei)用(yong)(yong)(yong)。研究表(biao)明,當前(qian)制造系統中設(she)備(bei)(bei)的(de)(de)維修(xiu)(xiu)費(fei)(fei)用(yong)(yong)(yong)占生(sheng)(sheng)產系統運(yun)行成(cheng)(cheng)(cheng)本的(de)(de)20% ~30。現代科(ke)學技術的(de)(de)飛速發展和(he)市場競爭(zheng)的(de)(de)加(jia)劇(ju)給制造企(qi)業(ye)帶來了(le)前(qian)所未有(you)的(de)(de)機遇和(he)挑戰,企(qi)業(ye)為(wei)了(le)提(ti)高(gao)自(zi)身的(de)(de)競爭(zheng)力(li),將不(bu)得不(bu)考慮生(sheng)(sheng)產系統設(she)備(bei)(bei)故障對生(sheng)(sheng)產能(neng)力(li)、生(sheng)(sheng)產成(cheng)(cheng)(cheng)本、產品質量以及供貨期和(he)市場占有(you)率的(de)(de)影響。在日常生(sheng)(sheng)產中,由于對經濟效益的(de)(de)追求(qiu),很多(duo)廠(chang)商盲目的(de)(de)增加(jia)設(she)備(bei)(bei)的(de)(de)連(lian)(lian)續(xu)工作時間,而忽略(lve)了(le)設(she)備(bei)(bei)的(de)(de)日常維修(xiu)(xiu)保養,反(fan)而導(dao)致了(le)設(she)備(bei)(bei)生(sheng)(sheng)產效益低下的(de)(de)結果(guo)。而這個特點在半導(dao)體生(sheng)(sheng)產線上更為(wei)突出。

為此(ci),我(wo)們在(zai)設備(bei)的(de)(de)日常生產(chan)(chan)中(zhong)引(yin)入了有效的(de)(de)措施來減少故障的(de)(de)產(chan)(chan)生以及(ji)由此(ci)而(er)導致的(de)(de)停機事件,從而(er)減低了設備(bei)的(de)(de)維(wei)修(xiu)成本,增加生產(chan)(chan)效益,順利的(de)(de)完成生產(chan)(chan)任務(wu),這對企(qi)業(ye)在(zai)競爭(zheng)日益激烈(lie)的(de)(de)行業(ye)中(zhong)站穩腳(jiao)步來說(shuo)有著舉足輕重的(de)(de)作用,可(ke)以說(shuo),誰掌握了更(geng)好的(de)(de)方法(fa),誰就在(zai)競爭(zheng)中(zhong)取得(de)先機。

維修(xiu)(xiu)的發(fa)展也是經歷了(le)不(bu)同的階段,人(ren)們在(zai)日常生活(huo)中不(bu)斷積累生產(chan)經驗(yan),不(bu)斷的提出新的理論(lun),提高生產(chan)效率,從而推動著(zhu)維修(xiu)(xiu)理論(lun)不(bu)斷進步。本(ben)文(wen)以半導體生產(chan)設備(bei)平(ping)均(jun)(jun)單(dan)位(wei)(wei)產(chan)值最大(da)(da)化為目標建立(li)了(le)優化模型,根據役齡(ling)回退(tui)參(can)數(shu)(shu)的五個(ge)離散取值,進行故(gu)障數(shu)(shu)和平(ping)均(jun)(jun)單(dan)位(wei)(wei)產(chan)值的橫(heng)向(xiang)和縱向(xiang)比較,從而得出半導體設備(bei)在(zai)不(bu)同役齡(ling)回退(tui)參(can)數(shu)(shu)下的最佳預(yu)防性維修(xiu)(xiu)周期。最后總結了(le)役齡(ling)回退(tui)參(can)數(shu)(shu)在(zai)確(que)定預(yu)防性維修(xiu)(xiu)周期過(guo)程中的作(zuo)用和預(yu)防性維修(xiu)(xiu)對企業(ye)提高設備(bei)性能,增加(jia)利有著(zhu)重大(da)(da)意義。

1點檢制策略

點檢(jian)制是(shi)全面維護管理中的重(zhong)要(yao)核心之(zhi)一。應用(yong)這種(zhong)管理模式,檢(jian)修(xiu)(xiu)不(bu)(bu)只是(shi)維修(xiu)(xiu)部(bu)門(men)(men)的事情,而(er)且涉(she)及到(dao)運行(xing)、采購、人(ren)力資源(yuan)以至(zhi)于行(xing)政等部(bu)門(men)(men),檢(jian)修(xiu)(xiu)工(gong)作也不(bu)(bu)僅僅局限于“修(xiu)(xiu)理”,而(er)是(shi)把工(gong)作的重(zhong)點轉(zhuan)換為“維護”,盡可能通過保持設備的良好狀(zhuang)態而(er)消(xiao)滅故(gu)障發生的根源(yuan),或者把故(gu)障消(xiao)滅在萌芽(ya)時期。

1.1半導(dao)體生產線特點(dian)

在(zai)經(jing)過過去幾年的(de)高速發展(zhan)之(zhi)后,我國半導體(ti)產業(ye)的(de)發展(zhan)將進入(ru)一個相(xiang)對(dui)平穩(wen)的(de)發展(zhan)期,也(ye)不排(pai)除會進入(ru)一個時間長度為2年-3年的(de)結構調整期的(de)可能性(xing)。在(zai)這個階段中,我國半導體(ti)產業(ye)的(de)發展(zhan)特點為:從主(zhu)要靠新生產線(xian)(xian)建設(she)擴大(da)規模(mo)轉向(xiang)發掘已有(you)生產線(xian)(xian)能力擴大(da)規模(mo);繼續探索IDM道路;Foundry模(mo)式逐漸(jian)走向(xiang)成熟(shu);集成電(dian)路設(she)計依然是(shi)龍(long)頭;SiP技術(shu)逐漸(jian)成為封裝的(de)主(zhu)流,設(she)備的(de)生產效率將成為制約生產線(xian)(xian)能力的(de)瓶(ping)頸。

半導體生產線的(de)一(yi)(yi)個重(zhong)要特點(dian):可(ke)重(zhong)入型(xing)。可(ke)重(zhong)入生產系統(tong)是指在工(gong)件(jian)從投入到產出(chu)的(de)過(guo)程中,需要不(bu)止一(yi)(yi)次的(de)在同(tong)一(yi)(yi)臺設備上(shang)進行加工(gong)的(de)生產制造系統(tong),其顯著標記為系統(tong)中有處于不(bu)同(tong)加工(gong)階段的(de)工(gong)件(jian)在同(tong)一(yi)(yi)臺機器前同(tong)時等待加工(gong)。

典型(xing)的可(ke)重入生(sheng)產(chan)系統如下圖所示:

圖(tu)1典型的半導體可重入生產系統示意圖(tu)

1.2故(gu)障率修(xiu)正(zheng)參數

役(yi)齡(ling)回退是指(zhi)設備(bei)(bei)在經(jing)過(guo)一次預(yu)(yu)(yu)防(fang)(fang)性(xing)(xing)維(wei)修后(hou)設備(bei)(bei)的(de)役(yi)齡(ling)減少的(de)程度,役(yi)齡(ling)回退參(can)數(shu)是一個描述預(yu)(yu)(yu)防(fang)(fang)性(xing)(xing)維(wei)修效(xiao)果的(de)參(can)數(shu),比(bi)如當(dang)役(yi)齡(ling)回退參(can)數(shu)是T的(de)時候,說(shuo)明進(jin)行預(yu)(yu)(yu)防(fang)(fang)性(xing)(xing)維(wei)修能(neng)夠使設備(bei)(bei)變得(de)像新設備(bei)(bei)一樣性(xing)(xing)能(neng)良好,當(dang)役(yi)齡(ling)回退參(can)數(shu)是0的(de)時候,說(shuo)明進(jin)行預(yu)(yu)(yu)防(fang)(fang)性(xing)(xing)維(wei)修沒(mei)有使設備(bei)(bei)的(de)性(xing)(xing)能(neng)得(de)到(dao)改善(shan),設備(bei)(bei)的(de)故障率沒(mei)有發生任何改變。當(dang)然,役(yi)齡(ling)回退參(can)數(shu)取T或是0幾乎都(dou)是不可能(neng)的(de),那么(me)究竟對(dui)役(yi)齡(ling)回退參(can)數(shu)改如何定(ding)義和(he)表達呢,這也是近些年(nian)來學者(zhe)在研究預(yu)(yu)(yu)防(fang)(fang)性(xing)(xing)維(wei)修時關(guan)注(zhu)的(de)一個重點。

假設設備在第i 次維修前已(yi)運行了T i 時(shi)(shi)間(jian), 經(jing)過維修后, 其性(xing)能得(de)以(yi)改善, 故障(zhang)率(lv)下降到如(ru)同(tong)維修前 i 時(shi)(shi)的故障(zhang)率(lv), 即經(jing)過維修后, 使設備的役齡時(shi)(shi)間(jian)回退(tui)到Ti i時(shi)(shi)刻的狀況, 役齡回退(tui)量為 i。這種動(dong)態(tai)變化關系下圖所示:

圖(tu)2故障率與(yu)預防性維修間的(de)動態變化關系(xi)圖(tu)

由上圖可(ke)知(zhi)道役齡(ling)回退(tui)參數是一個(ge)隨(sui)機量,目(mu)前的研究有(you)(you)將役齡(ling)回退(tui)參數處(chu)理為一個(ge)常量,也(ye)有(you)(you)用均勻分(fen)布(bu)(bu)來處(chu)理,同時也(ye)有(you)(you)人提出了(le)役齡(ling)因子(zi)服從正態分(fen)布(bu)(bu)的說法。

隨著(zhu)設備維(wei)(wei)(wei)修(xiu)研究的(de)(de)一(yi)步一(yi)步加(jia)深,許多學者也開始了對(dui)設備預防(fang)(fang)性(xing)(xing)維(wei)(wei)(wei)修(xiu)的(de)(de)效果進行探(tan)討,提(ti)出了關于役齡(ling)(ling)(ling)回退(tui)參數(shu)的(de)(de)種(zhong)種(zhong)假(jia)設,也分(fen)析了當使用(yong)役齡(ling)(ling)(ling)回退(tui)參數(shu)時我們(men)針對(dui)預防(fang)(fang)性(xing)(xing)維(wei)(wei)(wei)修(xiu)周(zhou)期的(de)(de)確(que)定將更(geng)加(jia)準確(que),而且更(geng)加(jia)符合(he)實際。在(zai)文獻[4]中,作(zuo)者假(jia)設役齡(ling)(ling)(ling)回退(tui)參數(shu)是(shi)一(yi)個均(jun)勻分(fen)布建立了一(yi)個確(que)定預防(fang)(fang)性(xing)(xing)維(wei)(wei)(wei)修(xiu)的(de)(de)模型,在(zai)最后假(jia)設役齡(ling)(ling)(ling)回退(tui)參數(shu)是(shi)0,T/4,T/2,3T/4,T五(wu)種(zhong)情況,又得到了另(ling)幾組數(shu)值,通過(guo)對(dui)比(bi)兩組數(shu)值得到了準確(que)使用(yong)役齡(ling)(ling)(ling)回退(tui)參數(shu)能(neng)夠使我們(men)的(de)(de)預防(fang)(fang)性(xing)(xing)維(wei)(wei)(wei)修(xiu)周(zhou)期的(de)(de)確(que)定更(geng)加(jia)準確(que)。

2建立模型

Barlow R, Hunter L. 討論了簡單系統和復(fu)雜系統的(de)預防(fang)(fang)維(wei)(wei)修(xiu)(xiu)(xiu)策略。他(ta)們通過使(shi)設備在整個使(shi)用(yong)(yong)(yong)壽命(ming)期間(jian)內的(de)失(shi)(shi)效(xiao)(xiao)損失(shi)(shi)和維(wei)(wei)修(xiu)(xiu)(xiu)費用(yong)(yong)(yong)達(da)到最(zui)小,從而確定預防(fang)(fang)維(wei)(wei)修(xiu)(xiu)(xiu)周期。本(ben)文則(ze)以單位(wei)時間(jian)凈生產(chan)效(xiao)(xiao)益(yi)最(zui)大(da)(da)化為(wei)目(mu)標(biao)的(de)角度出發,在設備有效(xiao)(xiao)使(shi)用(yong)(yong)(yong)壽命(ming)內進行(xing)不(bu)同的(de)維(wei)(wei)修(xiu)(xiu)(xiu)次(ci)數并考察每次(ci)維(wei)(wei)修(xiu)(xiu)(xiu)程度的(de)不(bu)同(故障率修(xiu)(xiu)(xiu)正參(can)數取值),運用(yong)(yong)(yong)單位(wei)時間(jian)凈生產(chan)效(xiao)(xiao)益(yi)最(zui)大(da)(da)化為(wei)目(mu)標(biao)建議優化模型,求出設備進行(xing)預防(fang)(fang)性維(wei)(wei)修(xiu)(xiu)(xiu)的(de)最(zui)佳次(ci)數。

2.1基本假設

為了使模型簡化和研究(jiu)的方便(bian),在構建模型時做了一下(xia)假設:

(1)在沒有對(dui)設備進行預防性維修的(de)情況下,設備的(de)故障率公(gong)式為: (t);

(2)如果在兩個預防(fang)性維修(xiu)(xiu)中間(jian)發生小故障,則對設備進(jin)行小修(xiu)(xiu),假設每(mei)(mei)一(yi)次(ci)小修(xiu)(xiu)都能使設備的(de)性能恢復,同時(shi)不影(ying)響設備的(de)故障率,每(mei)(mei)一(yi)次(ci)小修(xiu)(xiu)費用為Cf,每(mei)(mei)一(yi)次(ci)小修(xiu)(xiu)所花費時(shi)間(jian)為Tf ;

(3)當(dang)設備(bei)正常運行,單位時(shi)間的(de)產值為Cp;

(4)在設(she)(she)備運行時,每(mei)(mei)隔T時間對設(she)(she)備進行一(yi)次預(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)防性(xing)維(wei)(wei)修,每(mei)(mei)次預(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)防性(xing)維(wei)(wei)修需要(yao)時間為Tpm,每(mei)(mei)一(yi)次預(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)防性(xing)維(wei)(wei)修的(de)費用為Cpm。每(mei)(mei)一(yi)次預(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)防性(xing)維(wei)(wei)修能(neng)使(shi)設(she)(she)備的(de)年齡減(jian)少(shao) ,為了更好(hao)的(de)描述預(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)防性(xing)維(wei)(wei)修隊設(she)(she)備故(gu)障(zhang)率(lv)的(de)影響,本(ben)文(wen)將 處(chu)理為一(yi)隨(sui)機(ji)變量,其分布函數為G( ),且(qie)0

2.2維修決策

常用威布(bu)爾分布(bu)來描(miao)述電子與機(ji)械設(she)備的故(gu)障規律,假設(she)設(she)備自身的故(gu)障率函(han)數用下列公式表(biao)示(shi):

(1)

其中m為形狀參數(shu), 為尺度(du)參數(shu),t為時(shi)間。參數(shu)m和 通常都是依(yi)靠歷史故障數(shu)據的(de)(de)分(fen)析,利用數(shu)理統計(ji)的(de)(de)方法估計(ji)出(chu)的(de)(de)。

有學者(zhe)在(zai)(zai)論文(wen)[8]中提到半導體(ti)設(she)(she)備(bei)的故障時(shi)間符(fu)合參(can)數為m=2.08, =7440的二(er)參(can)數威(wei)布爾分(fen)(fen)布。我們在(zai)(zai)本章的模型中,使用上面兩參(can)數的威(wei)布爾分(fen)(fen)布來描(miao)述設(she)(she)備(bei)的故障率。引入了役齡回退參(can)數會改善(shan)設(she)(she)備(bei)的設(she)(she)備(bei)性(xing)能,設(she)(she)備(bei)的故障率公(gong)式在(zai)(zai)不同的預防性(xing)維(wei)修(xiu)時(shi)間內(nei)(nei)的表(biao)達也(ye)是不相同的。在(zai)(zai)整個(ge)預防性(xing)維(wei)修(xiu)周期內(nei)(nei),設(she)(she)備(bei)的故障率遞推公(gong)式:

(2)

隨(sui)著設(she)備(bei)(bei)使(shi)用年齡(ling)的(de)(de)(de)(de)增加(jia),發生故障的(de)(de)(de)(de)可能性(xing)(xing)越(yue)來越(yue)大,在設(she)備(bei)(bei)的(de)(de)(de)(de)使(shi)用過程中對設(she)備(bei)(bei)進行預(yu)防(fang)性(xing)(xing)維(wei)修可以減(jian)少這種可能性(xing)(xing),也就是使(shi)得設(she)備(bei)(bei)的(de)(de)(de)(de)年齡(ling)下降。考慮(lv)到預(yu)防(fang)性(xing)(xing)維(wei)修對設(she)備(bei)(bei)年齡(ling)和性(xing)(xing)能的(de)(de)(de)(de)改善,設(she)備(bei)(bei)發生故障的(de)(de)(de)(de)次(ci)數可以表示(shi)為:

(3)

將式1和式2代入到(dao)(dao)式3可以(yi)得到(dao)(dao)

(4)

形狀參(can)數(shu)m的(de)大小(xiao)是(shi)用來描述設(she)備(bei)(bei)(bei)故(gu)(gu)障(zhang)率的(de)發(fa)(fa)展趨勢(shi),當m>1時(shi)表(biao)示,設(she)備(bei)(bei)(bei)的(de)故(gu)(gu)障(zhang)率是(shi)一(yi)個(ge)增(zeng)(zeng)函(han)數(shu),即隨著時(shi)間的(de)發(fa)(fa)展,設(she)備(bei)(bei)(bei)發(fa)(fa)生(sheng)故(gu)(gu)障(zhang)的(de)可(ke)能性將(jiang)是(shi)增(zeng)(zeng)長的(de),這也現(xian)實設(she)備(bei)(bei)(bei)是(shi)一(yi)致的(de),之后,隨著m的(de)繼續(xu)增(zeng)(zeng)大,故(gu)(gu)障(zhang)率曲(qu)線將(jiang)約往(wang)上翹(qiao),尺度參(can)數(shu) 是(shi)用來改變故(gu)(gu)障(zhang)率的(de)具體尺度,它使整(zheng)個(ge)故(gu)(gu)障(zhang)率縮小(xiao) m。這兩個(ge)參(can)數(shu)的(de)獲得(de)是(shi)通過對設(she)備(bei)(bei)(bei)運行(xing)一(yi)段時(shi)間后,發(fa)(fa)生(sheng)故(gu)(gu)障(zhang)的(de)次數(shu)和每次故(gu)(gu)障(zhang)的(de)時(shi)間進行(xing)描點之后,利用斜率和焦點可(ke)以求(qiu)出。最(zui)后得(de)到Fk

(5)

2.3平均單位時(shi)間凈生產效(xiao)益Y

(6)

其中(zhong)Ta是(shi)指總的(de)時(shi)間,即設備運行的(de)總時(shi)間

Cp是指半導(dao)體(ti)生產線一個小時(shi)的生產值

Cpm是指進(jin)行一次預防性維修所需(xu)要(yao)的(de)費用(yong)

Cf是指一(yi)次故障維修(xiu)即事后(hou)維修(xiu)所需(xu)要(yao)的費用(yong)

Tpm是指一個預防性維修所占用(yong)的時間(jian)

Tf是指一次(ci)事后維修(xiu)所需(xu)要的時間

k是指在總時間內進行的(de)預防性維修(xiu)次數

Fk是(shi)指對設備進行k次(ci)預(yu)防性維修(xiu)時(shi)(shi)設備總(zong)時(shi)(shi)間內(nei)發生的(de)故障次(ci)數

3算例分析

取總時(shi)間為(wei)(wei)(wei)50000h,一次(ci)預防性維(wei)修需(xu)要的時(shi)間為(wei)(wei)(wei)30h,一次(ci)事(shi)后維(wei)修所需(xu)要的時(shi)間為(wei)(wei)(wei)50h,半導體生產線每個小時(shi)的產值為(wei)(wei)(wei)1500元,進(jin)行(xing)一次(ci)預防性維(wei)修所需(xu)要的費用(yong)為(wei)(wei)(wei)10000元,進(jin)行(xing)一次(ci)事(shi)后維(wei)修的費用(yong)為(wei)(wei)(wei)50000元。[9]根據式5我們(men)計(ji)算得到的設備故(gu)障數Fk,代入(ru)到式子(zi)6中,利(li)用(yong)Matlab程(cheng)序我們(men)可以得到:

給定(ding)不同的故障(zhang)率修(xiu)正參數 、不同預防(fang)(fang)性維(wei)修(xiu)次(ci)數k經過(guo)多(duo)次(ci)仿真實驗,根據(ju)半導(dao)體(ti)單機設備故障(zhang)分(fen)布確定(ding)其(qi)最佳預防(fang)(fang)性維(wei)修(xiu)周期T和預防(fang)(fang)性維(wei)修(xiu)次(ci)數k及其(qi)對應單位時間凈(jing)生產效益Y。仿真結果(guo)如圖3所示(shi):

圖(tu)3故(gu)障(zhang)率(lv)修(xiu)正參數不同值時單(dan)位時間凈(jing)生(sheng)產效益

數(shu)據(ju)除了說明(ming)對設備(bei)(bei)進行預防性(xing)(xing)維(wei)修可以(yi)減(jian)少(shao)設備(bei)(bei)的(de)故障數(shu),提高設備(bei)(bei)的(de)性(xing)(xing)能,提高企業的(de)生產效(xiao)益,同時也說明(ming)了無論(lun)役齡(ling)回退參數(shu)取(qu)何值(zhi),都存在(zai)理論(lun)上的(de)最佳預防性(xing)(xing)維(wei)修周期(qi)和次數(shu),最佳預防性(xing)(xing)維(wei)修周期(qi)和次數(shu)的(de)求得(de)(de)和役齡(ling)回退參數(shu)的(de)取(qu)得(de)(de)有(you)(you)非常大的(de)關系,雖然(ran)我們只(zhi)是(shi)(shi)在(zai)整個周期(qi)中(zhong)(zhong)取(qu)五(wu)個均(jun)勻的(de)點來(lai)(lai)得(de)(de)到數(shu)據(ju),從而看(kan)出(chu)發展(zhan)趨(qu)勢(shi),但是(shi)(shi)這已經可以(yi)包括(kuo)其他的(de)情況了。至(zhi)于對役齡(ling)回退參數(shu)的(de)深入(ru)也是(shi)(shi)一個重要(yao)的(de)話題,比如用平(ping)(ping)均(jun)分(fen)布,正態分(fen)布來(lai)(lai)描(miao)述(shu)(shu),這些都是(shi)(shi)一些設想,能不能實現還需(xu)要(yao)進一步討論(lun),在(zai)本文中(zhong)(zhong),由于知(zhi)識水平(ping)(ping)有(you)(you)限(xian),只(zhi)能以(yi)離散(san)點來(lai)(lai)描(miao)述(shu)(shu)役齡(ling)回退參數(shu)。

4結束語

設(she)備進(jin)行(xing)預防性維(wei)修(xiu)的(de)(de)(de)時(shi)(shi)候(hou),維(wei)修(xiu)效(xiao)果應該(gai)是(shi)一(yi)個隨機效(xiao)果,或(huo)是(shi)可(ke)以(yi)用(yong)一(yi)個區間來(lai)(lai)表達,認為每次預防性維(wei)修(xiu)的(de)(de)(de)時(shi)(shi)候(hou),維(wei)修(xiu)效(xiao)果為T/2的(de)(de)(de)可(ke)能性是(shi)最(zui)(zui)大,而0和(he)T是(shi)最(zui)(zui)小的(de)(de)(de),所(suo)以(yi)在(zai)開始建(jian)模(mo)的(de)(de)(de)時(shi)(shi)候(hou),曾經(jing)嘗試利用(yong)正態分(fen)布來(lai)(lai)分(fen)析役齡回(hui)退參數(shu),但是(shi)在(zai)建(jian)模(mo)后進(jin)行(xing)演示的(de)(de)(de)時(shi)(shi)候(hou),由于作(zuo)者的(de)(de)(de)學術水(shui)平和(he)沒有得(de)(de)到一(yi)些(xie)具體數(shu)據(ju),發現通過(guo)自己建(jian)立的(de)(de)(de)模(mo)型最(zui)(zui)后得(de)(de)出的(de)(de)(de)一(yi)些(xie)數(shu)據(ju)和(he)現實(shi)(shi)中的(de)(de)(de)一(yi)些(xie)數(shu)據(ju)是(shi)想(xiang)違背的(de)(de)(de),所(suo)以(yi)只(zhi)能放棄這種想(xiang)法(fa),但我深信,對役齡回(hui)退參數(shu)的(de)(de)(de)深入(ru)研究可(ke)以(yi)使(shi)得(de)(de)我們建(jian)立起(qi)來(lai)(lai)的(de)(de)(de)模(mo)型能夠更符合現實(shi)(shi)需要(yao)。

在研究過程,為了使得計(ji)算(suan)和算(suan)法(fa)方(fang)便,都是(shi)使用相同時間(jian)來確定每(mei)個(ge)周期(qi),實際(ji)上由(you)于每(mei)次(ci)預防性(xing)維(wei)修不(bu)能使得設備(bei)性(xing)能完全恢復,所以(yi)設備(bei)每(mei)個(ge)周期(qi)的(de)(de)(de)(de)故障(zhang)數都是(shi)一直在增(zeng)加,這對設備(bei)的(de)(de)(de)(de)穩(wen)定性(xing)來說都是(shi)不(bu)可取的(de)(de)(de)(de),有(you)學者曾經提(ti)出不(bu)同時間(jian)周期(qi)的(de)(de)(de)(de)預防性(xing)維(wei)修方(fang)法(fa),但(dan)未能提(ti)出一個(ge)準確的(de)(de)(de)(de)解決方(fang)法(fa),所以(yi)關于不(bu)同時間(jian)周期(qi)的(de)(de)(de)(de)預防性(xing)維(wei)修策略的(de)(de)(de)(de)建模(mo)也是(shi)以(yi)后繼續(xu)努力的(de)(de)(de)(de)方(fang)向。

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篇2

GLOBALFOUNDRIES是(shi)(shi)由(you)超(chao)威(AMD)和(he)Advanced Technology Investment Company (ATIC) 合資成立的(de)(de)一(yi)家新的(de)(de)先進(jin)半導(dao)體制造公司。公司宣(xuan)布正式開始營(ying)運(yun)，并闡述公司計劃推展深(shen)(shen)入的(de)(de)變革和(he)擴大在半導(dao)體產業(ye)中的(de)(de)機會(hui)。GLOBALFOUNDRIES由(you)經驗豐富的(de)(de)半導(dao)體管理團隊領導(dao)，包括執(zhi)行長Doug Grose（前(qian)超(chao)威制造營(ying)運(yun)資深(shen)(shen)副總裁）和(he)董(dong)事長Hector Ruiz（前(qian)超(chao)威的(de)(de)執(zhi)行主席兼董(dong)事長）。公司是(shi)(shi)唯(wei)一(yi)一(yi)家總部設在美國(guo)的(de)(de)全球半導(dao)體代(dai)工廠，營(ying)運(yun)初(chu)期全球約有2800名員工，總部在美國(guo)硅谷。

GLOBALFOUNDRIES將滿足超威的生(sheng)產(chan)需求(qiu)，并透過其龐大的全球(qiu)代工服務為(wei)第三方客(ke)戶(hu)提(ti)供(gong)更強大的技術(shu)規劃。這意味(wei)著首度不僅(jin)限于(yu)高端微處理器制造商，GLOBALFOUNDRIE亦能夠運用先進(jin)技術(shu)及早實現大量(liang)生(sheng)產(chan)芯片。

為(wei)了(le)滿足(zu)產(chan)(chan)業(ye)的(de)長期(qi)需要，GLOBALFOUNDRIES正著手(shou)計劃透過引進第(di)二座(zuo)300mm生(sheng)產(chan)(chan)設備（塊(kuai)狀硅(gui)制程（bulk silicon）將(jiang)在2009年年底投產(chan)(chan)），以擴大其在德國德勒(le)斯(si)登（Dresden）的(de)生(sheng)產(chan)(chan)線。德勒(le)斯(si)登叢集（Dresden cluster）將(jiang)易名為(wei)Fab 1，其中Module 1最初集中于生(sheng)產(chan)(chan)高(gao)性能的(de)45nm SOI技(ji)術，Module 2轉為(wei)32nm塊(kuai)狀硅(gui)技(ji)術。

除了Fab 1，公(gong)司(si)還(huan)計(ji)劃于2009年開始在紐約州Saratoga縣的(de)Luther Forest Technology Campus，耗(hao)資42億美元建設新(xin)型(xing)先(xian)進的(de)32nm和功能更精細的(de)生產設備。這個(ge)新(xin)設備將命名為Fab 2，預計(ji)將為當(dang)地創造(zao)大約1400個(ge)新(xin)的(de)直接工作(zuo)職位和5000多個(ge)間接工作(zuo)職位。一(yi)旦投入營(ying)運，Fab 2將是美國唯一(yi)獨立管理的(de)先(xian)進半導體(ti)制(zhi)造(zao)代工廠，扭轉制(zhi)造(zao)業脫離美國的(de)趨勢。

GLOBALFOUNDRIES由制程(cheng)解決方(fang)案的(de)領導廠(chang)商AMD和著重先進(jin)技(ji)術(shu)機會的(de)投資(zi)公司(si)ATIC共同投資(zi)持有。

雖然經濟衰退(tui)對(dui)半導體(ti)產(chan)業(ye)有負(fu)面影響，但(dan)這個產(chan)業(ye)的長期(qi)發展(zhan)依舊強(qiang)勁。面對(dui)不斷增加的成本和(he)(he)(he)復(fu)雜性，越來(lai)越多的芯片制造(zao)(zao)商正(zheng)在(zai)退(tui)出制造(zao)(zao)，改為(wei)求助于獨立(li)代工(gong)廠以求獲得安全和(he)(he)(he)外來(lai)的產(chan)能。同時(shi)，他們還尋找更先(xian)進的生產(chan)技術以幫(bang)助提高其產(chan)品的性能、效率和(he)(he)(he)成本。

篇3

英特爾的如意算盤(pan) － 事業版圖大擴(kuo)張

拓分析，一向(xiang)將in-house先進制程(cheng)(cheng)視(shi)為(wei)發展(zhan)重心的英特(te)爾，愿意敞開心房將業(ye)務外包給(gei)臺(tai)(tai)積(ji)電(dian)，透(tou)露出英特(te)爾積(ji)極拓展(zhan)營運版圖的企圖心。特(te)別在面對強調“多樣”、“少量”和(he)“Time to Market”三大特(te)色(se)的通(tong)信與(yu)消費性市場時(shi)，如何滿足客(ke)戶各(ge)式各(ge)樣客(ke)制化(hua)需求及降(jiang)低(di)生(sheng)產成(cheng)本，便成(cheng)為(wei)英特(te)爾必須面對的當務之(zhi)急，此時(shi)找上(shang)具(ju)有高度制程(cheng)(cheng)彈性、經濟生(sheng)產規(gui)模(mo)和(he)高良(liang)率優勢的臺(tai)(tai)積(ji)電(dian)，可說其來有自。

與臺(tai)積電結盟的(de)好處還不只(zhi)這些，拓(tuo)認為英(ying)特爾將(jiang)藉此(ci)(ci)調整產(chan)能，集中(zhong)火力發(fa)展(zhan)公司核心(xin)技術(shu)，降(jiang)低因擴充產(chan)能所(suo)產(chan)生的(de)大(da)量(liang)資(zi)本支出風險。此(ci)(ci)外拓(tuo)也推測(ce)，在英(ying)特爾有意進軍又(you)(you)愛又(you)(you)恨的(de)山(shan)(shan)寨市(shi)(shi)場(chang)，又(you)(you)想保住“名門(men)大(da)廠”清譽(yu)的(de)情況下，可能采取(qu)產(chan)品線切割方式，將(jiang)中(zhong)國山(shan)(shan)寨市(shi)(shi)場(chang)的(de)相關訂單，委由臺(tai)積電代工生產(chan)；除了品牌效應(ying)之外，透過臺(tai)積電OIP平臺(tai)服務開發(fa)不同性質(zhi)或(huo)小規(gui)模客戶也都是考慮重點(dian)。

臺(tai)積電的如意算(suan)盤 － 霸主地位無人敵

對臺積(ji)電而言，盡管客戶名單早(zao)已囊括(kuo)全(quan)球一線(xian)大廠，但(dan)能夠和久攻(gong)不(bu)下的英特爾合作，更是意義非凡！首先，臺積(ji)電補齊了CPU代工(gong)這條(tiao)產品(pin)線(xian)，更可迅速提升包括(kuo)45nm以下的高階制程(cheng)技術和產能利用率，未來在硅智財（IP）發展應用上將(jiang)更具競爭力。

其次，這項(xiang)合(he)作案無疑是借著英特(te)爾為(wei)臺積(ji)電(dian)專業(ye)(ye)代工和OIP商業(ye)(ye)模(mo)式(shi)“掛(gua)保證”，使(shi)得“臺積(ji)電(dian)式(shi)制造服務業(ye)(ye)”可望變(bian)成全球(qiu)半(ban)導(dao)(dao)體制造新主流，臺積(ji)電(dian)在半(ban)導(dao)(dao)體產業(ye)(ye)的(de)(de)地位也更加(jia)堅不可摧，未來接獲(huo)國際(ji)大(da)廠委(wei)外訂單機會大(da)增，可望率先(xian)掃除不景氣的(de)(de)陰霾，迎接景氣春(chun)天第(di)一(yi)道曙(shu)光。臺積(ji)電(dian)獨特(te)產業(ye)(ye)地位加(jia)上(shang)客戶遍布各(ge)領域，無疑是全球(qiu)半(ban)導(dao)(dao)體產業(ye)(ye)復蘇的(de)(de)領頭羊，同時也是觀察(cha)以出口為(wei)導(dao)(dao)向的(de)(de)臺灣地區經濟發展(zhan)，最(zui)重要先(xian)行(xing)指標之一(yi)。

兩(liang)強連手全球受惠 － 復蘇號角已響起

半導體兩大巨(ju)頭和樂融融地同臺演出，臺面下(xia)卻免不了一(yi)波(bo)波(bo)暗潮洶涌！拓指出，不只英特(te)爾必須承擔(dan)先(xian)進制(zhi)程(cheng)技術可能外泄(xie)的(de)風(feng)險，臺積(ji)(ji)電原有客戶如(ru)Qualcomm、nVidia以及Third Party合作伙伴如(ru)ARM等，也(ye)可能對彼此(ci)的(de)合作關系(xi)產生(sheng)疑慮，甚(shen)至因(yin)此(ci)另外尋(xun)求Second Source也(ye)不無可能，這也(ye)是(shi)臺積(ji)(ji)電歡慶事業版圖(tu)再(zai)下(xia)一(yi)城之時所必須意識的(de)危機。

篇4

關鍵詞：服務器、半導(dao)體制冷、溫控(kong)

0 引言

在專(zhuan)業技(ji)(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)(shu)領(ling)域(yu)，如(ru)大型(xing)服(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)器(qi)(qi)及服(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)集(ji)群(qun)等商(shang)業化的(de)(de)(de)(de)大規模(mo)計(ji)算服(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)中心，仍然需(xu)要(yao)高(gao)效(xiao)(xiao)的(de)(de)(de)(de)散(san)(san)熱(re)及溫控(kong)(kong)技(ji)(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)(shu)來保證高(gao)精度的(de)(de)(de)(de)數(shu)據服(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)。這就(jiu)需(xu)要(yao)必須(xu)采用高(gao)效(xiao)(xiao)的(de)(de)(de)(de)散(san)(san)熱(re)技(ji)(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)(shu)來解決實(shi)(shi)際問題。對(dui)比(bi)常規的(de)(de)(de)(de)風冷(leng)技(ji)(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)(shu)、水冷(leng)技(ji)(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)(shu)，半(ban)導體(ti)(ti)制(zhi)(zhi)冷(leng)技(ji)(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)(shu)的(de)(de)(de)(de)優勢在于提供了主(zhu)動的(de)(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)冷(leng)方(fang)(fang)式(shi)(shi)，其散(san)(san)熱(re)效(xiao)(xiao)果是(shi)其他技(ji)(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)(shu)無法(fa)比(bi)擬(ni)的(de)(de)(de)(de)，并且(qie)在半(ban)導體(ti)(ti)制(zhi)(zhi)冷(leng)的(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)際應用中，證明(ming)了主(zhu)動的(de)(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)冷(leng)散(san)(san)熱(re)方(fang)(fang)式(shi)(shi)為服(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)器(qi)(qi)運行(xing)的(de)(de)(de)(de)保障是(shi)具(ju)有實(shi)(shi)際效(xiao)(xiao)果的(de)(de)(de)(de)。但是(shi)，對(dui)于半(ban)導體(ti)(ti)制(zhi)(zhi)冷(leng)技(ji)(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)(shu)應用的(de)(de)(de)(de)條(tiao)件很嚴格(ge)，根據其技(ji)(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)(shu)的(de)(de)(de)(de)基礎情(qing)況，要(yao)從(cong)服(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)器(qi)(qi)環(huan)境管理、溫度監測及控(kong)(kong)制(zhi)(zhi)、輔助(zhu)散(san)(san)熱(re)技(ji)(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)(shu)等多(duo)方(fang)(fang)面技(ji)(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)(shu)(shu)進(jin)行(xing)綜(zong)合運用，實(shi)(shi)現(xian)服(fu)(fu)(fu)務(wu)(wu)(wu)器(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)環(huan)境管控(kong)(kong)。

1 服務器環境

1.1 服務(wu)器構架復雜

服務(wu)(wu)器(qi)由于用(yong)途與(yu)傳統的(de)計算機并(bing)(bing)不相同，所以(yi)在服務(wu)(wu)器(qi)主板與(yu)其他服務(wu)(wu)器(qi)配件都與(yu)普通的(de)計算機有所出入(ru)，服務(wu)(wu)器(qi)內部構(gou)造是(shi)(shi)與(yu)其主要用(yong)途決定的(de)，所以(yi)很多服務(wu)(wu)器(qi)并(bing)(bing)非采用(yong)傳統的(de)兼容構(gou)架，而是(shi)(shi)根據其特定用(yong)途進行設計的(de)。例如：單一的(de)主板對多CPU的(de)支持(chi)，多內存，多顯卡，多外(wai)接(jie)設備等的(de)支持(chi)。如圖1所示。

1.2 服(fu)務(wu)器空(kong)間(jian)有限(xian)

服(fu)(fu)務(wu)器(qi)的空間(jian)是由服(fu)(fu)務(wu)器(qi)機箱規(gui)格(ge)決定的，按照(zhao)1U、2U、刀片服(fu)(fu)務(wu)器(qi)等(deng)不同規(gui)格(ge)決定，由于在有限的空間(jian)中(zhong)需要放(fang)置更多(duo)的設(she)備，所以(yi)決定不能將更大面(mian)積的散熱設(she)備至于其中(zhong)，這就決定了(le)服(fu)(fu)務(wu)器(qi)散熱必(bi)須采用高效地的設(she)備來解決實際問(wen)題。

1.3 服務器散(san)熱方式

傳統的(de)服務器散熱方(fang)式與(yu)普通(tong)PC機基本相(xiang)同，主要由風(feng)冷(leng)式散熱、水冷(leng)式散熱。其中：風(feng)冷(leng)式散熱主要由導(dao)熱片和風(feng)扇(shan)組成，導(dao)熱片多(duo)(duo)采用銅、鋁材質(zhi)的(de)不同制程工藝制造(zao)，風(feng)扇(shan)多(duo)(duo)為帶有溫控設計。風(feng)冷(leng)散熱優點是(shi)制造(zao)簡單、價格低廉，但由于散熱方(fang)式決定了(le)其效能(neng)不高，不能(neng)滿足要求較高的(de)環(huan)(huan)境；水冷(leng)式散熱是(shi)將風(feng)冷(leng)式的(de)風(feng)扇(shan)替(ti)換為液體(ti)(ti)，通(tong)過液體(ti)(ti)循環(huan)(huan)傳熱體(ti)(ti)質(zhi)達到(dao)散熱效果。

2 半導(dao)體(ti)制冷技術

2.1 半(ban)導體制冷的原理

熱電(dian)(dian)制冷(leng)是具(ju)(ju)(ju)有(you)熱電(dian)(dian)能(neng)(neng)量轉(zhuan)換特性(xing)(xing)的(de)材料，在通過直(zhi)流電(dian)(dian)時具(ju)(ju)(ju)有(you)制冷(leng)功能(neng)(neng)，由于半導(dao)(dao)體材料具(ju)(ju)(ju)有(you)最佳的(de)熱電(dian)(dian)能(neng)(neng)量轉(zhuan)換性(xing)(xing)能(neng)(neng)特性(xing)(xing)，所以(yi)人(ren)們把熱電(dian)(dian)制冷(leng)稱(cheng)為(wei)半導(dao)(dao)體制冷(leng)。詳見圖2所示。半導(dao)(dao)體制冷(leng)是建立(li)(li)于塞貝克(ke)效(xiao)(xiao)(xiao)應(ying)(ying)、珀爾帖效(xiao)(xiao)(xiao)應(ying)(ying)、湯姆遜效(xiao)(xiao)(xiao)應(ying)(ying)、焦(jiao)耳效(xiao)(xiao)(xiao)應(ying)(ying)、傅立(li)(li)葉效(xiao)(xiao)(xiao)應(ying)(ying)共(gong)五種(zhong)(zhong)熱電(dian)(dian)效(xiao)(xiao)(xiao)應(ying)(ying)基礎上的(de)制冷(leng)新(xin)技術。其中，塞貝克(ke)效(xiao)(xiao)(xiao)應(ying)(ying)、帕爾貼效(xiao)(xiao)(xiao)應(ying)(ying)和(he)湯姆遜效(xiao)(xiao)(xiao)應(ying)(ying)三種(zhong)(zhong)效(xiao)(xiao)(xiao)應(ying)(ying)表明電(dian)(dian)和(he)熱能(neng)(neng)相互(hu)轉(zhuan)換是直(zhi)接(jie)可逆(ni)(ni)的(de)，另外(wai)兩種(zhong)(zhong)效(xiao)(xiao)(xiao)應(ying)(ying)是熱的(de)不可逆(ni)(ni)效(xiao)(xiao)(xiao)應(ying)(ying)。

（1）塞貝克效應， 1821年，塞貝克發現在用兩(liang)種不同(tong)導體組成閉合回(hui)路中，當兩(liang)個連(lian)接(jie)點溫(wen)度不同(tong)時（T1

（2）珀爾(er)帖(tie)效(xiao)應(ying)，珀爾(er)帖(tie)效(xiao)應(ying)是塞貝(bei)克效(xiao)應(ying)的逆過程。由兩種不(bu)同材料構成回路(lu)時，回路(lu)的一端吸(xi)收熱(re)量(liang)，另一端則(ze)放出(chu)熱(re)量(liang)。

（3）湯(tang)姆遜(xun)效應，若電流過(guo)有溫度(du)梯(ti)度(du)的導體(ti)，則(ze)在導體(ti)和周圍(wei)環境之間將進行能量交換。

（4）焦耳效應，單位時間內由穩定電流產生的熱量等于導體(ti)電阻和電流平(ping)方(fang)的乘積。

（5）傅立(li)葉(xie)效應(ying)，單位時間內(nei)經過均勻(yun)介質沿(yan)某一方向(xiang)傳導的熱量與(yu)垂直(zhi)這個方向(xiang)的面積和該(gai)方向(xiang)溫度梯(ti)度的乘積成正比。

2.2 半(ban)導體制冷(leng)的效果(guo)測試(shi)

本文主(zhu)要進(jin)行 CPU 在(zai)(zai)(zai)只有風(feng)扇(shan)情況下(xia)和CPU 在(zai)(zai)(zai)接(jie)入半導(dao)體(ti)(ti)制(zhi)冷片(pian)時的(de)(de)試驗： （ 1） CPU 在(zai)(zai)(zai)只有風(feng)冷（ 風(feng)扇(shan)） 情況下(xia)的(de)(de)散(san)熱(re)： 先把(ba)(ba)半導(dao)體(ti)(ti)制(zhi)冷片(pian)從(cong)整個(ge)裝(zhuang)置(zhi)中取(qu)出，將 CPU 直(zhi)接(jie)貼(tie)(tie)在(zai)(zai)(zai)散(san)熱(re)器(qi)上(shang)，然后(hou)給(gei) CPU 和電(dian)(dian)(dian)(dian)扇(shan)都接(jie)通直(zhi)流電(dian)(dian)(dian)(dian)源，風(feng)扇(shan)兩(liang)(liang)端電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)穩(wen)定(ding)在(zai)(zai)(zai) 12V，CPU 兩(liang)(liang)端加(jia)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)從(cong) 5V ～8V，每次增(zeng)加(jia) 1V，用數據采(cai)集儀(yi)記錄(lu)在(zai)(zai)(zai)每個(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)下(xia)的(de)(de)CPU 從(cong)初(chu)始狀態(tai)到(dao)穩(wen)態(tai)的(de)(de)溫度數據； （ 2） CPU 在(zai)(zai)(zai)接(jie)入半導(dao)體(ti)(ti)制(zhi)冷片(pian)時的(de)(de)散(san)熱(re)： 把(ba)(ba)半導(dao)體(ti)(ti)制(zhi)冷片(pian)放(fang)入裝(zhuang)置(zhi)，冷端貼(tie)(tie)在(zai)(zai)(zai) CPU 上(shang)，熱(re)端貼(tie)(tie)在(zai)(zai)(zai)散(san)熱(re)器(qi)上(shang)，先給(gei) CPU 和風(feng)扇(shan)接(jie)通直(zhi)流電(dian)(dian)(dian)(dian)源，風(feng)扇(shan)兩(liang)(liang)端電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)仍穩(wen)定(ding)在(zai)(zai)(zai) 12V。給(gei) CPU 兩(liang)(liang)端加(jia) 5V 電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)，一段時間后(hou)給(gei)制(zhi)冷片(pian)兩(liang)(liang)端加(jia)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya) 3V ～7V，每次增(zeng)加(jia) 1V，記錄(lu)在(zai)(zai)(zai)每個(ge)制(zhi)冷片(pian)輸入電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)下(xia)制(zhi)冷片(pian)冷端和熱(re)端從(cong)初(chu)態(tai)到(dao)穩(wen)態(tai)的(de)(de)溫度數據，再分別給(gei) CPU 兩(liang)(liang)端加(jia) 7 ～8V 電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)，進(jin)行相同的(de)(de)操作。

在進行試驗(yan)時(shi)，整個裝(zhuang)置除了風冷裝(zhuang)置以外(wai)全部放入隔熱槽中，這樣熱量只能縱向傳導，所以整個問題可以近似為一維導熱問題。

2.3 試驗結(jie)果的分析與討論

半導(dao)體制(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)片(pian)的(de)降(jiang)(jiang)溫(wen)效果詳見圖(tu)3 為(wei) CPU 輸入電(dian)(dian)壓為(wei) 5. 0V 時(shi)，有(you)(you)無制(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)片(pian)時(shi)的(de) CPU 溫(wen)度(du)(du)對比。有(you)(you)無制(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)片(pian)時(shi)的(de) CPU 溫(wen)度(du)(du)隨時(shi)間變化曲線從圖(tu)中可明顯(xian)看出半導(dao)體制(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)片(pian)對 CPU 的(de)降(jiang)(jiang)溫(wen)效果明顯(xian)。不接入制(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)片(pian)時(shi)，CPU 溫(wen)度(du)(du)從室(shi)溫(wen)上升至平(ping)衡溫(wen)度(du)(du)而保持穩(wen)定。當制(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)片(pian)接入時(shi)，CPU 溫(wen)度(du)(du)開始降(jiang)(jiang)低，約經過 300s 后(hou)達(da)到穩(wen)定狀態(tai)。制(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)片(pian)輸入電(dian)(dian)壓為(wei) 3. 0V 時(shi)，CPU 溫(wen)度(du)(du)從38. 7℃ 降(jiang)(jiang)至 25. 2℃ ，明顯(xian)低于了測量(liang)時(shi)的(de)環(huan)境溫(wen)度(du)(du)。

3 總結

在計算(suan)機發展中(zhong)(zhong)，服務器(qi)的散(san)熱(re)環境是非(fei)常復雜的，對于傳(chuan)統散(san)熱(re)方(fang)式(shi)與(yu)半(ban)導體(ti)制(zhi)冷(leng)方(fang)式(shi)的對比可以(yi)直(zhi)接反映出半(ban)導體(ti)制(zhi)冷(leng)技術的優(you)越(yue)性。本文經過(guo)分析，證(zheng)明(ming)了半(ban)導體(ti)制(zhi)冷(leng)技術在計算(suan)機服務器(qi)中(zhong)(zhong)的實際應用(yong)的可行性和其(qi)價值的體(ti)現。

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篇5

【關鍵(jian)詞(ci)】電(dian)子(zi)化工材(cai)料 半導體材(cai)料 晶體生長(chang)技術

半(ban)導體(ti)(ti)材料的(de)(de)(de)(de)發(fa)展(zhan)，是在器(qi)件(jian)需要(yao)(yao)的(de)(de)(de)(de)基礎上進(jin)行的(de)(de)(de)(de)，但從(cong)另一個角度來看，隨著半(ban)導體(ti)(ti)新(xin)材料的(de)(de)(de)(de)出現，也(ye)推動了半(ban)導體(ti)(ti)新(xin)器(qi)件(jian)的(de)(de)(de)(de)發(fa)展(zhan)。近幾(ji)(ji)年，電子器(qi)件(jian)發(fa)展(zhan)的(de)(de)(de)(de)多朝(chao)向(xiang)體(ti)(ti)積小、頻率(lv)高、功率(lv)大(da)、速度快等(deng)幾(ji)(ji)個方面[1]。除了這些(xie)之(zhi)外，還(huan)要(yao)(yao)求(qiu)新(xin)材料能(neng)夠耐輻射、耐高溫。想要(yao)(yao)滿足這些(xie)條件(jian)，就要(yao)(yao)對材料的(de)(de)(de)(de)物理(li)性(xing)能(neng)加大(da)要(yao)(yao)求(qiu)，同時(shi)，也(ye)與(yu)材料的(de)(de)(de)(de)制備，也(ye)就是晶(jing)體(ti)(ti)生長技術(shu)有關。因此，在半(ban)導體(ti)(ti)材料的(de)(de)(de)(de)發(fa)展(zhan)過程中，不僅要(yao)(yao)發(fa)展(zhan)擁有特殊(shu)優越性(xing)能(neng)的(de)(de)(de)(de)品種，還(huan)要(yao)(yao)對晶(jing)體(ti)(ti)發(fa)展(zhan)的(de)(de)(de)(de)新(xin)技術(shu)進(jin)行研究開(kai)發(fa)。

1 半導(dao)體(ti)電子器件需(xu)要的(de)材(cai)料1.1 固體(ti)組件所需(xu)材(cai)料

目前(qian)，半(ban)導(dao)體電子(zi)所需(xu)要(yao)(yao)(yao)的(de)(de)(de)(de)材料依然是(shi)以鍺、硅(gui)(gui)為主要(yao)(yao)(yao)的(de)(de)(de)(de)材料，但是(shi)所用(yong)材料的(de)(de)(de)(de)制備方法卻(que)不一(yi)樣(yang)，有(you)(you)的(de)(de)(de)(de)器件需(xu)要(yao)(yao)(yao)使(shi)用(yong)拉制的(de)(de)(de)(de)材料，還有(you)(you)的(de)(de)(de)(de)器件需(xu)要(yao)(yao)(yao)外(wai)延的(de)(de)(de)(de)材料，采用(yong)外(wai)延硅(gui)(gui)單晶薄膜制造的(de)(de)(de)(de)固(gu)體組件，有(you)(you)對制造微電路(lu)有(you)(you)著十(shi)分重(zhong)要(yao)(yao)(yao)的(de)(de)(de)(de)作(zuo)用(yong)。

1.2 快速器件所需材料

利用硅外延單晶(jing)薄(bo)(bo)膜(mo)或者外延鍺的同(tong)質結(jie)，可(ke)以制造(zao)快(kuai)速開(kai)關管。外延薄(bo)(bo)膜(mo)單晶(jing)少數載流子只能存(cun)活(huo)幾個微(wei)秒[2]，在制造(zao)快(kuai)速開(kai)關管的時候，采(cai)用外延單晶(jing)薄(bo)(bo)膜(mo)來制造(zao)，就(jiu)可(ke)以解(jie)決(jue)基區薄(bo)(bo)的問題。

1.3 超高(gao)頻和大功率晶體(ti)管(guan)的材(cai)料

超(chao)高(gao)(gao)頻(pin)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)對材料(liao)的(de)(de)(de)(de)載流(liu)子有(you)一定(ding)(ding)的(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)，材料(liao)載流(liu)子的(de)(de)(de)(de)遷(qian)移(yi)率(lv)要(yao)(yao)大(da)(da)(da)，在當前看來，鍺就(jiu)是一種不(bu)錯的(de)(de)(de)(de)材料(liao)，砷(shen)化(hua)(hua)(hua)鎵(jia)(jia)也是一種較好的(de)(de)(de)(de)材料(liao)，不(bu)過要(yao)(yao)先將晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)的(de)(de)(de)(de)設計以(yi)及制造工藝進行改變。大(da)(da)(da)功(gong)率(lv)的(de)(de)(de)(de)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)就(jiu)對材料(liao)的(de)(de)(de)(de)禁帶(dai)寬度(du)(du)有(you)了一定(ding)(ding)的(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)，硅的(de)(de)(de)(de)禁帶(dai)寬度(du)(du)就(jiu)要(yao)(yao)大(da)(da)(da)于鍺的(de)(de)(de)(de)禁帶(dai)寬度(du)(du)，碳化(hua)(hua)(hua)硅、磷化(hua)(hua)(hua)鎵(jia)(jia)、砷(shen)化(hua)(hua)(hua)鎵(jia)(jia)等材料(liao)，也都(dou)(dou)具有(you)一定(ding)(ding)的(de)(de)(de)(de)發展前途。如果想(xiang)要(yao)(yao)制造超(chao)高(gao)(gao)頻(pin)的(de)(de)(de)(de)大(da)(da)(da)功(gong)率(lv)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)，就(jiu)會(hui)對材料(liao)的(de)(de)(de)(de)禁帶(dai)寬度(du)(du)以(yi)及載流(liu)子遷(qian)移(yi)率(lv)都(dou)(dou)有(you)一定(ding)(ding)的(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)。但是，目前所常用的(de)(de)(de)(de)化(hua)(hua)(hua)合物半導體(ti)(ti)以(yi)及元素半導體(ti)(ti)，都(dou)(dou)不(bu)能完全滿(man)足要(yao)(yao)求(qiu)(qiu)，只(zhi)有(you)固溶(rong)體(ti)(ti)有(you)一定(ding)(ding)的(de)(de)(de)(de)希望。例(li)如，砷(shen)化(hua)(hua)(hua)鎵(jia)(jia)-磷化(hua)(hua)(hua)鎵(jia)(jia)固溶(rong)體(ti)(ti)中，磷化(hua)(hua)(hua)鎵(jia)(jia)的(de)(de)(de)(de)含量(liang)為5%，最高(gao)(gao)可以(yi)抵抗(kang)500℃以(yi)上的(de)(de)(de)(de)高(gao)(gao)溫，禁帶(dai)寬度(du)(du)為1.7eV，當載流(liu)子的(de)(de)(de)(de)濃(nong)度(du)(du)到達(da)大(da)(da)(da)約1017/cm3的(de)(de)(de)(de)時候，載流(liu)子的(de)(de)(de)(de)遷(qian)移(yi)率(lv)可以(yi)達(da)到5000cm3/ v.s[3]，能夠滿(man)足超(chao)高(gao)(gao)頻(pin)大(da)(da)(da)功(gong)率(lv)晶(jing)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)需(xu)要(yao)(yao)。

1.4 耐熱的半導體(ti)材(cai)料(liao)

目前比較常見的(de)(de)材料(liao)主(zhu)要有：氧化物、Ⅱ-Ⅵ族化合(he)物、碳化硅(gui)和(he)磷化鎵等。但是只(zhi)有碳化硅(gui)的(de)(de)整流器(qi)(qi)(qi)、碳化硅(gui)的(de)(de)二極管以及磷化鎵的(de)(de)二極管能夠真正做(zuo)出器(qi)(qi)(qi)件(jian)。因為材料(liao)本(ben)身的(de)(de)治療(liao)就比較差，所(suo)(suo)以做(zuo)出的(de)(de)器(qi)(qi)(qi)件(jian)性能也不盡人(ren)意(yi)。所(suo)(suo)以，需要對耐高(gao)溫(wen)半導體材料(liao)的(de)(de)應(ying)用進(jin)行更進(jin)一(yi)步的(de)(de)研究，滿足器(qi)(qi)(qi)件(jian)的(de)(de)要求(qiu)。

1.5 耐(nai)輻(fu)射(she)的半(ban)導體(ti)材(cai)料

在原子能(neng)方面(mian)以及星(xing)際航(hang)行(xing)方面(mian)所使用的(de)(de)半導(dao)體(ti)電子器件，要(yao)有(you)很強的(de)(de)耐(nai)輻(fu)照性。想(xiang)要(yao)使半導(dao)體(ti)電子器件具有(you)耐(nai)輻(fu)照的(de)(de)性能(neng)，就(jiu)要(yao)求半導(dao)體(ti)所用的(de)(de)材(cai)料是耐(nai)輻(fu)照的(de)(de)。近(jin)幾年來，有(you)許(xu)多國家都對半導(dao)體(ti)材(cai)料與輻(fu)照之間的(de)(de)關系進行(xing)了研究，研究的(de)(de)材(cai)料通常都是硅(gui)和(he)鍺，但是硅(gui)和(he)鍺的(de)(de)耐(nai)輻(fu)射性能(neng)并(bing)不(bu)理想(xiang)。據研究表(biao)明(ming)，碳化硅(gui)具有(you)較好的(de)(de)耐(nai)輻(fu)照性，不(bu)過材(cai)料的(de)(de)摻(chan)雜元素不(bu)同，晶(jing)體(ti)生長的(de)(de)方式也就(jiu)不(bu)一(yi)樣，耐(nai)輻(fu)照的(de)(de)性能(neng)也就(jiu)不(bu)盡相同[4]，這(zhe)個問題還(huan)需要(yao)進一(yi)步(bu)研究。

2 晶體生長技術

2.1 外延(yan)單(dan)晶(jing)薄膜生長的技術

近年來，固(gu)體組件(jian)發展非常迅速，材料外延的(de)雜質控制(zhi)是非常嚴格的(de)，由(you)于器(qi)件(jian)制(zhi)造(zao)用光刻技術(shu)之后，對(dui)外延片(pian)的(de)平整度(du)要求也(ye)較高，在(zai)技術(shu)上還存在(zai)著(zhu)許多不足。除了硅(gui)和(he)鍺的(de)外延之外，單(dan)晶(jing)薄膜也(ye)逐漸開展起(qi)來。使(shi)用外延單(dan)晶(jing)制(zhi)造(zao)的(de)激光器(qi)，可以在(zai)室內(nei)的(de)溫(wen)度(du)下相(xiang)干，這對(dui)軍用激光器(qi)的(de)制(zhi)造(zao)有著(zhu)重要的(de)意義(yi)。

2.2 片狀晶體的制備

在(zai)(zai)(zai)1964年的(de)國際半導(dao)體(ti)(ti)會議中，展出了鍺的(de)薄片單(dan)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)，這個單(dan)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)長為2米(mi)，寬為8至9毫米(mi)，厚為0.3至0.5毫米(mi)，每(mei)一米(mi)長內(nei)(nei)厚度(du)的(de)波動在(zai)(zai)(zai)100微米(mi)以(yi)內(nei)(nei)，單(dan)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)的(de)表(biao)面非常光(guang)(guang)滑并且平整(zheng)，位錯的(de)密度(du)為零[5]。如(ru)果在(zai)(zai)(zai)制(zhi)造晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)的(de)時候，使(shi)用這種單(dan)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)薄片，就可以(yi)免(mian)去切割(ge)、拋光(guang)(guang)等步驟，不僅(jin)能夠(gou)減少材料的(de)浪費，還可以(yi)提升晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)表(biao)面的(de)完整(zheng)程度(du)，從而提高晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)的(de)性能，增加單(dan)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)的(de)利用率。對費用的(de)控(kong)制(zhi)有重要(yao)的(de)意義。

3 半(ban)導(dao)體材料(liao)的(de)展望

3.1 元(yuan)素半導(dao)體

到目前為止，硅、鍺單(dan)晶(jing)(jing)(jing)(jing)制(zhi)備都(dou)得(de)到了很大程(cheng)度的(de)(de)(de)(de)發展(zhan)(zhan)(zhan)，晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)均勻性和完(wan)整(zheng)(zheng)性也都(dou)達到了比較(jiao)高的(de)(de)(de)(de)水平(ping)(ping)，在今后(hou)的(de)(de)(de)(de)發展(zhan)(zhan)(zhan)過(guo)程(cheng)中，要注意(yi)以(yi)下幾點：①對晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)生長條件(jian)的(de)(de)(de)(de)控制(zhi)要更加嚴格；②注重晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)生長的(de)(de)(de)(de)新形式；③對摻雜元(yuan)素的(de)(de)(de)(de)種類進(jin)行(xing)擴展(zhan)(zhan)(zhan)。晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)非常重要的(de)(de)(de)(de)一方(fang)面就是其完(wan)整(zheng)(zheng)性，晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)完(wan)整(zheng)(zheng)性對器(qi)件(jian)有著較(jiao)大的(de)(de)(de)(de)影(ying)響，切(qie)割、研磨等(deng)步驟會(hui)破壞晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)完(wan)整(zheng)(zheng)度，經過(guo)腐(fu)蝕之(zhi)后(hou)，平(ping)(ping)整(zheng)(zheng)度也會(hui)受到影(ying)響。片(pian)狀單(dan)晶(jing)(jing)(jing)(jing)的(de)(de)(de)(de)完(wan)整(zheng)(zheng)度和平(ping)(ping)整(zheng)(zheng)度都(dou)要優于晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)，能夠避免晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)缺陷。使(shi)用片(pian)狀單(dan)晶(jing)(jing)(jing)(jing)制(zhi)造(zao)擴散器(qi)件(jian)，不(bu)僅能夠改(gai)善器(qi)件(jian)的(de)(de)(de)(de)電學(xue)性能，還可以(yi)降低器(qi)件(jian)表面的(de)(de)(de)(de)漏(lou)電率，所以(yi)，要對片(pian)狀單(dan)晶(jing)(jing)(jing)(jing)制(zhi)備的(de)(de)(de)(de)研究進(jin)行(xing)加強(qiang)。

3.2 化合物半導(dao)體

化(hua)合物半(ban)導體主要(yao)(yao)有砷(shen)(shen)化(hua)鎵單(dan)晶和(he)碳(tan)化(hua)硅單(dan)晶。通(tong)過幾年的(de)(de)(de)(de)(de)(de)研究(jiu)發展，砷(shen)(shen)化(hua)鎵單(dan)晶在各個方(fang)(fang)面(mian)都得到了顯著(zhu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)提(ti)高(gao)，但(dan)是仍然(ran)與硅、鍺(zang)有很(hen)大的(de)(de)(de)(de)(de)(de)差距，因此，在今后(hou)要(yao)(yao)將砷(shen)(shen)化(hua)鎵質量(liang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)提(ti)升作為研究(jiu)中重要(yao)(yao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)一點，主要(yao)(yao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)作內(nei)容(rong)有：①改進單(dan)晶制備(bei)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)技術(shu)，提(ti)高(gao)單(dan)晶的(de)(de)(de)(de)(de)(de)完整度(du)(du)和(he)均勻度(du)(du)；②提(ti)高(gao)砷(shen)(shen)化(hua)鎵的(de)(de)(de)(de)(de)(de)純(chun)度(du)(du)；③提(ti)高(gao)晶體制備(bei)容(rong)器的(de)(de)(de)(de)(de)(de)純(chun)度(du)(du)；④通(tong)過多種(zhong)渠道對(dui)晶體生長和(he)引(yin)入的(de)(de)(de)(de)(de)(de)缺陷進行(xing)研究(jiu)；⑤分析雜(za)質在砷(shen)(shen)化(hua)鎵中的(de)(de)(de)(de)(de)(de)行(xing)為，對(dui)高(gao)阻砷(shen)(shen)化(hua)鎵的(de)(de)(de)(de)(de)(de)來源(yuan)進行(xing)研究(jiu)[6]。對(dui)碳(tan)化(hua)硅單(dan)晶的(de)(de)(de)(de)(de)(de)研制則主要(yao)(yao)是在完整性、均勻性以及純(chun)度(du)(du)等三個方(fang)(fang)面(mian)進行(xing)。

4 結論

半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)器件(jian)的(de)(de)(de)(de)性能(neng)直接(jie)受半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)的(de)(de)(de)(de)質量(liang)的(de)(de)(de)(de)影(ying)響，半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)也對(dui)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)研(yan)究工作有著重要的(de)(de)(de)(de)意(yi)義。想要提(ti)(ti)高半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)的(de)(de)(de)(de)質量(liang)，就要將(jiang)工作的(de)(de)(de)(de)質量(liang)提(ti)(ti)高，提(ti)(ti)高超(chao)微(wei)量(liang)分析的(de)(de)(de)(de)水平，有利于(yu)元素(su)純度的(de)(de)(de)(de)提(ti)(ti)高，得到超(chao)純的(de)(de)(de)(de)元素(su)。要提(ti)(ti)高單晶(jing)(jing)制(zhi)(zhi)備所使(shi)用容器的(de)(de)(de)(de)純度。還(huan)要對(dui)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)的(de)(de)(de)(de)性能(neng)以及(ji)制(zhi)(zhi)備方法加大研(yan)究，促進新材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)的(de)(de)(de)(de)發(fa)展(zhan)(zhan)(zhan)。半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)的(de)(de)(de)(de)發(fa)展(zhan)(zhan)(zhan)也與(yu)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)的(de)(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)備，也就是晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)(ti)生長技術有關(guan)。因此，在半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)的(de)(de)(de)(de)發(fa)展(zhan)(zhan)(zhan)過程中(zhong)，不僅要發(fa)展(zhan)(zhan)(zhan)擁有特(te)殊優越性能(neng)的(de)(de)(de)(de)品(pin)種，也要對(dui)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)(ti)發(fa)展(zhan)(zhan)(zhan)的(de)(de)(de)(de)新技術進行研(yan)究開發(fa)。

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篇6

關鍵詞：半導(dao)體工(gong)業(ye)廢水；雨(yu)污混接；氟離(li)子濃(nong)度；污染特征因子

中圖分(fen)類號：X522文獻標識碼：A文章編號：16749944（2014）02019603

1引言

隨著(zhu)經濟的(de)(de)快速發展，我國(guo)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)行業在全球電子(zi)整(zheng)機產(chan)品向中(zhong)國(guo)轉移的(de)(de)過程中(zhong)得到了(le)快速發展，半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)企業紛紛在中(zhong)國(guo)建(jian)立(li)生(sheng)產(chan)基地(di)[1]。2006～2012年，我國(guo)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)產(chan)業的(de)(de)銷售額(e)由1726.8億增加至3528.5億元(yuan)，占國(guo)內半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)市場的(de)(de)份額(e)由30.4%上升到36.1%，其(qi)占國(guo)際市場的(de)(de)份額(e)也(ye)由8.79%上升至19.56%[2]。半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)生(sheng)產(chan)在給我國(guo)帶來經濟利(li)益(yi)的(de)(de)同(tong)(tong)時也(ye)帶來了(le)新的(de)(de)環(huan)境問(wen)題。在半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)制造業生(sheng)產(chan)過程中(zhong)，氫(qing)氟(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)被大(da)量(liang)使(shi)用。氫(qing)氟(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)由于(yu)其(qi)氧(yang)化(hua)性(xing)和腐蝕性(xing)已成(cheng)為氧(yang)化(hua)和刻蝕工(gong)藝中(zhong)使(shi)用到的(de)(de)主要(yao)溶(rong)劑，同(tong)(tong)時在芯片制造、化(hua)學機械研磨(mo)、清洗(xi)硅片及相(xiang)關器皿(min)過程中(zhong)也(ye)多次用到[3]，因此(ci)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)工(gong)業廢水中(zhong)往(wang)往(wang)含有較高(gao)濃度的(de)(de)氟(fu)(fu)(fu)(fu)離子(zi)。過高(gao)的(de)(de)氟(fu)(fu)(fu)(fu)離子(zi)進(jin)入(ru)水體(ti)(ti)(ti)不僅(jin)會對(dui)人體(ti)(ti)(ti)的(de)(de)牙(ya)齒(chi)、骨骼及生(sheng)殖系統造成(cheng)危害(hai)[4，5]，同(tong)(tong)時也(ye)會影響植(zhi)物(wu)對(dui)磷的(de)(de)吸收，增強金(jin)屬鋁在土壤中(zhong)的(de)(de)溶(rong)解(jie)，導(dao)(dao)(dao)致氟(fu)(fu)(fu)(fu)、鋁對(dui)植(zhi)物(wu)的(de)(de)雙(shuang)重(zhong)危害(hai)[6～8]。

為(wei)進一步改(gai)善水(shui)(shui)體水(shui)(shui)質，我國很多城市雖(sui)已投入大量(liang)人力(li)、物力(li)和(he)財力(li)將(jiang)合(he)流制排水(shui)(shui)系(xi)統改(gai)造為(wei)分流制排水(shui)(shui)系(xi)統，但上(shang)海、武漢及深(shen)圳等城市的實際運行效(xiao)果并不(bu)明(ming)顯，其中雨(yu)污混(hun)接是(shi)(shi)重(zhong)要(yao)原(yuan)因[9～11]，而工業廢(fei)水(shui)(shui)正是(shi)(shi)重(zhong)要(yao)的雨(yu)污混(hun)接類型之一。本文擬探索將(jiang)氟離子(zi)作為(wei)半導(dao)體工業廢(fei)水(shui)(shui)的污染特征因子(zi)，以便為(wei)后續雨(yu)污混(hun)接系(xi)統混(hun)接溯源、混(hun)接水(shui)(shui)量(liang)比例計算(suan)和(he)改(gai)造工程的順利進行提(ti)供(gong)技術(shu)指導(dao)。

2實(shi)驗及樣品分析方法(fa)

2.1實驗(yan)用(yong)水來源

實驗(yan)用水為上海市(shi)有代表(biao)性的集成電(dian)路(lu)和(he)印制(zhi)電(dian)路(lu)板等半(ban)導體工業企業處(chu)理后的生(sheng)產廢水、某獨立排水系統(tong)區域內的地下水、地表(biao)水（周圍河水）及(ji)雨(yu)水泵站末端出流(liu)。

2.2樣品采集(ji)方法

借鑒EPA針對(dui)污(wu)染特(te)征因子(zi)的采樣(yang)方法，在半導體企業(ye)正常生(sheng)產(chan)時期內，每半小時在總排口進行水(shui)樣(yang)采集，共采集20個批次有效水(shui)樣(yang)；

其(qi)它類型的(de)水(shui)樣(yang)為每小時采集(ji)一次，共采集(ji)10個批次有效水(shui)樣(yang)，且水(shui)樣(yang)采集(ji)前48h和采集(ji)時間(jian)內為晴天[12]。

2.3實驗儀器

分析(xi)儀(yi)(yi)器(qi)(qi)：FA2004N電子天平(ping)、Agilent720ES等(deng)離子體發射光譜儀(yi)(yi)（ICP）、紫外分光光度計(ji)、磁(ci)力攪拌(ban)器(qi)(qi)、移(yi)液槍、滴定儀(yi)(yi)、雷磁(ci)PXSJ-216型氟離子計(ji)等(deng)。

2.4分析項(xiang)目(mu)及檢(jian)測方法

CODCr、氨氮、硬度、表面活性劑、氰化(hua)物(wu)等采(cai)用(yong)國家標準方(fang)法進(jin)行(xing)檢測(ce)，氟離子濃度采(cai)用(yong)氟離子計(ji)進(jin)行(xing)檢測(ce)，銅(tong)、鋅等金屬離子用(yong)ICP檢測(ce)。

3試驗結果與分析

3.1不(bu)同類型水質中氟離子濃度比較(jiao)

半(ban)導(dao)體工(gong)業企業生產廢(fei)水(shui)經過物化和生化處理后，氟離子濃度雖(sui)然可以達到上海市半(ban)導(dao)體行業污染物排(pai)放標準，但其數值仍(reng)然相對較大(da)。

如圖1所示，印(yin)制(zhi)電路板企(qi)(qi)業(ye)(ye)處(chu)理后的(de)生產廢水氟離子(zi)濃(nong)(nong)(nong)度(du)為1.55～11.64 mg/L，集(ji)成(cheng)電路企(qi)(qi)業(ye)(ye)廢水處(chu)理后氟離子(zi)濃(nong)(nong)(nong)度(du)為6.92～11.99 mg/L，這與戴榮海等得出的(de)集(ji)成(cheng)電路產業(ye)(ye)廢水處(chu)理后氟離子(zi)濃(nong)(nong)(nong)度(du)的(de)水平是(shi)(shi)相當的(de)[13]。雖(sui)然其總體(ti)已滿足達(da)標排放的(de)要求，但(dan)相較其它(ta)類型的(de)水體(ti)，氟離子(zi)濃(nong)(nong)(nong)度(du)是(shi)(shi)異常的(de)高(gao)。如圖2所示，地表水、生活污(wu)水、地下水中氟離子(zi)濃(nong)(nong)(nong)度(du)雖(sui)各在一定的(de)范圍內，但(dan)其總體(ti)水平都很(hen)低(di)，均值濃(nong)(nong)(nong)度(du)不(bu)超過2 mg/L，遠低(di)于半導體(ti)工(gong)業(ye)(ye)企(qi)(qi)業(ye)(ye)廢水中氟離子(zi)濃(nong)(nong)(nong)度(du)。

3.2氟離子作為半(ban)導(dao)體工業廢(fei)水污染(ran)特征(zheng)因(yin)子的可行(xing)性分析

目前國內(nei)外關(guan)于半導(dao)體工業(ye)廢水(shui)(shui)的污(wu)染(ran)(ran)特征(zheng)因子(zi)研究很少(shao)或沒有。美國EPA雨(yu)水(shui)(shui)系統混接(jie)調查(cha)技術指(zhi)南中(zhong)也(ye)只是(shi)(shi)羅列出部分工業(ye)生產過程中(zhong)可(ke)(ke)能的污(wu)染(ran)(ran)特征(zheng)因子(zi)，如表1所示。根據半導(dao)體工業(ye)企業(ye)的一般工藝(yi)過程，氟(fu)離子(zi)是(shi)(shi)可(ke)(ke)能的污(wu)染(ran)(ran)特征(zheng)因子(zi)之(zhi)一，同時鉻、銅、鋅和氰化物等也(ye)可(ke)(ke)能成為(wei)污(wu)染(ran)(ran)特征(zheng)因子(zi)。

3.3氟離(li)子濃(nong)度指標用于半導體工業廢水雨污(wu)混接比(bi)

4結論與建議

（1）氟離子濃度可作(zuo)為以(yi)印制(zhi)電路(lu)板(ban)和集成電路(lu)為主的(de)半導體工業(ye)廢水的(de)污染特征因(yin)子，其濃度均值為7.3 mg/L，遠(yuan)高于其它類型的(de)水質。

（2）氟離子濃度(du)可作為半導體工業廢水污染(ran)特征因(yin)子用(yong)于(yu)雨(yu)污混接問題中混接水量的計算，但由于(yu)在混接類(lei)型(xing)的確定過程中進行了(le)簡化(hua)處(chu)理(li)，且濃度(du)數據(ju)是以均值(zhi)代(dai)入，因(yin)此只能得到相對比較接近的混接水量比例。

（3）針對以(yi)印制電路板和集成電路為(wei)主的半導體工業廢(fei)水(shui)，可應(ying)用氟離子(zi)濃(nong)度作為(wei)污染特征(zheng)(zheng)因(yin)子(zi)用于雨污混接(jie)的混接(jie)源診斷(duan)。若(ruo)要計(ji)算(suan)混接(jie)水(shui)量比(bi)例，需事先(xian)對研究范圍內(nei)的工業企(qi)業進行分析，同時還(huan)需選(xuan)擇(ze)相對獨立的排水(shui)系統，便于水(shui)量和污染特征(zheng)(zheng)因(yin)子(zi)的守恒計(ji)算(suan)。

（4）嚴控半導體(ti)工業廢水(shui)的(de)排放，以防止其(qi)混入雨水(shui)管網或其(qi)它水(shui)體(ti)中，造成高濃度的(de)氟離子(zi)威脅人體(ti)健康和危害(hai)生態環境的(de)不良(liang)影響。 參考(kao)文(wen)獻：

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篇7

【關鍵詞】節能環保；空(kong)調結構；設計(ji)

0 前言

近(jin)年來夏季各地(di)不斷(duan)升溫(wen)，使(shi)得人(ren)們對(dui)空(kong)調的(de)(de)需求量也越(yue)來越(yue)大(da)(da)，而且使(shi)用(yong)頻(pin)(pin)率也會升高。人(ren)們大(da)(da)范圍高頻(pin)(pin)率地(di)使(shi)用(yong)空(kong)調，對(dui)電能的(de)(de)消耗也越(yue)來也多，增加了日常(chang)消費，對(dui)環境有一(yi)(yi)定的(de)(de)破壞，且傳統空(kong)調的(de)(de)降(jiang)溫(wen)效果一(yi)(yi)般，對(dui)節(jie)能環保空(kong)調的(de)(de)設計成(cheng)為必然(ran)的(de)(de)趨勢。

1 節能環(huan)保空調的發展

空(kong)調(diao)的(de)(de)(de)(de)出(chu)(chu)現得益(yi)于20世紀六七十年(nian)代，美國(guo)為(wei)解決罕見的(de)(de)(de)(de)干旱炎熱，首(shou)次使(shi)用風(feng)(feng)冷(leng)(leng)式冷(leng)(leng)水機(ji)以求(qiu)達(da)到降溫的(de)(de)(de)(de)目(mu)的(de)(de)(de)(de)。自此(ci)，人們開始尋求(qiu)更(geng)好的(de)(de)(de)(de)降溫方法，不(bu)(bu)斷研制出(chu)(chu)來各種類型的(de)(de)(de)(de)空(kong)氣制冷(leng)(leng)器，最(zui)后就(jiu)發(fa)展成為(wei)了空(kong)調(diao)。傳(chuan)統(tong)的(de)(de)(de)(de)空(kong)調(diao)機(ji)，通過風(feng)(feng)扇的(de)(de)(de)(de)快速轉動，使(shi)風(feng)(feng)扇周圍的(de)(de)(de)(de)空(kong)氣迅速冷(leng)(leng)卻并隨著(zhu)風(feng)(feng)力進行不(bu)(bu)斷地(di)循環(huan)(huan)更(geng)替最(zui)終(zhong)達(da)到了降溫的(de)(de)(de)(de)目(mu)的(de)(de)(de)(de)，但傳(chuan)統(tong)的(de)(de)(de)(de)空(kong)調(diao)對資源的(de)(de)(de)(de)浪費較(jiao)大，而且(qie)在(zai)制冷(leng)(leng)過程(cheng)中(zhong)一般會使(shi)用氟氯昂(ang)，并散發(fa)出(chu)(chu)大量的(de)(de)(de)(de)熱能，加劇了全球變暖和臭氧層的(de)(de)(de)(de)破壞(huai)。近年(nian)來，隨著(zhu)科學環(huan)(huan)保的(de)(de)(de)(de)倡(chang)議，節能環(huan)(huan)保的(de)(de)(de)(de)空(kong)調(diao)機(ji)開始出(chu)(chu)現，現階段的(de)(de)(de)(de)空(kong)調(diao)器比(bi)傳(chuan)統(tong)的(de)(de)(de)(de)對環(huan)(huan)境的(de)(de)(de)(de)破壞(huai)小(xiao)，且(qie)更(geng)加舒適滿足人們的(de)(de)(de)(de)需求(qiu)。

2 節(jie)能環保空調(diao)的(de)特征和使用范(fan)圍

隨(sui)著人(ren)們(men)(men)(men)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)節(jie)能(neng)(neng)(neng)環(huan)保(bao)(bao)意(yi)識不斷(duan)加(jia)強，空(kong)(kong)(kong)調(diao)結構設(she)計的(de)(de)(de)(de)(de)(de)節(jie)能(neng)(neng)(neng)環(huan)保(bao)(bao)成為必然要(yao)(yao)求。現階段的(de)(de)(de)(de)(de)(de)節(jie)能(neng)(neng)(neng)環(huan)保(bao)(bao)空(kong)(kong)(kong)調(diao)呈現出操作(zuo)簡單方(fang)便，體積輕巧方(fang)便，外觀設(she)計更(geng)加(jia)具有藝術品位，工(gong)(gong)作(zuo)效率(lv)高(gao)且節(jie)約電(dian)能(neng)(neng)(neng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)特點，為人(ren)們(men)(men)(men)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)生(sheng)活(huo)節(jie)約了開(kai)支，更(geng)加(jia)滿足(zu)人(ren)們(men)(men)(men)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)需求，給人(ren)們(men)(men)(men)帶來了舒適。節(jie)能(neng)(neng)(neng)環(huan)保(bao)(bao)空(kong)(kong)(kong)調(diao)更(geng)多地(di)應(ying)用(yong)(yong)(yong)于制造(zao)業(ye)、加(jia)工(gong)(gong)業(ye)、文(wen)化產(chan)業(ye)和(he)公用(yong)(yong)(yong)產(chan)業(ye)等。在(zai)制造(zao)業(ye)方(fang)面(mian)，制造(zao)業(ye)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)生(sheng)產(chan)線(xian)比較(jiao)(jiao)長且包含的(de)(de)(de)(de)(de)(de)各類部門較(jiao)(jiao)多，大量的(de)(de)(de)(de)(de)(de)空(kong)(kong)(kong)調(diao)使(shi)(shi)用(yong)(yong)(yong)將(jiang)成為一(yi)項(xiang)必要(yao)(yao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)開(kai)支，節(jie)能(neng)(neng)(neng)環(huan)保(bao)(bao)空(kong)(kong)(kong)調(diao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)廣(guang)泛使(shi)(shi)用(yong)(yong)(yong)將(jiang)會節(jie)省(sheng)一(yi)部分的(de)(de)(de)(de)(de)(de)開(kai)支。加(jia)工(gong)(gong)業(ye)、文(wen)化娛(yu)樂(le)產(chan)業(ye)以(yi)及公用(yong)(yong)(yong)產(chan)業(ye)同制造(zao)業(ye)一(yi)樣，產(chan)業(ye)鏈比較(jiao)(jiao)長，日常(chang)開(kai)支較(jiao)(jiao)大，其中空(kong)(kong)(kong)調(diao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)使(shi)(shi)用(yong)(yong)(yong)就(jiu)是一(yi)項(xiang)必要(yao)(yao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)開(kai)支，因此(ci)使(shi)(shi)用(yong)(yong)(yong)節(jie)能(neng)(neng)(neng)環(huan)保(bao)(bao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)空(kong)(kong)(kong)調(diao)是這(zhe)些(xie)產(chan)業(ye)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)最(zui)佳選擇，不僅節(jie)省(sheng)開(kai)支還能(neng)(neng)(neng)節(jie)約能(neng)(neng)(neng)源保(bao)(bao)護環(huan)境。

3 節(jie)能環保空調的工作原理

如圖1所(suo)示(shi)，當(dang)(dang)(dang)節能(neng)空(kong)(kong)調(diao)在工作時，內部(bu)的(de)(de)(de)(de)微電(dian)子(zi)控(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)器就會開(kai)始(shi)運轉(zhuan)并開(kai)始(shi)進行(xing)(xing)(xing)第一(yi)次(ci)制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)(leng)(leng)工作。微電(dian)子(zi)控(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)器在工作過(guo)程(cheng)中通(tong)過(guo)直流電(dian)流為(wei)半導(dao)體進行(xing)(xing)(xing)通(tong)電(dian)，當(dang)(dang)(dang)半導(dao)體與微電(dian)子(zi)控(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)器之間順(shun)利通(tong)電(dian)后(hou)(hou)半導(dao)體的(de)(de)(de)(de)冷(leng)(leng)(leng)(leng)端(duan)就開(kai)始(shi)對冷(leng)(leng)(leng)(leng)媒水(shui)(shui)進行(xing)(xing)(xing)初(chu)級(ji)制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)(leng)(leng)。這一(yi)步驟完成后(hou)(hou)，溴化鋰(li)制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)(leng)(leng)器開(kai)始(shi)工作，通(tong)過(guo)與發熱(re)(re)端(duan)的(de)(de)(de)(de)順(shun)利連接以對初(chu)級(ji)制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)(leng)(leng)后(hou)(hou)的(de)(de)(de)(de)冷(leng)(leng)(leng)(leng)媒水(shui)(shui)進行(xing)(xing)(xing)吸(xi)收的(de)(de)(de)(de)方式進行(xing)(xing)(xing)第二次(ci)制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)(leng)(leng)工作。當(dang)(dang)(dang)兩個(ge)階段(duan)的(de)(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)(leng)(leng)達(da)到一(yi)定層次(ci)后(hou)(hou)，水(shui)(shui)泵(beng)會對產生的(de)(de)(de)(de)冷(leng)(leng)(leng)(leng)量(liang)進行(xing)(xing)(xing)吸(xi)收并使其(qi)出(chu)現(xian)(xian)出(chu)散射的(de)(de)(de)(de)水(shui)(shui)簾(lian)狀(zhuang)，此時，空(kong)(kong)調(diao)機的(de)(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)(leng)(leng)開(kai)始(shi)轉(zhuan)變為(wei)蒸發式。當(dang)(dang)(dang)空(kong)(kong)調(diao)機外(wai)(wai)(wai)部(bu)的(de)(de)(de)(de)熱(re)(re)空(kong)(kong)氣(qi)遇到散射狀(zhuang)的(de)(de)(de)(de)水(shui)(shui)簾(lian)后(hou)(hou)氣(qi)溫(wen)(wen)(wen)開(kai)始(shi)下(xia)降，而且外(wai)(wai)(wai)界熱(re)(re)空(kong)(kong)氣(qi)經過(guo)水(shui)(shui)簾(lian)后(hou)(hou)所(suo)含有的(de)(de)(de)(de)雜質也會被過(guo)濾。制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)(leng)(leng)工作便(bian)不斷循環(huan)反復進行(xing)(xing)(xing)，為(wei)人們達(da)到降溫(wen)(wen)(wen)的(de)(de)(de)(de)效(xiao)果。當(dang)(dang)(dang)外(wai)(wai)(wai)界空(kong)(kong)氣(qi)濕(shi)度較大時，空(kong)(kong)調(diao)內部(bu)的(de)(de)(de)(de)傳感器將(jiang)會對外(wai)(wai)(wai)界空(kong)(kong)氣(qi)的(de)(de)(de)(de)濕(shi)度進行(xing)(xing)(xing)檢測其(qi)后(hou)(hou)通(tong)過(guo)換向閥將(jiang)經過(guo)冷(leng)(leng)(leng)(leng)卻處理的(de)(de)(de)(de)冷(leng)(leng)(leng)(leng)媒水(shui)(shui)釋(shi)放到空(kong)(kong)氣(qi)散熱(re)(re)器，外(wai)(wai)(wai)部(bu)的(de)(de)(de)(de)熱(re)(re)空(kong)(kong)氣(qi)在空(kong)(kong)氣(qi)散熱(re)(re)器的(de)(de)(de)(de)熱(re)(re)交換作用(yong)下(xia)實(shi)現(xian)(xian)了(le)(le)(le)對外(wai)(wai)(wai)部(bu)空(kong)(kong)氣(qi)的(de)(de)(de)(de)降溫(wen)(wen)(wen)和除濕(shi)。因此，外(wai)(wai)(wai)界空(kong)(kong)氣(qi)的(de)(de)(de)(de)濕(shi)度狀(zhuang)況(kuang)也會影響著(zhu)空(kong)(kong)調(diao)機的(de)(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)(leng)(leng)效(xiao)果。節能(neng)環(huan)保(bao)空(kong)(kong)調(diao)在工作過(guo)程(cheng)中實(shi)現(xian)(xian)了(le)(le)(le)對水(shui)(shui)的(de)(de)(de)(de)反復利用(yong)，且精簡了(le)(le)(le)內部(bu)裝置提高了(le)(le)(le)工作效(xiao)率，節約了(le)(le)(le)大量(liang)的(de)(de)(de)(de)水(shui)(shui)資源以及其(qi)他內部(bu)結構(gou)裝置的(de)(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)(zhi)作原料，實(shi)現(xian)(xian)了(le)(le)(le)節能(neng)。

4 節能環保空(kong)調的結構設(she)計

4.1 溴化鋰吸收式制冷(leng)模塊

在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)溴(xiu)(xiu)(xiu)(xiu)化(hua)(hua)(hua)鋰(li)吸(xi)(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)式制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)模塊設計中(zhong)(zhong)(zhong)，因(yin)為(wei)水(shui)(shui)(shui)(shui)的(de)(de)(de)(de)凝(ning)(ning)(ning)固點(dian)高(gao)(gao)，汽(qi)化(hua)(hua)(hua)大(da)(da)且無毒，因(yin)此(ci)被(bei)(bei)用來(lai)作(zuo)為(wei)制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)劑(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，環保(bao)安全(quan)。當(dang)水(shui)(shui)(shui)(shui)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)0℃時(shi)就(jiu)會結(jie)(jie)冰，因(yin)此(ci)溴(xiu)(xiu)(xiu)(xiu)化(hua)(hua)(hua)鋰(li)制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)循環模塊只適用于(yu)0℃以上的(de)(de)(de)(de)空調制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)系統中(zhong)(zhong)(zhong)。溴(xiu)(xiu)(xiu)(xiu)化(hua)(hua)(hua)鋰(li)是(shi)(shi)一(yi)種特性類似于(yu)氯化(hua)(hua)(hua)鈉的(de)(de)(de)(de)穩定物質，在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)大(da)(da)氣下不(bu)易揮發(fa)(fa)(fa)變(bian)質，但易容于(yu)水(shui)(shui)(shui)(shui)，在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)常溫(wen)(wen)下為(wei)無色的(de)(de)(de)(de)帶有咸苦味的(de)(de)(de)(de)晶體。在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)溴(xiu)(xiu)(xiu)(xiu)化(hua)(hua)(hua)鋰(li)溶(rong)(rong)(rong)液(ye)(ye)中(zhong)(zhong)(zhong)，水(shui)(shui)(shui)(shui)是(shi)(shi)制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)劑(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，溴(xiu)(xiu)(xiu)(xiu)化(hua)(hua)(hua)鋰(li)溶(rong)(rong)(rong)液(ye)(ye)則是(shi)(shi)吸(xi)(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)劑(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。溴(xiu)(xiu)(xiu)(xiu)化(hua)(hua)(hua)鋰(li)吸(xi)(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)式制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)模塊反應(ying)全(quan)過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)(cheng)是(shi)(shi)利(li)(li)用了(le)溴(xiu)(xiu)(xiu)(xiu)化(hua)(hua)(hua)鋰(li)水(shui)(shui)(shui)(shui)溶(rong)(rong)(rong)液(ye)(ye)能夠在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)低(di)溫(wen)(wen)時(shi)迅(xun)速大(da)(da)量吸(xi)(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)水(shui)(shui)(shui)(shui)蒸(zheng)(zheng)氣，在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)高(gao)(gao)溫(wen)(wen)時(shi)將所吸(xi)(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)的(de)(de)(de)(de)水(shui)(shui)(shui)(shui)蒸(zheng)(zheng)氣再釋(shi)放出(chu)(chu)來(lai)最終順利(li)(li)完(wan)成(cheng)循環過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)(de)這一(yi)特性。在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)溴(xiu)(xiu)(xiu)(xiu)化(hua)(hua)(hua)鋰(li)吸(xi)(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)式制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)模塊中(zhong)(zhong)(zhong)包括發(fa)(fa)(fa)生過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)(cheng)、冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)凝(ning)(ning)(ning)過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)(cheng)、節(jie)流(liu)(liu)(liu)過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)(cheng)和(he)蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)、吸(xi)(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)(cheng)。發(fa)(fa)(fa)生過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)(cheng)：吸(xi)(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)溴(xiu)(xiu)(xiu)(xiu)化(hua)(hua)(hua)鋰(li)稀(xi)溶(rong)(rong)(rong)液(ye)(ye)被(bei)(bei)溶(rong)(rong)(rong)液(ye)(ye)泵抽吸(xi)(xi)(xi)(xi)，在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)吸(xi)(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)劑(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)熱(re)(re)(re)交(jiao)換器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)內進(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)行加熱(re)(re)(re)升(sheng)溫(wen)(wen)后送達(da)發(fa)(fa)(fa)生器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)。發(fa)(fa)(fa)生器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)內的(de)(de)(de)(de)稀(xi)溴(xiu)(xiu)(xiu)(xiu)化(hua)(hua)(hua)鋰(li)溶(rong)(rong)(rong)液(ye)(ye)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)加熱(re)(re)(re)后進(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)行沸(fei)騰，冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)劑(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)水(shui)(shui)(shui)(shui)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)該過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)(cheng)中(zhong)(zhong)(zhong)被(bei)(bei)以水(shui)(shui)(shui)(shui)蒸(zheng)(zheng)氣的(de)(de)(de)(de)形(xing)式蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)出(chu)(chu)來(lai)。冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)凝(ning)(ning)(ning)過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)(cheng)：在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)發(fa)(fa)(fa)生過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)(cheng)中(zhong)(zhong)(zhong)排(pai)放出(chu)(chu)去的(de)(de)(de)(de)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)劑(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)水(shui)(shui)(shui)(shui)蒸(zheng)(zheng)氣進(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)入冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)凝(ning)(ning)(ning)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)中(zhong)(zhong)(zhong)，在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)淋灑作(zuo)用下冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)劑(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)水(shui)(shui)(shui)(shui)蒸(zheng)(zheng)氣在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)凝(ning)(ning)(ning)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)外部釋(shi)放凝(ning)(ning)(ning)結(jie)(jie)熱(re)(re)(re)并凝(ning)(ning)(ning)結(jie)(jie)為(wei)水(shui)(shui)(shui)(shui)狀。釋(shi)放出(chu)(chu)的(de)(de)(de)(de)凝(ning)(ning)(ning)結(jie)(jie)熱(re)(re)(re)被(bei)(bei)管(guan)簇(cu)(cu)內的(de)(de)(de)(de)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)卻水(shui)(shui)(shui)(shui)吸(xi)(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)，熱(re)(re)(re)量通過(guo)(guo)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)卻水(shui)(shui)(shui)(shui)散入制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)系統外部。節(jie)流(liu)(liu)(liu)過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)(cheng)：冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)凝(ning)(ning)(ning)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)劑(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)水(shui)(shui)(shui)(shui)通過(guo)(guo)U型(xing)管(guan)節(jie)流(liu)(liu)(liu)進(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)入蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)內部。U型(xing)管(guan)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)該過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)(cheng)中(zhong)(zhong)(zhong)起到(dao)了(le)水(shui)(shui)(shui)(shui)封和(he)控制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)水(shui)(shui)(shui)(shui)流(liu)(liu)(liu)量與氣壓(ya)的(de)(de)(de)(de)作(zuo)用，保(bao)證(zheng)了(le)節(jie)流(liu)(liu)(liu)過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)(de)順利(li)(li)進(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)行。蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)(cheng)：由于(yu)蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)中(zhong)(zhong)(zhong)壓(ya)力的(de)(de)(de)(de)不(bu)穩定，使(shi)得從冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)凝(ning)(ning)(ning)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)進(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)入蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)劑(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)水(shui)(shui)(shui)(shui)部分出(chu)(chu)現閃(shan)(shan)發(fa)(fa)(fa)狀況(kuang)，出(chu)(chu)現閃(shan)(shan)發(fa)(fa)(fa)狀況(kuang)的(de)(de)(de)(de)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)劑(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)水(shui)(shui)(shui)(shui)則會通過(guo)(guo)蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)管(guan)簇(cu)(cu)積聚到(dao)蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)水(shui)(shui)(shui)(shui)盤里(li)，在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)水(shui)(shui)(shui)(shui)泵作(zuo)用下水(shui)(shui)(shui)(shui)盤中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)劑(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)水(shui)(shui)(shui)(shui)噴在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)管(guan)簇(cu)(cu)外，同時(shi)吸(xi)(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)熱(re)(re)(re)量變(bian)為(wei)水(shui)(shui)(shui)(shui)蒸(zheng)(zheng)氣最后進(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)入吸(xi)(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)中(zhong)(zhong)(zhong)。蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)中(zhong)(zhong)(zhong)被(bei)(bei)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)卻后的(de)(de)(de)(de)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)媒(mei)水(shui)(shui)(shui)(shui)，在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)媒(mei)水(shui)(shui)(shui)(shui)泵的(de)(de)(de)(de)作(zuo)用下到(dao)達(da)經(jing)降(jiang)溫(wen)(wen)的(de)(de)(de)(de)水(shui)(shui)(shui)(shui)簾(lian)處進(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)行蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)式制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)。吸(xi)(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)(cheng)：發(fa)(fa)(fa)生器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)溴(xiu)(xiu)(xiu)(xiu)化(hua)(hua)(hua)鋰(li)溶(rong)(rong)(rong)液(ye)(ye)經(jing)加熱(re)(re)(re)下水(shui)(shui)(shui)(shui)分成(cheng)為(wei)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)劑(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)蒸(zheng)(zheng)汽(qi)，溶(rong)(rong)(rong)液(ye)(ye)則變(bian)為(wei)濃(nong)溶(rong)(rong)(rong)液(ye)(ye)。在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)壓(ya)力作(zuo)用下，溴(xiu)(xiu)(xiu)(xiu)化(hua)(hua)(hua)鋰(li)濃(nong)溶(rong)(rong)(rong)液(ye)(ye)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)流(liu)(liu)(liu)經(jing)吸(xi)(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)劑(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)熱(re)(re)(re)交(jiao)換器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)時(shi)被(bei)(bei)來(lai)自發(fa)(fa)(fa)生器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)低(di)溫(wen)(wen)稀(xi)溶(rong)(rong)(rong)液(ye)(ye)經(jing)吸(xi)(xi)(xi)(xi)熱(re)(re)(re)降(jiang)溫(wen)(wen)處理后再次(ci)進(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)入吸(xi)(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)，與吸(xi)(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)溶(rong)(rong)(rong)液(ye)(ye)混(hun)合成(cheng)為(wei)一(yi)定濃(nong)度(du)的(de)(de)(de)(de)溴(xiu)(xiu)(xiu)(xiu)化(hua)(hua)(hua)鋰(li)溶(rong)(rong)(rong)液(ye)(ye)，同時(shi)吸(xi)(xi)(xi)(xi)收(shou)(shou)(shou)從蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)出(chu)(chu)來(lai)的(de)(de)(de)(de)冷(leng)(leng)(leng)(leng)(leng)劑(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)蒸(zheng)(zheng)汽(qi)使(shi)溶(rong)(rong)(rong)液(ye)(ye)濃(nong)度(du)降(jiang)低(di)。最終溶(rong)(rong)(rong)液(ye)(ye)由中(zhong)(zhong)(zhong)濃(nong)度(du)溶(rong)(rong)(rong)液(ye)(ye)變(bian)成(cheng)稀(xi)溶(rong)(rong)(rong)液(ye)(ye)，經(jing)溶(rong)(rong)(rong)液(ye)(ye)泵到(dao)達(da)發(fa)(fa)(fa)生器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)內部。

4.2 半導體(ti)制冷(leng)模塊

在(zai)半(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)模(mo)塊(kuai)中，選(xuan)用(yong)傳(chuan)熱(re)(re)(re)(re)性能符合標準的(de)半(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)片(pian)(pian)，在(zai)運行過(guo)程中避免水與半(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)片(pian)(pian)的(de)直接接觸。半(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)片(pian)(pian)充當(dang)著熱(re)(re)(re)(re)傳(chuan)遞(di)的(de)工具。當(dang)一(yi)塊(kuai)N型(xing)半(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)材料(liao)和一(yi)塊(kuai)P型(xing)半(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)材料(liao)結成熱(re)(re)(re)(re)電偶，當(dang)電流通過(guo)時，兩(liang)端(duan)會進(jin)行熱(re)(re)(re)(re)量(liang)的(de)相(xiang)互轉移，產(chan)生溫(wen)(wen)差形成冷(leng)(leng)熱(re)(re)(re)(re)端(duan)。當(dang)兩(liang)端(duan)溫(wen)(wen)度(du)(du)達平衡點時，采用(yong)散(san)熱(re)(re)(re)(re)等方式(shi)(shi)降(jiang)(jiang)(jiang)低(di)熱(re)(re)(re)(re)端(duan)的(de)溫(wen)(wen)度(du)(du)實現(xian)低(di)溫(wen)(wen)。微電子控制(zhi)(zhi)(zhi)器在(zai)控制(zhi)(zhi)(zhi)半(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)片(pian)(pian)制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)過(guo)程中，在(zai)冷(leng)(leng)端(duan)利(li)用(yong)半(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)片(pian)(pian)對(dui)水進(jin)行直接制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)降(jiang)(jiang)(jiang)溫(wen)(wen)，在(zai)熱(re)(re)(re)(re)端(duan)則使用(yong)觸發吸收式(shi)(shi)制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)。之后(hou)采用(yong)水散(san)熱(re)(re)(re)(re)的(de)方式(shi)(shi)對(dui)半(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)片(pian)(pian)進(jin)行降(jiang)(jiang)(jiang)溫(wen)(wen)。當(dang)完成對(dui)水的(de)第一(yi)次降(jiang)(jiang)(jiang)溫(wen)(wen)后(hou)，水將被儲藏起來，便于在(zai)下(xia)一(yi)步制(zhi)(zhi)(zhi)冷(leng)(leng)時循環使用(yong)。

在節(jie)能(neng)環保空調的結構設(she)計(ji)中(zhong)，將水作為制冷劑(ji)循環使用，既提高(gao)了(le)工作效率又節(jie)約了(le)電能(neng)和水資源，實現(xian)節(jie)能(neng)與(yu)環保。

5 節能(neng)環保空調(diao)的優勢和(he)創新

節(jie)能(neng)環保空調巧妙(miao)地(di)利用(yong)了(le)半(ban)導體(ti)制(zhi)(zhi)冷(leng)以及溴化鋰吸收式制(zhi)(zhi)冷(leng)的(de)優(you)點實現了(le)節(jie)能(neng)與環保。在(zai)半(ban)導體(ti)制(zhi)(zhi)冷(leng)模塊中，在(zai)對水進(jin)(jin)行(xing)初級制(zhi)(zhi)冷(leng)時利用(yong)了(le)半(ban)導體(ti)制(zhi)(zhi)冷(leng)片(pian)和溴化鋰溶液進(jin)(jin)行(xing)吸制(zhi)(zhi)冷(leng)，利用(yong)效率(lv)高(gao)且無毒(du)安(an)全。最重要(yao)的(de)是節(jie)省了(le)大量的(de)電能(neng)，并對制(zhi)(zhi)冷(leng)過(guo)程中的(de)熱(re)量進(jin)(jin)行(xing)有效控制(zhi)(zhi)降(jiang)低了(le)全球變暖的(de)速度保護了(le)環境。節(jie)能(neng)環保空調也變得更加輕巧利于(yu)操(cao)作，零(ling)部件的(de)精(jing)確度高(gao)延長(chang)了(le)空調的(de)使用(yong)壽命。

6 結語

節能(neng)(neng)(neng)環保(bao)空調的(de)(de)設(she)計與使用符合了我國的(de)(de)可持續發展戰略，既有利(li)于節約(yue)電能(neng)(neng)(neng)資(zi)源，減(jian)少能(neng)(neng)(neng)源消耗，降低成本，同時方便(bian)人們的(de)(de)生(sheng)活保(bao)護了環境，節能(neng)(neng)(neng)環保(bao)空調結構的(de)(de)設(she)計將(jiang)成為今后發展的(de)(de)必然趨勢。

【參考文獻】

[1]廖(liao)昌晰(xi).節(jie)能環保空調結構的設計[J].科技視界，2014（18）.

篇8

mems即微機電系統（英語：MicroelectromechanicalSystems，縮(suo)寫(xie)為MEMS）是將微電子技術與機械工(gong)程融合到一起(qi)的(de)一種工(gong)業技術，它的(de)操(cao)作(zuo)范圍在微米范圍內。比它更(geng)小的(de)，在納(na)米范圍的(de)類似的(de)技術被稱(cheng)為納(na)機電系統。

微機電(dian)系(xi)統（MEMS,Micro-Electro-MechanicSystem）是一種先進的(de)制造(zao)技(ji)術(shu)(shu)平臺。它是以半導體(ti)制造(zao)技(ji)術(shu)(shu)為基(ji)礎發展(zhan)起來的(de)。MEMS技(ji)術(shu)(shu)采用了(le)半導體(ti)技(ji)術(shu)(shu)中(zhong)(zhong)的(de)光(guang)刻(ke)、腐蝕(shi)、薄(bo)膜等一系(xi)列的(de)現有技(ji)術(shu)(shu)和材料，因此(ci)從制造(zao)技(ji)術(shu)(shu)本身來講(jiang)，MEMS中(zhong)(zhong)基(ji)本的(de)制造(zao)技(ji)術(shu)(shu)是成熟的(de)。但MEMS更側重(zhong)于超精密機械加工，并要涉及微電(dian)子、材料、力學、化(hua)學、機械學諸多學科領域。它的(de)學科面也擴大(da)到微尺度下的(de)力、電(dian)、光(guang)、磁(ci)、聲(sheng)、表(biao)面等物(wu)理學的(de)各分支。

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篇9

東京地鐵車廂里，兩耳緊塞(sai)耳機(ji)全神(shen)貫注聽音樂是持續了十(shi)幾年的(de)(de)最常見的(de)(de)乘客(ke)姿態(tai)，而如今，拿著(zhu)iPod看圖像、看手機(ji)短信成了另外一種風景。電器商店里的(de)(de)磁帶已經(jing)基(ji)本消(xiao)失，CD也在減少。從1G到160G的(de)(de)iPod，在東京的(de)(de)價(jia)格要比(bi)北(bei)京中關(guan)村(cun)的(de)(de)便宜(yi)不少，讓來這里的(de)(de)中國年輕游(you)客(ke)一個(ge)勁地刷(shua)卡購買。翻開報(bao)紙，有關(guan)大(da)型半導體存儲裝(zhuang)置(zhi)投資的(de)(de)報(bao)道比(bi)比(bi)皆是……一個(ge)使(shi)用閃存技術的(de)(de)新時代(dai)的(de)(de)腳步聲(sheng)，已經(jing)在東京的(de)(de)街(jie)頭震(zhen)響得十(shi)分清(qing)晰。

當然(ran)，以上只是(shi)街頭的景色。采(cai)訪日本經濟界，話(hua)題更(geng)(geng)多(duo)地會集中到(dao)原油與日元升(sheng)值上。能(neng)源環(huan)境在不斷(duan)變化(hua)，今后能(neng)在很(hen)長(chang)一段時間(jian)內穩(wen)定供應能(neng)源的企(qi)業(ye)，必(bi)能(neng)獲得比(bi)其(qi)他(ta)企(qi)業(ye)更(geng)(geng)有保(bao)障的收益，這是(shi)日本企(qi)業(ye)界的共識(shi)。

這兩年東(dong)(dong)芝(zhi)在(zai)閃存及(ji)能源技(ji)術上(shang)集中(zhong)(zhong)了更多的經營資源，受到了世間注(zhu)目。東(dong)(dong)芝(zhi)的選(xuan)擇(ze)與集中(zhong)(zhong)，代表了日(ri)本綜合電氣廠家在(zai)經營上(shang)的一個趨勢。

怒濤般的(de)半(ban)導體投資

“我們的(de)目(mu)標是成為世界上最大的(de)動(dong)力半(ban)導(dao)(dao)體廠(chang)家。”東(dong)芝全球總裁西(xi)田厚(hou)聰在10月15日說。這天東(dong)芝的(de)子(zi)公(gong)司加(jia)賀東(dong)芝半(ban)導(dao)(dao)體工(gong)廠(chang)正式竣工(gong)，日本(ben)前首(shou)相(xiang)森喜朗特意(yi)從東(dong)京趕到加(jia)賀，參加(jia)這個投資550億日元的(de)工(gong)廠(chang)竣工(gong)儀(yi)式，西(xi)田總裁說這句話的(de)時候，森喜朗就在他(ta)旁邊。

“動(dong)力(li)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)”是(shi)(shi)在通訊設(she)備、汽(qi)車(che)電源及(ji)開關上使(shi)用(yong)(yong)的(de)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)，不屬(shu)日常消(xiao)費產(chan)品(pin)，但在產(chan)業方面使(shi)用(yong)(yong)得非常廣(guang)泛――市場規模最(zui)大的(de)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)產(chan)品(pin)首先是(shi)(shi)電腦用(yong)(yong)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)部件，其次就是(shi)(shi)動(dong)力(li)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)了。東芝的(de)目標是(shi)(shi)在2009年拿下(xia)動(dong)力(li)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)世界第一的(de)寶座。

2008年(nian)，東芝計(ji)劃(hua)將拿下NAND閃存(cun)的(de)世界首(shou)位。過去我(wo)們對NAND的(de)了解不多(duo)，但(dan)現(xian)在到電子市場上看看，iPod的(de)一款(kuan)產品就直接(jie)(jie)取名為(wei)NAND，讓我(wo)們對這種可(ke)以直接(jie)(jie)用來(lai)存(cun)儲文件(jian)、圖片、音(yin)樂、電影的(de)半導體產品多(duo)少有(you)了一些(xie)感性認識。

國(guo)際市(shi)場上(shang)NAND閃存的(de)(de)最(zui)大(da)(da)廠家是韓國(guo)三星(xing)電子，掌握著45.1%的(de)(de)全球市(shi)場，東芝(zhi)位(wei)居第(di)二，目前占有(you)29.0%。2007年(nian)(nian)9月，東芝(zhi)在日本三重(zhong)縣四(si)日市(shi)設立(li)的(de)(de)半(ban)導體第(di)四(si)工(gong)(gong)廠竣工(gong)(gong)，NAND的(de)(de)生(sheng)產能力大(da)(da)大(da)(da)加強，日本業內認為，2008年(nian)(nian)東芝(zhi)取代三星(xing)躍居首位(wei)的(de)(de)局勢已經(jing)非常(chang)明(ming)了(le)。

NAND也通過“記(ji)(ji)憶(yi)單(dan)元”來進行存儲。傳統上(shang)1個(ge)單(dan)元記(ji)(ji)憶(yi)1比(bi)(bi)特(te)的信息量。西田(tian)總裁(cai)11月(yue)1日在(zai)(zai)北(bei)京接受(shou)《經濟》記(ji)(ji)者專訪時說(shuo)：“我們(men)采(cai)用了(le)(le)多值(zhi)化技(ji)(ji)術，讓(rang)1個(ge)單(dan)元原來只能(neng)記(ji)(ji)憶(yi)1比(bi)(bi)特(te)的內容，增(zeng)加(jia)到了(le)(le)4比(bi)(bi)特(te)、8比(bi)(bi)特(te)。”換(huan)句話說(shuo)，是東(dong)芝的技(ji)(ji)術讓(rang)信息記(ji)(ji)憶(yi)量出現了(le)(le)高性能(neng)化，在(zai)(zai)記(ji)(ji)憶(yi)能(neng)力增(zeng)加(jia)以后(hou)，東(dong)芝首先在(zai)(zai)產品(pin)技(ji)(ji)術上(shang)超越(yue)了(le)(le)三星(xing)，而在(zai)(zai)生產規模上(shang)超越(yue)三星(xing)已(yi)經在(zai)(zai)目(mu)標范(fan)圍之(zhi)內。

令(ling)新聞(wen)媒(mei)體更加(jia)注目的(de)(de)是(shi)東芝(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)對索(suo)(suo)尼(ni)(ni)超高(gao)性能半(ban)導體制(zhi)造設備的(de)(de)收(shou)購。10月18日，東芝(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)與(yu)索(suo)(suo)尼(ni)(ni)基本上達成了協(xie)議。這筆錢(qian)花(hua)得很合算(suan)。首先索(suo)(suo)尼(ni)(ni)的(de)(de)設備主要應用在(zai)超薄電(dian)視、數碼(ma)相機、游(you)戲機上使用的(de)(de)邏(luo)輯(ji)(ji)IC，東芝(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)原本在(zai)國(guo)際市(shi)場上占有(you)的(de)(de)位置不高(gao)（第(di)7位，市(shi)場占有(you)率3.8%），但收(shou)購索(suo)(suo)尼(ni)(ni)（第(di)5位，4.1%）以后，粗略計算(suan)，東芝(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)的(de)(de)市(shi)場占有(you)率能達到7.9%，與(yu)第(di)1位的(de)(de)英特爾（8.0%）僅有(you)半(ban)步之(zhi)遙。其次，索(suo)(suo)尼(ni)(ni)是(shi)邏(luo)輯(ji)(ji)IC的(de)(de)大(da)用戶，東芝(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)收(shou)購索(suo)(suo)尼(ni)(ni)設備后，產品主要還是(shi)提供給索(suo)(suo)尼(ni)(ni)，在(zai)銷(xiao)售上并(bing)不用去(qu)花(hua)太大(da)的(de)(de)精(jing)力去(qu)開拓市(shi)場。

東(dong)芝(zhi)在(zai)(zai)動力半(ban)(ban)導體(ti)(ti)、NAND閃(shan)存、邏輯IC等半(ban)(ban)導體(ti)(ti)領域怒濤般(ban)的投(tou)資(zi)，“在(zai)(zai)很(hen)大程度上(shang)是吸取了(le)DRAM投(tou)資(zi)方(fang)面(mian)的教訓。”西田總裁(cai)對《經(jing)濟(ji)》說(shuo)。DRAM主要(yao)用在(zai)(zai)電腦存儲方(fang)面(mian)，本來(lai)東(dong)芝(zhi)掌握了(le)技術優(you)勢，開(kai)始時投(tou)資(zi)力度不(bu)(bu)夠，后來(lai)準備(bei)(bei)與(yu)NEC實(shi)現生產技術上(shang)的統合(he)，但最終未能談成，2001年(nian)不(bu)(bu)得不(bu)(bu)從該(gai)領域撤了(le)出來(lai)。到了(le)新一代半(ban)(ban)導體(ti)(ti)時代，東(dong)芝(zhi)接手(shou)索尼制造設備(bei)(bei)，該(gai)斷(duan)則斷(duan)，態度果決，在(zai)(zai)新一代半(ban)(ban)導體(ti)(ti)方(fang)面(mian)搶占要(yao)津(jin)，已經(jing)是東(dong)芝(zhi)經(jing)營(ying)的一個很(hen)大的特點。

把能源當成企業收益的

另一個支柱

關于東芝(zhi)(zhi)收購美國(guo)核(he)能企業西屋(wu)的(de)事，已經在(zai)(zai)中國(guo)媒體(ti)上有(you)了很多(duo)的(de)報道。但東芝(zhi)(zhi)在(zai)(zai)能源方面的(de)新動向，知道的(de)人恐(kong)怕還不多(duo)。

東(dong)芝把二氧化(hua)碳(tan)減排技術的(de)(de)重(zhong)點(dian)突(tu)擊方向放在(zai)(zai)了(le)核(he)能和降低能耗上。《經濟》數(shu)次采訪(fang)西田(tian)總裁，每(mei)次談到(dao)二氧化(hua)碳(tan)減排時，他都強(qiang)調核(he)電站在(zai)(zai)這個方面(mian)的(de)(de)重(zhong)要作用。提高核(he)電在(zai)(zai)發電中的(de)(de)比率，對實現減排、保持(chi)穩定的(de)(de)電力供(gong)應，意義重(zhong)大(da)。

西田總(zong)裁也談(tan)到(dao)了(le)西屋(wu)公司在(zai)中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)的項(xiang)目(mu)進(jin)展情況。以(yi)(yi)日(ri)本企(qi)業(ye)現(xian)有(you)的技術(shu)能(neng)力(li)，今后增大在(zai)中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)的項(xiang)目(mu)數量(liang)，只要中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)方面提出(chu)(chu)明確的目(mu)標，由日(ri)本企(qi)業(ye)來完(wan)成這些(xie)項(xiang)目(mu)，在(zai)設(she)備制造能(neng)力(li)方面，應該說問題不大。估計到(dao)2020年以(yi)(yi)后，中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)的核電(dian)站數目(mu)達到(dao)30座或(huo)者更多時，核原料的采(cai)購有(you)可(ke)能(neng)出(chu)(chu)現(xian)鋼鐵業(ye)一樣的局(ju)面，受到(dao)國(guo)(guo)際市(shi)場的嚴(yan)重(zhong)(zhong)制約。而東芝在(zai)核原料方面的新舉措，值(zhi)得中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)重(zhong)(zhong)視。

東芝(zhi)在(zai)謀求全面占有(you)核(he)電技(ji)術(shu)。在(zai)核(he)發電方面，世界上使用(yong)最多的(de)(de)技(ji)術(shu)主要(yao)有(you)兩種：壓水堆(dui)(dui)型(PWR)與(yu)沸水堆(dui)(dui)型(BWR)。東芝(zhi)本來只有(you)沸水堆(dui)(dui)型核(he)電技(ji)術(shu)，但在(zai)以(yi)54億美元的(de)(de)價格收購西(xi)屋公司后，手中同時(shi)握(wo)有(you)這(zhe)兩種主要(yao)技(ji)術(shu)。西(xi)田總裁(cai)說：“這(zhe)樣一來，東芝(zhi)在(zai)半(ban)導體事業之(zhi)外，有(you)了(le)一個能讓(rang)企業獲得穩(wen)定收益的(de)(de)新的(de)(de)支柱。”

東(dong)芝(zhi)不(bu)僅保(bao)有了(le)相(xiang)關的(de)所(suo)有技術，還是(shi)發(fa)電設備(bei)的(de)最重要的(de)廠家。東(dong)芝(zhi)在(zai)獲取核(he)電項(xiang)目的(de)同時，還能(neng)為這(zhe)些(xie)項(xiang)目在(zai)發(fa)電、變電、輸電等(deng)各個(ge)方面提供設備(bei)配(pei)套。

東(dong)芝(zhi)(zhi)在核(he)(he)電(dian)方(fang)面的(de)追(zhui)求還(huan)不僅停(ting)留于(yu)此。今年(nian)(nian)(nian)(nian)8月(yue)，東(dong)芝(zhi)(zhi)參(can)與了哈薩克斯坦(tan)哈拉桑礦(kuang)山(shan)項目。該(gai)礦(kuang)山(shan)自(zi)2007年(nian)(nian)(nian)(nian)開(kai)始試(shi)驗性生產鈾(you)原料(liao)，計(ji)劃到(dao)2014年(nian)(nian)(nian)(nian)讓(rang)產能(neng)達到(dao)5000噸(dun)，其中(zhong)2000噸(dun)出(chu)口到(dao)日(ri)本(ben)。參(can)加(jia)該(gai)礦(kuang)山(shan)開(kai)發，享有該(gai)礦(kuang)山(shan)權益的(de)有日(ri)本(ben)企業東(dong)京電(dian)力、中(zhong)部(bu)電(dian)力、東(dong)北電(dian)力、丸紅等，東(dong)芝(zhi)(zhi)從貿易公(gong)司丸紅那(nei)里取得(de)了一(yi)(yi)部(bu)分權益，每(mei)年(nian)(nian)(nian)(nian)最(zui)多可以得(de)到(dao)600噸(dun)的(de)鈾(you)原料(liao)。600噸(dun)只相當(dang)于(yu)日(ri)本(ben)3到(dao)4座核(he)(he)電(dian)站一(yi)(yi)年(nian)(nian)(nian)(nian)的(de)使用量，并不算大，但卻(que)是東(dong)芝(zhi)(zhi)從技術到(dao)設備(bei)制造，再到(dao)核(he)(he)原料(liao)的(de)全盤發展的(de)一(yi)(yi)個象征。

半(ban)導(dao)體產品在向新(xin)的一(yi)代轉變，2008年將(jiang)是這種轉變全(quan)面顯(xian)現的一(yi)年，無(wu)論是在汽車(che)零(ling)部件中，還是手機(ji)、數(shu)碼相機(ji)、平板(ban)電(dian)視，再到新(xin)的iPod，半(ban)導(dao)體日益深入(ru)到人們的生活(huo)中。

篇10

分(fen)散(san)的數(shu)據(ju)　痛(tong)苦的分(fen)析

“半導體制造(zao)與傳統制造(zao)業相(xiang)比，具有其(qi)行業特殊性，比如產品類(lei)型多樣(yang)，生產制造(zao)工藝復雜，設備(bei)(bei)昂貴(gui)且折舊費用高，質量(liang)控制要求(qiu)嚴格等(deng)等(deng)。”飛索半導體(中國(guo))有限公司CIO趙子江開門見山的(de)指(zhi)出。“尤其(qi)是OEE(Overall Equipment Efficiency，設備(bei)(bei)使用效率)等(deng)生產指(zhi)標，對公司業務發展具有極大的(de)影響。”

作為全球最大的專門從事閃存(cun)開發(fa)、生產(chan)和(he)營銷的高科(ke)技跨國(guo)企業(ye)，飛索(suo)半(ban)導(dao)(dao)體順應全球半(ban)導(dao)(dao)體產(chan)業(ye)持續向亞太地區尤(you)其是(shi)大陸轉移的趨勢，在中國(guo)蘇州工業(ye)園(yuan)成(cheng)立了獨資子公司(si)飛索(suo)半(ban)導(dao)(dao)體(中國(guo))有限公司(si)，主要負責(ze)閃存(cun)系列產(chan)品的制(zhi)造(zao)和(he)研發(fa)等工作。借助信息化(hua)手段(duan)優化(hua)運營管(guan)理(li)水平、提高生產(chan)制(zhi)造(zao)效(xiao)率，更高效(xiao)地滿足(zu)客(ke)戶需求，成(cheng)為飛索(suo)半(ban)導(dao)(dao)體(中國(guo))從管(guan)理(li)層(ceng)到IT部門的共(gong)識。

“我們從2006年就開始部署MES(Manufacturing Executing System，制造執行系(xi)統)，但(dan)在實際與業務(wu)結(jie)合過程中，原有平臺的不(bu)足日益顯現出來(lai)。”趙子江回(hui)憶到。“原有系(xi)統下，各類基礎數(shu)據(ju)分散于各個子系(xi)統，甚至包含大量文本格(ge)式的數(shu)據(ju)。管理和查詢非常復雜和煩瑣。

舉(ju)例來說，管理者要查看(kan)OEE情況(kuang)，在過去，就需(xu)要IT人員首先(xian)開發一系列的(de)(de)ETL Jobs，將不同系統數(shu)據(ju)導入(ru)到創建(jian)的(de)(de)數(shu)據(ju)集市中，然后需(xu)要大量編(bian)碼實現用戶所需(xu)格式的(de)(de)圖(tu)表和數(shu)據(ju)報(bao)告。即使這樣，提(ti)供的(de)(de)報(bao)告靈活性(xing)和操作(zuo)(zuo)性(xing)以(yi)及(ji)數(shu)據(ju)準確性(xing)都難以(yi)得(de)到保證。IT部門做(zuo)一個(ge)報(bao)告要花(hua)費大量時間(jian)在基(ji)礎性(xing)工(gong)作(zuo)(zuo)上，響應(ying)時間(jian)很長(chang)，甚至(zhi)成為(wei)創建(jian)報(bao)告的(de)(de)一個(ge)瓶頸。”

在瞬息(xi)萬變的市場環境下，管理者和決策(ce)人員需要(yao)實時關注和了解生產過程中各(ge)種數據(ju)(例如(ru)生產數據(ju)、工程數據(ju)、質量(liang)數據(ju)等)，以及生產周期(Cycle Time)設備使用效率、單位成(cheng)本(Unit Cost)等關鍵指(zhi)標(biao)。只有這樣，才能準(zhun)確分(fen)析問(wen)題原因，及時制定相應(ying)措施，讓(rang)昂貴的半導(dao)體生產線(xian)充(chong)分(fen)發揮效力。

在(zai)這種情況下(xia)，借助先進的商務智能(neng)平(ping)臺來快速(su)有效的整合不同系(xi)統中(zhong)的數據，保證數據質量，使(shi)得(de)企(qi)業不同層次的管理(li)者能(neng)夠迅速(su)方便的獲得(de)生(sheng)產數據報告，已成為(wei)擺(bai)在(zai)飛(fei)索半導體(中(zhong)國)面前(qian)最(zui)緊迫的任務。

統一整(zheng)合　簡化報表

在決(jue)心實施BI之后(hou)(hou)，飛索半導(dao)體(中國(guo))開始結合(he)自身(shen)情況，對(dui)不同的(de)(de)BI解決(jue)方案進行(xing)綜合(he)評估(gu)。最終(zhong)(zhong)，全(quan)球領先(xian)的(de)(de)BI軟件提(ti)供商(shang)Business Objects公司提(ti)供的(de)(de)全(quan)面(mian)BI解決(jue)方案，滿足了(le)飛索半導(dao)體企業的(de)(de)需求。趙(zhao)子江說：“我們(men)對(dui)不同公司的(de)(de)BI解決(jue)方案進行(xing)了(le)全(quan)面(mian)的(de)(de)對(dui)比，通過對(dui)公司實力(li)、性價比、產品(pin)表現(xian)、用戶界面(mian)和后(hou)(hou)續支持服務等多方面(mian)的(de)(de)綜合(he)評估(gu)之后(hou)(hou)，我們(men)最終(zhong)(zhong)選擇了(le)Business Objects作(zuo)為BI項目的(de)(de)合(he)作(zuo)伙(huo)伴”。

Business Objects專家在研究(jiu)了飛索(suo)半導體(ti)的(de)業務需求和IT現狀(zhuang)后，為其提供(gong)了一套BI整體(ti)解決方案，采用主要產品(pin)包(bao)括BusinessObjects Enterprise XI、Crystal Report和Xcelsius等(deng)。

在實施方(fang)面，BusinessObjects Enterprise XI作為(wei)(wei)該項目(mu)的報(bao)告平臺，通過ETL程序以及其它相關工(gong)具將數(shu)據整(zheng)合到統一的數(shu)據倉庫；Crystal Report和Xcelsius則作為(wei)(wei)報(bao)告工(gong)具，基于數(shu)據倉庫以及BusinessObjects Enterprise XI平臺，查詢顯示相關報(bao)告，供(gong)(gong)用戶瀏(liu)覽。未(wei)來，該項目(mu)還將部署據整(zheng)合工(gong)具、Web Intelligence等(deng)工(gong)具，為(wei)(wei)BI平臺提(ti)供(gong)(gong)更完(wan)整(zheng)的架(jia)構(gou)。

趙子(zi)江簡要介紹整體(ti)項目，可分為(wei)以下(xia)四個階段(duan)。

第(di)一(yi)階(jie)段，主要解決過去各種系(xi)統的固定報(bao)表(biao)(biao)問題(ti)，為用戶(hu)提供友好的高效的報(bao)表(biao)(biao)系(xi)統以(yi)及入口。

第二階(jie)段，通過統一的數(shu)據整(zheng)合(he)以及(ji)數(shu)據質(zhi)量工具進行數(shu)據整(zheng)合(he)，建立并完善生產及(ji)工程數(shu)據倉庫。

第三階段，建(jian)立BI上層應用(yong)體系(xi)，包(bao)括基(ji)于多(duo)維數據(ju)的靈活報表，儀表板，績效管(guan)理等。 第四階段，實現(xian)通過數據(ju)挖掘技術對各種生產活動以及其它商務(wu)活動提供決(jue)策支持，包(bao)括質量控(kong)制、設備利用(yong)率、成本等等。

據(ju)介紹(shao)，從2006年初開(kai)始，隨著MES項(xiang)目的實施，BI項(xiang)目也開(kai)始部(bu)署，第(di)一階段已(yi)經于(yu)2008年4月完成。項(xiang)目采取邊(bian)(bian)建設邊(bian)(bian)修(xiu)訂邊(bian)(bian)應(ying)用(yong)(yong)的分步走(zou)策略，首先針對MES系統關注于(yu)生(sheng)產線(xian)效率(lv)以(yi)及設備有效利(li)用(yong)(yong)率(lv)等關鍵(jian)環節，目前一些(xie)生(sheng)產現狀(zhuang)報(bao)告，以(yi)及機器設備跟蹤的數據(ju)和(he)圖形報(bao)告，如(ru)工單、批次、設備利(li)用(yong)(yong)率(lv)已(yi)經開(kai)始投入使用(yong)(yong)。

趙子江表(biao)(biao)(biao)示，“一(yi)堆枯(ku)燥而復(fu)雜(za)的電子表(biao)(biao)(biao)格、文(wen)檔，讓(rang)所(suo)有人都理不(bu)清頭緒，但(dan)借助(zhu)Xcelsius提供的可視化和(he)交互(hu)式的數據展示方案，很快讓(rang)復(fu)雜(za)數據成為交互(hu)式的儀表(biao)(biao)(biao)盤報(bao)表(biao)(biao)(biao)、生動的表(biao)(biao)(biao)格和(he)圖(tu)形、財務報(bao)表(biao)(biao)(biao)以(yi)及業務計算器。即便對技(ji)術不(bu)懂的人，也可以(yi)一(yi)眼看出目前OEE、Unit Cost等(deng)指標(biao)處于怎(zen)樣的狀(zhuang)態，這就是儀表(biao)(biao)(biao)盤等(deng)表(biao)(biao)(biao)格圖(tu)形的魅力所(suo)在。”

新平臺　高效率

目前(qian)，BI平臺框架已經部署完畢(bi)，實現了部分生產數(shu)據(ju)(ju)和工程數(shu)據(ju)(ju)的整合，創建了生產數(shu)據(ju)(ju)倉庫，并且數(shu)據(ju)(ju)的訪問(wen)得以(yi)改善、數(shu)據(ju)(ju)準確性大幅提升。

首先，新的(de)(de)平臺給不同(tong)部門的(de)(de)管理者帶來極大幫(bang)助(zhu)。他們(men)對業務(wu)和生產負責，因此(ci)需要的(de)(de)報(bao)告(gao)(gao)信(xin)息更綜合(he)，表現形式要求(qiu)更高。借助(zhu)Crystal Report、Xcelsius工具(ju)，BI平臺可(ke)為各(ge)(ge)個部門創建各(ge)(ge)種(zhong)復雜格式的(de)(de)報(bao)告(gao)(gao)，例(li)如Cycle Time、OEE、Unit Cost等(deng)等(deng)，使得報(bao)告(gao)(gao)流程效率、精(jing)確性(xing)有明顯改進。

其次，對于高(gao)級管理層而言，他(ta)們(men)需(xu)要(yao)實現的是從(cong)總(zong)體到細節(jie)的數據訪問，即多層次多維度數據的查(cha)詢。通過BI平臺的友好界面(mian)和統一的入口，他(ta)們(men)可以從(cong)最上層的報(bao)告發現問題(ti)，并通過向下挖掘，找出具(ju)體的問題(ti)所在，從(cong)而進行判斷(duan)、分析并制定決策。

對于(yu)IT部(bu)(bu)門人(ren)員來說，新平(ping)臺(tai)的優勢(shi)也更為(wei)(wei)顯著。過(guo)(guo)去，IT部(bu)(bu)門人(ren)員為(wei)(wei)制(zhi)作報(bao)告編寫(xie)代(dai)碼需要花費時間10分鐘左右，而通(tong)過(guo)(guo)實(shi)施Crystal Report、Xcelsius212具(ju)等(deng)之后，只需時間1分鐘。整(zheng)體(ti)來看，新平(ping)臺(tai)效率(lv)至少提(ti)升(sheng)75％以(yi)上，可(ke)以(yi)說，BI新平(ping)臺(tai)將(jiang)IT部(bu)(bu)門人(ren)員解放出來，讓(rang)他(ta)們將(jiang)精力更多關注(zhu)于(yu)業務建模等(deng)高層次工(gong)作，創造更多價(jia)值(zhi)。