導語：如何才能寫好(hao)一篇半導體材料(liao)論文，這就需要(yao)搜集整(zheng)理更多的(de)(de)資(zi)料(liao)和文獻，歡迎(ying)閱讀由(you)公務員(yuan)之(zhi)家整(zheng)理的(de)(de)十(shi)篇范文，供你借鑒。

篇1

關鍵詞半導體材料量(liang)子線量(liang)子點材(cai)料光子晶體

1半導體(ti)材(cai)料的戰(zhan)略地位

上世紀(ji)中(zhong)葉，單晶(jing)(jing)硅和半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)的發明及(ji)(ji)其硅集(ji)成電(dian)(dian)(dian)路的研制(zhi)成功，導(dao)(dao)(dao)致了電(dian)(dian)(dian)子工(gong)(gong)業革(ge)命；上世紀(ji)70年代(dai)初石英(ying)光導(dao)(dao)(dao)纖(xian)維材料(liao)和GaAs激光器(qi)的發明，促(cu)進了光纖(xian)通信技術迅速發展并逐步(bu)形成了高(gao)新技術產業，使(shi)人類進入(ru)了信息時代(dai)。超晶(jing)(jing)格概念的提出及(ji)(ji)其半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)超晶(jing)(jing)格、量子阱材料(liao)的研制(zhi)成功，徹底(di)改變(bian)了光電(dian)(dian)(dian)器(qi)件(jian)的設(she)計思想，使(shi)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)器(qi)件(jian)的設(she)計與制(zhi)造從(cong)“雜質工(gong)(gong)程”發展到“能(neng)帶工(gong)(gong)程”。納米科(ke)學技術的發展和應用(yong)，將使(shi)人類能(neng)從(cong)原子、分子或(huo)納米尺度水平(ping)上控制(zhi)、操縱(zong)和制(zhi)造功能(neng)強大的新型器(qi)件(jian)與電(dian)(dian)(dian)路，必將深(shen)刻地影響著世界的政治(zhi)、經濟格局和軍事對抗的形式，徹底(di)改變(bian)人們(men)的生(sheng)活方(fang)式。

2幾種主(zhu)要(yao)半(ban)導體材料的(de)發展現狀與趨勢

2.1硅材料

從提高(gao)硅(gui)(gui)集(ji)成(cheng)電路成(cheng)品率，降低成(cheng)本看，增大(da)直(zhi)拉(la)硅(gui)(gui)（CZ－Si）單(dan)晶的(de)直(zhi)徑(jing)(jing)(jing)(jing)和減小微缺陷的(de)密度仍是今后CZ－Si發展的(de)總趨(qu)勢。目前(qian)直(zhi)徑(jing)(jing)(jing)(jing)為8英(ying)寸(cun)(cun)（200mm）的(de)Si單(dan)晶已(yi)實(shi)現大(da)規模工業生(sheng)(sheng)產，基于直(zhi)徑(jing)(jing)(jing)(jing)為12英(ying)寸(cun)(cun)（300mm）硅(gui)(gui)片的(de)集(ji)成(cheng)電路（IC’s）技術(shu)正(zheng)處(chu)在(zai)由實(shi)驗(yan)室(shi)向工業生(sheng)(sheng)產轉變中。目前(qian)300mm，0．18μm工藝的(de)硅(gui)(gui)ULSI生(sheng)(sheng)產線(xian)(xian)已(yi)經投入生(sheng)(sheng)產，300mm,0．13μm工藝生(sheng)(sheng)產線(xian)(xian)也將在(zai)2003年完成(cheng)評估。18英(ying)寸(cun)(cun)重達(da)414公斤的(de)硅(gui)(gui)單(dan)晶和18英(ying)寸(cun)(cun)的(de)硅(gui)(gui)園片已(yi)在(zai)實(shi)驗(yan)室(shi)研制成(cheng)功，直(zhi)徑(jing)(jing)(jing)(jing)27英(ying)寸(cun)(cun)硅(gui)(gui)單(dan)晶研制也正(zheng)在(zai)積(ji)極籌劃中。

從進一(yi)步(bu)提高硅(gui)(gui)IC’S的速度和(he)集成度看(kan)，研(yan)制(zhi)(zhi)適合(he)于硅(gui)(gui)深亞(ya)微米乃至納米工藝所需的大(da)直徑硅(gui)(gui)外延片(pian)會成為硅(gui)(gui)材(cai)料(liao)發(fa)展的主流。另外，SOI材(cai)料(liao)，包括智能剝離（Smartcut）和(he)SIMOX材(cai)料(liao)等也發(fa)展很快。目(mu)前，直徑8英寸的硅(gui)(gui)外延片(pian)和(he)SOI材(cai)料(liao)已(yi)研(yan)制(zhi)(zhi)成功，更大(da)尺寸的片(pian)材(cai)也在開發(fa)中。

理(li)(li)論分析指出30nm左右(you)將(jiang)是硅(gui)MOS集(ji)成(cheng)電路(lu)線(xian)寬(kuan)的(de)(de)(de)“極限(xian)”尺(chi)寸(cun)。這不(bu)僅是指量(liang)(liang)子(zi)尺(chi)寸(cun)效應(ying)對現(xian)有器件特性影響所帶來(lai)的(de)(de)(de)物理(li)(li)限(xian)制和光刻技術的(de)(de)(de)限(xian)制問(wen)題，更重要的(de)(de)(de)是將(jiang)受硅(gui)、SiO2自身性質的(de)(de)(de)限(xian)制。盡管人(ren)們(men)正在(zai)積極尋(xun)找高(gao)K介電絕緣(yuan)材(cai)(cai)料(liao)(liao)（如用Si3N4等(deng)來(lai)替代(dai)SiO2），低(di)K介電互(hu)連材(cai)(cai)料(liao)(liao)，用Cu代(dai)替Al引線(xian)以及(ji)采用系統集(ji)成(cheng)芯片技術等(deng)來(lai)提高(gao)ULSI的(de)(de)(de)集(ji)成(cheng)度、運算(suan)速(su)度和功(gong)能，但硅(gui)將(jiang)最終難以滿足(zu)人(ren)類不(bu)斷的(de)(de)(de)對更大信(xin)息(xi)量(liang)(liang)需求。為(wei)此，人(ren)們(men)除(chu)尋(xun)求基(ji)于全新原理(li)(li)的(de)(de)(de)量(liang)(liang)子(zi)計算(suan)和DNA生(sheng)物計算(suan)等(deng)之外，還把目(mu)光放在(zai)以GaAs、InP為(wei)基(ji)的(de)(de)(de)化合物半導體(ti)材(cai)(cai)料(liao)(liao)，特別是二(er)維超晶格、量(liang)(liang)子(zi)阱，一維量(liang)(liang)子(zi)線(xian)與(yu)零維量(liang)(liang)子(zi)點(dian)材(cai)(cai)料(liao)(liao)和可與(yu)硅(gui)平(ping)面工藝兼容(rong)GeSi合金材(cai)(cai)料(liao)(liao)等(deng)，這也是目(mu)前半導體(ti)材(cai)(cai)料(liao)(liao)研發的(de)(de)(de)重點(dian)。

2.2GaAs和InP單晶材料

GaAs和InP與(yu)硅不同，它(ta)們都(dou)是(shi)直接帶(dai)隙材料，具有電(dian)子飽(bao)和漂移速度高，耐(nai)高溫，抗輻(fu)照等特(te)點；在超高速、超高頻、低(di)功(gong)耗、低(di)噪音器件(jian)(jian)和電(dian)路，特(te)別在光電(dian)子器件(jian)(jian)和光電(dian)集成方(fang)面(mian)占(zhan)有獨特(te)的優勢。

目前，世界(jie)GaAs單(dan)晶(jing)的(de)總年產(chan)量已超過200噸(dun)，其中以低位錯密度的(de)垂直梯度凝固法(fa)(fa)（VGF）和水平(ping)（HB）方法(fa)(fa)生長的(de)2－3英(ying)寸(cun)的(de)導電(dian)GaAs襯(chen)底材料為(wei)主；近年來，為(wei)滿(man)足高(gao)(gao)速移動通(tong)信的(de)迫切(qie)需求，大直徑(jing)（4,6和8英(ying)寸(cun)）的(de)SI－GaAs發展很快。美國莫托羅拉(la)公(gong)司正(zheng)在(zai)籌建6英(ying)寸(cun)的(de)SI－GaAs集(ji)成電(dian)路生產(chan)線。InP具(ju)有比GaAs更(geng)優越的(de)高(gao)(gao)頻性能，發展的(de)速度更(geng)快，但研制直徑(jing)3英(ying)寸(cun)以上大直徑(jing)的(de)InP單(dan)晶(jing)的(de)關鍵技術尚未完全突(tu)破，價格居高(gao)(gao)不下(xia)。

GaAs和InP單(dan)(dan)晶的(de)發展趨勢是：（1）．增(zeng)大(da)晶體(ti)直徑(jing)，目前4英寸的(de)SI－GaAs已用于生產(chan)，預計本世(shi)紀初的(de)頭幾年直徑(jing)為(wei)6英寸的(de)SI－GaAs也(ye)將投入工業應用。(2)．提高材料的(de)電學(xue)和光學(xue)微區均勻性。（3）．降低單(dan)(dan)晶的(de)缺陷密度，特別是位(wei)錯。（4）．GaAs和InP單(dan)(dan)晶的(de)VGF生長(chang)技(ji)術(shu)(shu)發展很(hen)快，很(hen)有可能成為(wei)主流(liu)技(ji)術(shu)(shu)。

2.3半導體超晶格(ge)、量子阱材料

半導體(ti)超薄層(ceng)微(wei)(wei)結(jie)構材(cai)(cai)料是基于先進生長技術（MBE，MOCVD）的(de)新(xin)(xin)一代人工構造材(cai)(cai)料。它以(yi)全新(xin)(xin)的(de)概念改變著(zhu)光電(dian)子和(he)微(wei)(wei)電(dian)子器件的(de)設計思想，出(chu)現了“電(dian)學和(he)光學特(te)性可剪裁(cai)”為特(te)征的(de)新(xin)(xin)范疇，是新(xin)(xin)一代固態量子器件的(de)基礎材(cai)(cai)料。

(1)Ⅲ－V族超(chao)(chao)晶(jing)(jing)格、量(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)阱材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)。GaAIAs／GaAs，GaInAs／GaAs，AIGaInP／GaAs；GalnAs／InP，AlInAs／InP，InGaAsP／InP等(deng)GaAs、InP基晶(jing)(jing)格匹(pi)配和(he)應變(bian)補(bu)償(chang)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)體系已(yi)發(fa)(fa)展得相(xiang)當(dang)成(cheng)(cheng)熟(shu)，已(yi)成(cheng)(cheng)功地用來制(zhi)(zhi)造超(chao)(chao)高(gao)(gao)(gao)(gao)速，超(chao)(chao)高(gao)(gao)(gao)(gao)頻(pin)微電(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)器(qi)(qi)件和(he)單片(pian)(pian)集成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路。高(gao)(gao)(gao)(gao)電(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)遷移(yi)(yi)率(lv)(lv)(lv)(lv)晶(jing)(jing)體管(HEMT），贗配高(gao)(gao)(gao)(gao)電(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)遷移(yi)(yi)率(lv)(lv)(lv)(lv)晶(jing)(jing)體管（P－HEMT）器(qi)(qi)件最(zui)好(hao)水平(ping)已(yi)達fmax=600GHz，輸出(chu)功率(lv)(lv)(lv)(lv)58mW,功率(lv)(lv)(lv)(lv)增益6.4db;雙(shuang)異質結雙(shuang)極晶(jing)(jing)體管（HBT）的最(zui)高(gao)(gao)(gao)(gao)頻(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)fmax也已(yi)高(gao)(gao)(gao)(gao)達500GHz,HEMT邏(luo)輯(ji)電(dian)(dian)路研制(zhi)(zhi)也發(fa)(fa)展很快。基于(yu)上述材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)體系的光(guang)(guang)通(tong)(tong)信(xin)用1．3μm和(he)1.5μm的量(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)阱激光(guang)(guang)器(qi)(qi)和(he)探測器(qi)(qi)，紅(hong)、黃、橙光(guang)(guang)發(fa)(fa)光(guang)(guang)二(er)極管和(he)紅(hong)光(guang)(guang)激光(guang)(guang)器(qi)(qi)以及大(da)功率(lv)(lv)(lv)(lv)半導體量(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)阱激光(guang)(guang)器(qi)(qi)已(yi)商品化；表面(mian)光(guang)(guang)發(fa)(fa)射器(qi)(qi)件和(he)光(guang)(guang)雙(shuang)穩(wen)器(qi)(qi)件等(deng)也已(yi)達到或接近達到實用化水平(ping)。目前(qian)，研制(zhi)(zhi)高(gao)(gao)(gao)(gao)質量(liang)的1．5μm分(fen)布反饋(kui)（DFB）激光(guang)(guang)器(qi)(qi)和(he)電(dian)(dian)吸收（EA）調制(zhi)(zhi)器(qi)(qi)單片(pian)(pian)集成(cheng)(cheng)InP基多量(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)阱材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)和(he)超(chao)(chao)高(gao)(gao)(gao)(gao)速驅(qu)動電(dian)(dian)路所需(xu)的低維結構材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)是(shi)解決(jue)光(guang)(guang)纖(xian)通(tong)(tong)信(xin)瓶頸(jing)問題的關(guan)鍵，在實驗室西門子(zi)(zi)(zi)(zi)公司已(yi)完(wan)成(cheng)(cheng)了(le)80×40Gbps傳輸40km的實驗。另外，用于(yu)制(zhi)(zhi)造準連續兆瓦級(ji)大(da)功率(lv)(lv)(lv)(lv)激光(guang)(guang)陣列的高(gao)(gao)(gao)(gao)質量(liang)量(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)阱材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)也受到人們的重視。

雖然(ran)常規量(liang)子(zi)(zi)阱(jing)結(jie)構端(duan)面發射(she)激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)是(shi)目前光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)子(zi)(zi)領(ling)域(yu)占統治地位的(de)(de)有源(yuan)(yuan)器(qi)件，但(dan)由于(yu)其有源(yuan)(yuan)區極(ji)(ji)薄(～0．01μm）端(duan)面光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)災變損傷，大電(dian)(dian)流電(dian)(dian)熱(re)燒(shao)毀和(he)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)束質(zhi)量(liang)差一(yi)直是(shi)此類激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)的(de)(de)性能改(gai)善和(he)功(gong)(gong)率(lv)提高(gao)的(de)(de)難題。采用多有源(yuan)(yuan)區量(liang)子(zi)(zi)級(ji)聯耦(ou)合(he)是(shi)解決此難題的(de)(de)有效途徑之一(yi)。我國早在(zai)1999年，就(jiu)研制成功(gong)(gong)980nmInGaAs帶間(jian)量(liang)子(zi)(zi)級(ji)聯激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)，輸(shu)出(chu)功(gong)(gong)率(lv)達5W以上；2000年初，法國湯姆遜公司又報道了單個激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)準連續輸(shu)出(chu)功(gong)(gong)率(lv)超過10瓦好結(jie)果。最(zui)近，我國的(de)(de)科研工(gong)作(zuo)者又提出(chu)并開(kai)展了多有源(yuan)(yuan)區縱向(xiang)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)耦(ou)合(he)垂直腔面發射(she)激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)研究，這是(shi)一(yi)種具有高(gao)增益、極(ji)(ji)低閾值、高(gao)功(gong)(gong)率(lv)和(he)高(gao)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)束質(zhi)量(liang)的(de)(de)新型激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)，在(zai)未來光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)通(tong)信、光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)互聯與光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)信息(xi)處理(li)方面有著良好的(de)(de)應用前景。

為克服PN結半導體激(ji)光(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)的(de)(de)能(neng)隙(xi)(xi)對激(ji)光(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)波(bo)長范圍(wei)的(de)(de)限制(zhi)，1994年(nian)(nian)(nian)美國(guo)(guo)貝(bei)爾實驗室發明(ming)了(le)(le)基(ji)于量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)阱內子(zi)(zi)帶(dai)躍遷和(he)(he)阱間(jian)(jian)共(gong)振隧穿的(de)(de)量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)級(ji)(ji)聯激(ji)光(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)，突破了(le)(le)半導體能(neng)隙(xi)(xi)對波(bo)長的(de)(de)限制(zhi)。自從1994年(nian)(nian)(nian)InGaAs／InAIAs／InP量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)級(ji)(ji)聯激(ji)光(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)（QCLs）發明(ming)以來(lai)，Bell實驗室等的(de)(de)科(ke)(ke)(ke)學家(jia)，在(zai)過去的(de)(de)7年(nian)(nian)(nian)多的(de)(de)時間(jian)(jian)里(li)，QCLs在(zai)向(xiang)大(da)功(gong)率、高(gao)溫和(he)(he)單膜工作等研(yan)究方(fang)(fang)面取得了(le)(le)顯著的(de)(de)進(jin)展。2001年(nian)(nian)(nian)瑞士Neuchatel大(da)學的(de)(de)科(ke)(ke)(ke)學家(jia)采用雙聲子(zi)(zi)共(gong)振和(he)(he)三量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)阱有(you)源區結構使(shi)波(bo)長為9．1μm的(de)(de)QCLs的(de)(de)工作溫度高(gao)達312K，連(lian)續輸出功(gong)率3mW。量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)級(ji)(ji)聯激(ji)光(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)的(de)(de)工作波(bo)長已覆蓋近紅外(wai)到遠紅外(wai)波(bo)段(duan)（3－87μm），并在(zai)光(guang)通信、超高(gao)分(fen)辨光(guang)譜、超高(gao)靈敏氣體傳感(gan)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)、高(gao)速調制(zhi)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)和(he)(he)無線光(guang)學連(lian)接等方(fang)(fang)面顯示(shi)出重要的(de)(de)應用前景。中科(ke)(ke)(ke)院(yuan)上海(hai)微(wei)系統和(he)(he)信息(xi)技術研(yan)究所(suo)于1999年(nian)(nian)(nian)研(yan)制(zhi)成功(gong)120K5μm和(he)(he)250K8μm的(de)(de)量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)級(ji)(ji)聯激(ji)光(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)；中科(ke)(ke)(ke)院(yuan)半導體研(yan)究所(suo)于2000年(nian)(nian)(nian)又(you)研(yan)制(zhi)成功(gong)3．7μm室溫準連(lian)續應變(bian)補償量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)級(ji)(ji)聯激(ji)光(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)，使(shi)我國(guo)(guo)成為能(neng)研(yan)制(zhi)這類高(gao)質量(liang)(liang)(liang)激(ji)光(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)材(cai)料為數不多的(de)(de)幾個國(guo)(guo)家(jia)之一。

目前，Ⅲ－V族(zu)超(chao)(chao)晶格、量(liang)子(zi)阱材料作(zuo)為(wei)超(chao)(chao)薄層微(wei)結構(gou)材料發(fa)展(zhan)(zhan)的(de)(de)(de)主流方向(xiang)，正從直徑3英(ying)寸(cun)向(xiang)4英(ying)寸(cun)過渡；生(sheng)產型(xing)的(de)(de)(de)MBE和M0CVD設(she)備已研制(zhi)成功并投入使用，每臺年生(sheng)產能力可高達3．75×104片4英(ying)寸(cun)或1．5×104片6英(ying)寸(cun)。英(ying)國(guo)(guo)卡迪(di)夫的(de)(de)(de)MOCVD中心，法國(guo)(guo)的(de)(de)(de)PicogigaMBE基(ji)地，美(mei)國(guo)(guo)的(de)(de)(de)QED公司，Motorola公司，日本的(de)(de)(de)富士通，NTT，索尼等都(dou)有這種外延(yan)材料出售。生(sheng)產型(xing)MBE和MOCVD設(she)備的(de)(de)(de)成熟與應用，必(bi)然促進襯底材料設(she)備和材料評價技術的(de)(de)(de)發(fa)展(zhan)(zhan)。

(2)硅(gui)基(ji)(ji)應(ying)變(bian)異質(zhi)結構(gou)材料(liao)。硅(gui)基(ji)(ji)光(guang)(guang)、電器件集(ji)成一直(zhi)是(shi)人(ren)(ren)們(men)所(suo)追求的(de)目(mu)標。但由于硅(gui)是(shi)間接帶隙，如何提高硅(gui)基(ji)(ji)材料(liao)發光(guang)(guang)效(xiao)率就成為一個(ge)亟待解(jie)決的(de)問題。雖經多年研(yan)究，但進展緩慢。人(ren)(ren)們(men)目(mu)前正致力于探索(suo)硅(gui)基(ji)(ji)納米(mi)材料(liao)（納米(mi)Si／SiO2），硅(gui)基(ji)(ji)SiGeC體(ti)系的(de)Si1－yCy/Si1－xGex低(di)維結構(gou)，Ge／Si量(liang)(liang)(liang)子(zi)點和量(liang)(liang)(liang)子(zi)點超晶格材料(liao)，Si／SiC量(liang)(liang)(liang)子(zi)點材料(liao)，GaN／BP／Si以及GaN／Si材料(liao)。最近，在GaN／Si上成功(gong)地研(yan)制出LED發光(guang)(guang)器件和有關納米(mi)硅(gui)的(de)受(shou)激放大現(xian)象的(de)報道，使人(ren)(ren)們(men)看到了一線希望。

另一(yi)方面(mian)，GeSi／Si應變層超晶(jing)格材料(liao)，因其(qi)在新一(yi)代移動通信(xin)上的(de)重要應用(yong)前景，而成為目前硅基材料(liao)研究的(de)主(zhu)流。Si/GeSiMODFET和(he)MOSFET的(de)最高截止頻(pin)率(lv)已達200GHz，HBT最高振蕩頻(pin)率(lv)為160GHz，噪音在10GHz下(xia)為0．9db，其(qi)性能可與GaAs器件(jian)相(xiang)媲(pi)美。

盡管GaAs／Si和(he)InP／Si是實現(xian)光電子集(ji)成理想的材料體系，但(dan)由于晶格失配和(he)熱膨脹系數等不同造成的高密度失配位錯而(er)導(dao)致器件性能退化和(he)失效，防礙著它(ta)的使用化。最近，Motolora等公司(si)宣稱(cheng)，他們在12英寸的硅襯底上，用鈦(tai)酸鍶作協(xie)變層（柔(rou)性層），成功的生(sheng)長(chang)了器件級的GaAs外延薄膜，取得了突破性的進展。

2.4一(yi)維量(liang)子線(xian)、零維量(liang)子點半導體(ti)微(wei)結構材料

基于量(liang)子(zi)尺寸效應、量(liang)子(zi)干涉效應，量(liang)子(zi)隧穿效應和庫侖(lun)阻效應以及(ji)非線性光學(xue)效應等(deng)的(de)低維(wei)半(ban)導(dao)體材(cai)料(liao)(liao)是一種人(ren)工(gong)構造(zao)（通過能(neng)帶工(gong)程實施）的(de)新型半(ban)導(dao)體材(cai)料(liao)(liao)，是新一代微電(dian)子(zi)、光電(dian)子(zi)器件和電(dian)路的(de)基礎。它的(de)發展與(yu)應用，極有(you)可能(neng)觸發新的(de)技術(shu)革命。

目前低(di)維半(ban)導(dao)(dao)體(ti)材料生(sheng)長與(yu)制備主要集中在幾個(ge)比較成熟的(de)(de)(de)材料體(ti)系上(shang)，如(ru)GaAlAs／GaAs，In（Ga）As／GaAs，InGaAs／InAlAs／GaAs，InGaAs／InP，In（Ga）As／InAlAs／InP,InGaAsP／InAlAs／InP以及(ji)GeSi／Si等(deng)，并在納(na)米微(wei)電子和光(guang)(guang)電子研制方面取得了(le)(le)(le)重大進展。俄(e)羅斯約飛(fei)技術物理所MBE小(xiao)組(zu)(zu)(zu)，柏林的(de)(de)(de)俄(e)德聯(lian)合研制小(xiao)組(zu)(zu)(zu)和中科院半(ban)導(dao)(dao)體(ti)所半(ban)導(dao)(dao)體(ti)材料科學重點實驗室的(de)(de)(de)MBE小(xiao)組(zu)(zu)(zu)等(deng)研制成功(gong)的(de)(de)(de)In（Ga）As／GaAs高(gao)功(gong)率(lv)量(liang)子點激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)，工作(zuo)波長lμm左右，單管室溫連續(xu)輸(shu)出功(gong)率(lv)高(gao)達3．6～4W。特別應(ying)當指出的(de)(de)(de)是(shi)我國上(shang)述的(de)(de)(de)MBE小(xiao)組(zu)(zu)(zu)，2001年通過(guo)在高(gao)功(gong)率(lv)量(liang)子點激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)的(de)(de)(de)有源區材料結(jie)構中引(yin)入應(ying)力緩解層(ceng)，抑(yi)制了(le)(le)(le)缺陷和位錯的(de)(de)(de)產生(sheng)，提(ti)高(gao)了(le)(le)(le)量(liang)子點激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)的(de)(de)(de)工作(zuo)壽命，室溫下連續(xu)輸(shu)出功(gong)率(lv)為1W時工作(zuo)壽命超過(guo)5000小(xiao)時，這是(shi)大功(gong)率(lv)激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)(qi)的(de)(de)(de)一個(ge)關鍵參數，至(zhi)今未見國外報道。

在(zai)(zai)單(dan)電(dian)子(zi)(zi)晶(jing)體(ti)管和單(dan)電(dian)子(zi)(zi)存(cun)貯器(qi)及其(qi)電(dian)路的(de)(de)研(yan)(yan)制(zhi)方面也(ye)獲得了重(zhong)大(da)進展，1994年(nian)日本NTT就研(yan)(yan)制(zhi)成功(gong)溝道(dao)長度為30nm納米(mi)單(dan)電(dian)子(zi)(zi)晶(jing)體(ti)管，并在(zai)(zai)150K觀(guan)察到柵控源－漏電(dian)流振(zhen)蕩；1997年(nian)美(mei)國又報道(dao)了可在(zai)(zai)室溫(wen)工作的(de)(de)單(dan)電(dian)子(zi)(zi)開關器(qi)件，1998年(nian)Yauo等人采用0．25微米(mi)工藝(yi)技術(shu)實現(xian)了128Mb的(de)(de)單(dan)電(dian)子(zi)(zi)存(cun)貯器(qi)原型樣機的(de)(de)制(zhi)造，這(zhe)是在(zai)(zai)單(dan)電(dian)子(zi)(zi)器(qi)件在(zai)(zai)高密度存(cun)貯電(dian)路的(de)(de)應(ying)用方面邁出的(de)(de)關鍵(jian)一(yi)步。目前，基(ji)于量(liang)(liang)子(zi)(zi)點(dian)的(de)(de)自適應(ying)網絡計算(suan)機，單(dan)光子(zi)(zi)源和應(ying)用于量(liang)(liang)子(zi)(zi)計算(suan)的(de)(de)量(liang)(liang)子(zi)(zi)比特的(de)(de)構建等方面的(de)(de)研(yan)(yan)究也(ye)正在(zai)(zai)進行中。

與半(ban)(ban)導(dao)體(ti)超晶(jing)格和(he)量(liang)子(zi)點(dian)結構的(de)(de)(de)生(sheng)長制(zhi)備(bei)相(xiang)比，高(gao)度有(you)序的(de)(de)(de)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)量(liang)子(zi)線(xian)的(de)(de)(de)制(zhi)備(bei)技術(shu)難度較大(da)。中科院(yuan)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)所半(ban)(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料科學(xue)重點(dian)實(shi)驗室的(de)(de)(de)MBE小組，在繼利用MBE技術(shu)和(he)SK生(sheng)長模(mo)式，成(cheng)功地制(zhi)備(bei)了(le)高(gao)空間(jian)有(you)序的(de)(de)(de)InAs／InAI（Ga）As／InP的(de)(de)(de)量(liang)子(zi)線(xian)和(he)量(liang)子(zi)線(xian)超晶(jing)格結構的(de)(de)(de)基礎上，對InAs／InAlAs量(liang)子(zi)線(xian)超晶(jing)格的(de)(de)(de)空間(jian)自對準（垂直(zhi)或斜對準）的(de)(de)(de)物理(li)起因和(he)生(sheng)長控制(zhi)進行了(le)研究，取得了(le)較大(da)進展。

王中林教(jiao)授領(ling)導(dao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)喬治(zhi)亞理工大學(xue)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)材(cai)料科學(xue)與工程(cheng)系和(he)(he)化(hua)學(xue)與生物(wu)化(hua)學(xue)系的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)研(yan)究小組，基于無催化(hua)劑、控(kong)制(zhi)生長條件的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)氧(yang)化(hua)物(wu)粉末的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)熱(re)蒸發技術(shu)，成(cheng)功地(di)合成(cheng)了諸如ZnO、SnO2、In2O3和(he)(he)Ga2O3等一(yi)系列半(ban)導(dao)體(ti)(ti)氧(yang)化(hua)物(wu)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)帶，它們(men)與具有圓(yuan)柱對(dui)稱截(jie)面的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)中空(kong)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)管或(huo)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)線(xian)不同，這些原(yuan)生的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)帶呈(cheng)現出高(gao)純(chun)、結(jie)構(gou)均勻和(he)(he)單晶(jing)體(ti)(ti)，幾乎無缺(que)陷和(he)(he)位錯(cuo)；納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)線(xian)呈(cheng)矩形截(jie)面，典型的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)寬度為20－300nm，寬厚比為5－10，長度可達(da)數(shu)毫米(mi)(mi)(mi)。這種半(ban)導(dao)體(ti)(ti)氧(yang)化(hua)物(wu)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)帶是一(yi)個理想的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)材(cai)料體(ti)(ti)系，可以用來研(yan)究載流子維(wei)度受限的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)輸運現象和(he)(he)基于它的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)功能器件制(zhi)造。香港(gang)城市(shi)大學(xue)李(li)述湯教(jiao)授和(he)(he)瑞典隆德大學(xue)固體(ti)(ti)物(wu)理系納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)中心的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)LarsSamuelson教(jiao)授領(ling)導(dao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)小組，分別在SiO2／Si和(he)(he)InAs／InP半(ban)導(dao)體(ti)(ti)量(liang)子線(xian)超晶(jing)格結(jie)構(gou)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)生長制(zhi)各方面也(ye)取得了重要進展。

低維半(ban)導體(ti)結(jie)(jie)構(gou)制備(bei)的(de)方(fang)法(fa)很多，主(zhu)要有：微結(jie)(jie)構(gou)材(cai)料生(sheng)長(chang)(chang)和(he)(he)精細加(jia)工(gong)工(gong)藝相結(jie)(jie)合的(de)方(fang)法(fa)，應變(bian)自組裝量(liang)(liang)子線、量(liang)(liang)子點材(cai)料生(sheng)長(chang)(chang)技(ji)術，圖(tu)形化襯底(di)和(he)(he)不(bu)同取向(xiang)晶面選(xuan)擇生(sheng)長(chang)(chang)技(ji)術，單原(yuan)子操(cao)縱和(he)(he)加(jia)工(gong)技(ji)術，納米結(jie)(jie)構(gou)的(de)輻照制備(bei)技(ji)術，及其在沸石的(de)籠(long)子中(zhong)、納米碳管和(he)(he)溶液中(zhong)等通過物(wu)理或化學方(fang)法(fa)制備(bei)量(liang)(liang)子點和(he)(he)量(liang)(liang)子線的(de)技(ji)術等。目前(qian)發展的(de)主(zhu)要趨勢是尋找原(yuan)子級(ji)無(wu)(wu)損傷加(jia)工(gong)方(fang)法(fa)和(he)(he)納米結(jie)(jie)構(gou)的(de)應變(bian)自組裝可(ke)控(kong)生(sheng)長(chang)(chang)技(ji)術，以求(qiu)獲得大小、形狀(zhuang)均勻、密度可(ke)控(kong)的(de)無(wu)(wu)缺陷(xian)納米結(jie)(jie)構(gou)。

2.5寬帶隙半(ban)導體材(cai)料(liao)

寬帶(dai)隙半(ban)導(dao)體材(cai)主要指的(de)是(shi)金剛(gang)石，III族氮(dan)化(hua)物，碳化(hua)硅，立(li)方(fang)(fang)(fang)氮(dan)化(hua)硼以及(ji)(ji)氧(yang)化(hua)物（ZnO等(deng)）及(ji)(ji)固溶(rong)體等(deng)，特(te)別(bie)是(shi)SiC、GaN和(he)(he)金剛(gang)石薄膜等(deng)材(cai)料(liao)(liao)(liao)，因具有(you)(you)(you)高(gao)(gao)熱導(dao)率(lv)(lv)、高(gao)(gao)電(dian)子(zi)飽和(he)(he)漂移速度和(he)(he)大臨界擊穿電(dian)壓(ya)等(deng)特(te)點，成為(wei)研制高(gao)(gao)頻大功(gong)率(lv)(lv)、耐高(gao)(gao)溫、抗輻照半(ban)導(dao)體微(wei)電(dian)子(zi)器(qi)件和(he)(he)電(dian)路的(de)理想材(cai)料(liao)(liao)(liao)；在(zai)通信(xin)、汽車、航(hang)空、航(hang)天、石油開采(cai)以及(ji)(ji)國防等(deng)方(fang)(fang)(fang)面(mian)(mian)(mian)有(you)(you)(you)著廣泛(fan)的(de)應(ying)(ying)用(yong)前(qian)(qian)景。另(ling)(ling)外(wai)，III族氮(dan)化(hua)物也(ye)是(shi)很好的(de)光(guang)(guang)(guang)電(dian)子(zi)材(cai)料(liao)(liao)(liao)，在(zai)藍(lan)、綠(lv)光(guang)(guang)(guang)發光(guang)(guang)(guang)二極(ji)管(guan)（LED)和(he)(he)紫、藍(lan)、綠(lv)光(guang)(guang)(guang)激光(guang)(guang)(guang)器(qi)（LD）以及(ji)(ji)紫外(wai)探測(ce)器(qi)等(deng)應(ying)(ying)用(yong)方(fang)(fang)(fang)面(mian)(mian)(mian)也(ye)顯(xian)示(shi)(shi)了(le)廣泛(fan)的(de)應(ying)(ying)用(yong)前(qian)(qian)景。隨著1993年(nian)GaN材(cai)料(liao)(liao)(liao)的(de)P型(xing)摻(chan)雜突破，GaN基(ji)(ji)材(cai)料(liao)(liao)(liao)成為(wei)藍(lan)綠(lv)光(guang)(guang)(guang)發光(guang)(guang)(guang)材(cai)料(liao)(liao)(liao)的(de)研究熱點。目前(qian)(qian)，GaN基(ji)(ji)藍(lan)綠(lv)光(guang)(guang)(guang)發光(guang)(guang)(guang)二極(ji)管(guan)己商品(pin)化(hua)，GaN基(ji)(ji)LD也(ye)有(you)(you)(you)商品(pin)出(chu)(chu)售(shou)，最大輸出(chu)(chu)功(gong)率(lv)(lv)為(wei)0．5W。在(zai)微(wei)電(dian)子(zi)器(qi)件研制方(fang)(fang)(fang)面(mian)(mian)(mian)，GaN基(ji)(ji)FET的(de)最高(gao)(gao)工(gong)作頻率(lv)(lv)（fmax）已(yi)達140GHz，fT=67GHz，跨導(dao)為(wei)260ms／mm；HEMT器(qi)件也(ye)相(xiang)繼(ji)問世，發展很快。此外(wai)，256×256GaN基(ji)(ji)紫外(wai)光(guang)(guang)(guang)電(dian)焦平(ping)面(mian)(mian)(mian)陣(zhen)列探測(ce)器(qi)也(ye)已(yi)研制成功(gong)。特(te)別(bie)值得提出(chu)(chu)的(de)是(shi)，日本(ben)Sumitomo電(dian)子(zi)工(gong)業有(you)(you)(you)限公(gong)司2000年(nian)宣稱，他們采(cai)用(yong)熱力(li)(li)學方(fang)(fang)(fang)法已(yi)研制成功(gong)2英寸GaN單(dan)晶材(cai)料(liao)(liao)(liao)，這將有(you)(you)(you)力(li)(li)的(de)推動藍(lan)光(guang)(guang)(guang)激光(guang)(guang)(guang)器(qi)和(he)(he)GaN基(ji)(ji)電(dian)子(zi)器(qi)件的(de)發展。另(ling)(ling)外(wai)，近年(nian)來具有(you)(you)(you)反常(chang)帶(dai)隙彎曲的(de)窄禁帶(dai)InAsN，InGaAsN,GaNP和(he)(he)GaNAsP材(cai)料(liao)(liao)(liao)的(de)研制也(ye)受到了(le)重視(shi)，這是(shi)因為(wei)它們在(zai)長波長光(guang)(guang)(guang)通信(xin)用(yong)高(gao)(gao)T0光(guang)(guang)(guang)源和(he)(he)太陽能(neng)電(dian)池(chi)等(deng)方(fang)(fang)(fang)面(mian)(mian)(mian)顯(xian)示(shi)(shi)了(le)重要應(ying)(ying)用(yong)前(qian)(qian)景。

以Cree公司為代表(biao)的(de)體SiC單晶的(de)研制已取得突破性進展，2英寸的(de)4H和6HSiC單晶與外延(yan)片(pian)，以及(ji)3英寸的(de)4HSiC單晶己(ji)有商品出售；以SiC為GaN基(ji)(ji)材(cai)料襯低(di)的(de)藍綠(lv)光(guang)LED業已上市，并參于(yu)與以藍寶石為襯低(di)的(de)GaN基(ji)(ji)發光(guang)器件(jian)的(de)竟爭。其他SiC相關高溫器件(jian)的(de)研制也取得了(le)長足(zu)的(de)進步。目前存在的(de)主要(yao)問題是材(cai)料中的(de)缺陷密度高，且價格昂貴。

II－VI族蘭(lan)綠(lv)光(guang)(guang)材(cai)料研(yan)制(zhi)在徘徊了(le)近(jin)30年后，于1990年美國(guo)3M公司(si)成功地(di)解(jie)(jie)決(jue)了(le)II－VI族的(de)(de)P型摻雜難點而得到迅速(su)發(fa)展(zhan)。1991年3M公司(si)利用(yong)MBE技術(shu)率先宣布了(le)電注入（Zn，Cd）Se／ZnSe蘭(lan)光(guang)(guang)激(ji)光(guang)(guang)器在77K（495nm）脈沖輸出功率100mW的(de)(de)消息，開始(shi)了(le)II－VI族蘭(lan)綠(lv)光(guang)(guang)半導(dao)體激(ji)光(guang)(guang)（材(cai)料）器件研(yan)制(zhi)的(de)(de)。經過(guo)多(duo)年的(de)(de)努力，目(mu)前(qian)ZnSe基(ji)II－VI族蘭(lan)綠(lv)光(guang)(guang)激(ji)光(guang)(guang)器的(de)(de)壽命雖已超過(guo)1000小時，但離使用(yong)差距尚大，加之GaN基(ji)材(cai)料的(de)(de)迅速(su)發(fa)展(zhan)和(he)應用(yong)，使II－VI族蘭(lan)綠(lv)光(guang)(guang)材(cai)料研(yan)制(zhi)步伐有所變緩(huan)。提高有源區材(cai)料的(de)(de)完整性，特(te)別(bie)是要降低由非化學(xue)配比導(dao)致的(de)(de)點缺陷密度和(he)進一步降低失配位錯和(he)解(jie)(jie)決(jue)歐姆(mu)接(jie)觸等問(wen)題，仍(reng)是該材(cai)料體系(xi)走向實用(yong)化前(qian)必須要解(jie)(jie)決(jue)的(de)(de)問(wen)題。

寬帶隙(xi)半導體(ti)異(yi)質結構材(cai)(cai)料往往也(ye)是典型的(de)(de)大(da)(da)失(shi)(shi)配異(yi)質結構材(cai)(cai)料，所謂大(da)(da)失(shi)(shi)配異(yi)質結構材(cai)(cai)料是指晶(jing)(jing)格常數、熱膨脹系(xi)數或晶(jing)(jing)體(ti)的(de)(de)對(dui)稱性等物(wu)理參數有較大(da)(da)差異(yi)的(de)(de)材(cai)(cai)料體(ti)系(xi)，如GaN／藍寶石（Sapphire），SiC／Si和GaN／Si等。大(da)(da)晶(jing)(jing)格失(shi)(shi)配引發界(jie)面(mian)處大(da)(da)量位(wei)錯和缺陷的(de)(de)產生，極大(da)(da)地影(ying)響(xiang)著微結構材(cai)(cai)料的(de)(de)光(guang)電性能(neng)及其器件應(ying)用(yong)。如何避(bi)免(mian)和消除這(zhe)(zhe)一(yi)負面(mian)影(ying)響(xiang)，是目(mu)前材(cai)(cai)料制備(bei)中的(de)(de)一(yi)個(ge)迫切要解決的(de)(de)關(guan)鍵科學問題(ti)。這(zhe)(zhe)個(ge)問題(ti)的(de)(de)解泱，必將大(da)(da)大(da)(da)地拓寬材(cai)(cai)料的(de)(de)可選擇(ze)余(yu)地，開辟新的(de)(de)應(ying)用(yong)領域。

目(mu)前，除SiC單晶(jing)襯低材(cai)(cai)(cai)料(liao)，GaN基藍光LED材(cai)(cai)(cai)料(liao)和(he)器件已(yi)有商品出售外(wai)(wai)，大(da)多數高溫(wen)半導體材(cai)(cai)(cai)料(liao)仍處在實驗室研制階段，不少(shao)影(ying)響這(zhe)類材(cai)(cai)(cai)料(liao)發展(zhan)的關(guan)鍵問題,如GaN襯底，ZnO單晶(jing)簿膜(mo)(mo)制備(bei)，P型摻雜(za)和(he)歐(ou)姆電極接觸，單晶(jing)金剛石薄(bo)膜(mo)(mo)生長與N型摻雜(za)，II－VI族材(cai)(cai)(cai)料(liao)的退化機理等仍是制約這(zhe)些材(cai)(cai)(cai)料(liao)實用(yong)化的關(guan)鍵問題，國內外(wai)(wai)雖已(yi)做了大(da)量的研究，至今尚未取得重大(da)突(tu)破。

3光子晶體

光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)晶(jing)體(ti)(ti)是(shi)一(yi)(yi)種人工微(wei)結構材(cai)料，介電常(chang)數(shu)周期(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)被調制(zhi)(zhi)在(zai)與(yu)工作(zuo)波(bo)長相比(bi)擬的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)尺度，來自(zi)結構單(dan)元的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)散(san)射(she)波(bo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)多(duo)重干(gan)涉(she)形(xing)成(cheng)一(yi)(yi)個光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)帶(dai)隙(xi)，與(yu)半導(dao)體(ti)(ti)材(cai)料的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)電子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)能(neng)隙(xi)相似，并可(ke)用(yong)類似于固態(tai)晶(jing)體(ti)(ti)中的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)能(neng)帶(dai)論(lun)來描述(shu)三(san)維周期(qi)(qi)介電結構中光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)波(bo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)傳播(bo)，相應光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)晶(jing)體(ti)(ti)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)帶(dai)隙(xi)（禁帶(dai)）能(neng)量的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)波(bo)模(mo)式在(zai)其(qi)中的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)傳播(bo)是(shi)被禁止的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)。如果光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)晶(jing)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)周期(qi)(qi)性(xing)被破(po)壞，那么在(zai)禁帶(dai)中也會引入(ru)所(suo)謂的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)“施主(zhu)”和“受(shou)(shou)主(zhu)”模(mo)，光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)態(tai)密度隨光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)晶(jing)體(ti)(ti)維度降低(di)而(er)量子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)化(hua)。如三(san)維受(shou)(shou)限的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)“受(shou)(shou)主(zhu)”摻雜的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)晶(jing)體(ti)(ti)有希望制(zhi)(zhi)成(cheng)非常(chang)高(gao)Q值的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)單(dan)模(mo)微(wei)腔，從而(er)為(wei)研制(zhi)(zhi)高(gao)質量微(wei)腔激光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)器開(kai)辟(pi)新的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)途徑。光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)晶(jing)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)備方法(fa)主(zhu)要(yao)有：聚(ju)焦離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)束(shu)（FIB）結合脈(mo)沖(chong)(chong)激光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)蒸發(fa)方法(fa)，即先用(yong)脈(mo)沖(chong)(chong)激光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)蒸發(fa)制(zhi)(zhi)備如Ag/MnO多(duo)層(ceng)膜，再用(yong)FIB注入(ru)隔離(li)形(xing)成(cheng)一(yi)(yi)維或二維平面陣列光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)晶(jing)體(ti)(ti)；基于功(gong)能(neng)粒(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)（磁性(xing)納米(mi)顆粒(li)Fe2O3，發(fa)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)納米(mi)顆粒(li)CdS和介電納米(mi)顆粒(li)TiO2）和共軛高(gao)分(fen)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)自(zi)組裝方法(fa)，可(ke)形(xing)成(cheng)適(shi)用(yong)于可(ke)見光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)范圍的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)三(san)維納米(mi)顆粒(li)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)晶(jing)體(ti)(ti)；二維多(duo)空(kong)硅也可(ke)制(zhi)(zhi)作(zuo)成(cheng)一(yi)(yi)個理(li)想的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)3－5μm和1．5μm光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)帶(dai)隙(xi)材(cai)料等(deng)(deng)。目前，二維光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)晶(jing)體(ti)(ti)制(zhi)(zhi)造已取得很大進(jin)展(zhan)，但三(san)維光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)晶(jing)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)研究，仍是(shi)一(yi)(yi)個具有挑戰性(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)課題。最近，Campbell等(deng)(deng)人提出了全息光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)柵光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)刻的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)方法(fa)來制(zhi)(zhi)造三(san)維光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)晶(jing)體(ti)(ti)，取得了進(jin)展(zhan)。

4量子比(bi)特構建與材料(liao)

隨著微(wei)電子技術的發展，計(ji)算(suan)機芯片集成度(du)不斷增高，器(qi)(qi)件尺寸越來越小（nm尺度(du)）并最終將受到器(qi)(qi)件工(gong)作原(yuan)理和(he)工(gong)藝技術限制，而無法滿足人(ren)類對更大(da)信息量的需(xu)求。為此，發展基于全新原(yuan)理和(he)結構的功能強大(da)的計(ji)算(suan)機是(shi)21世紀人(ren)類面臨的巨大(da)挑戰之(zhi)一。1994年Shor基于量子態疊加性提(ti)出(chu)的量子并行(xing)算(suan)法并證明可輕而易舉(ju)地(di)破譯目前廣(guang)泛(fan)使用(yong)的公(gong)開密鑰(yao)Rivest，Shamir和(he)Adlman（RSA）體系，引起了人(ren)們(men)的廣(guang)泛(fan)重視。

所謂量子(zi)計(ji)(ji)算(suan)(suan)機(ji)是(shi)(shi)應(ying)用(yong)(yong)量子(zi)力學原理(li)進(jin)行(xing)計(ji)(ji)算(suan)(suan)的裝置，理(li)論上講它比(bi)傳統計(ji)(ji)算(suan)(suan)機(ji)有更(geng)快的運算(suan)(suan)速度(du)，更(geng)大(da)信(xin)息傳遞(di)量和更(geng)高信(xin)息安(an)全保障，有可能超越目(mu)前計(ji)(ji)算(suan)(suan)機(ji)理(li)想極(ji)限。實(shi)現量子(zi)比(bi)特構(gou)造(zao)和量子(zi)計(ji)(ji)算(suan)(suan)機(ji)的設想方案(an)很多，其中最(zui)引人注目(mu)的是(shi)(shi)Kane最(zui)近提出(chu)的一個實(shi)現大(da)規模量子(zi)計(ji)(ji)算(suan)(suan)的方案(an)。其核(he)(he)心是(shi)(shi)利用(yong)(yong)硅納米電(dian)子(zi)器件(jian)中磷施主核(he)(he)自旋(xuan)進(jin)行(xing)信(xin)息編碼，通過外加電(dian)場(chang)控制(zhi)核(he)(he)自旋(xuan)間相互作用(yong)(yong)實(shi)現其邏輯運算(suan)(suan)，自旋(xuan)測量是(shi)(shi)由自旋(xuan)極(ji)化電(dian)子(zi)電(dian)流(liu)來完成，計(ji)(ji)算(suan)(suan)機(ji)要(yao)工作在mK的低(di)溫下。

這(zhe)種量子(zi)(zi)計(ji)算(suan)機的(de)(de)(de)最終實現(xian)依賴于(yu)與硅(gui)平(ping)面工藝兼容(rong)的(de)(de)(de)硅(gui)納米電(dian)子(zi)(zi)技(ji)術(shu)的(de)(de)(de)發(fa)展。除(chu)此之外，為了避免雜(za)質(zhi)對磷核自(zi)(zi)旋的(de)(de)(de)干(gan)擾，必需使用高(gao)純（無雜(za)質(zhi)）和不存在核自(zi)(zi)旋不等于(yu)零的(de)(de)(de)硅(gui)同位素（29Si）的(de)(de)(de)硅(gui)單晶；減小SiO2絕(jue)緣層的(de)(de)(de)無序(xu)漲落以(yi)及如(ru)何在硅(gui)里摻入規則的(de)(de)(de)磷原子(zi)(zi)陣列等是(shi)實現(xian)量子(zi)(zi)計(ji)算(suan)的(de)(de)(de)關鍵。量子(zi)(zi)態(tai)在傳輸(shu)，處理和存儲過程中可能(neng)因環境的(de)(de)(de)耦合（干(gan)擾），而從量子(zi)(zi)疊加態(tai)演化成經典的(de)(de)(de)混(hun)合態(tai)，即所謂失去相(xiang)干(gan)，特(te)別是(shi)在大規模計(ji)算(suan)中能(neng)否始終保持(chi)量子(zi)(zi)態(tai)間的(de)(de)(de)相(xiang)干(gan)是(shi)量子(zi)(zi)計(ji)算(suan)機走向(xiang)實用化前所必需克服(fu)的(de)(de)(de)難題。

5發展我(wo)國半導體材料的(de)幾點(dian)建(jian)議

鑒于我國(guo)目(mu)前的工業(ye)基礎，國(guo)力和(he)半導體材料的發(fa)展(zhan)水平(ping)，提出以下發(fa)展(zhan)建議供參考。

5.1硅(gui)單(dan)晶和外延材(cai)料

硅(gui)(gui)材料作(zuo)為微電子技(ji)術(shu)的(de)主導地位至(zhi)少到(dao)(dao)本(ben)世(shi)紀中(zhong)葉都不(bu)(bu)會改變(bian)，至(zhi)今(jin)國(guo)(guo)(guo)內各(ge)大集成電路制造(zao)廠家(jia)(jia)所需的(de)硅(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)(pian)基本(ben)上是依賴進(jin)口。目前國(guo)(guo)(guo)內雖已(yi)可拉制8英(ying)(ying)寸(cun)(cun)的(de)硅(gui)(gui)單晶和小批(pi)量(liang)(liang)生(sheng)產(chan)(chan)(chan)(chan)6英(ying)(ying)寸(cun)(cun)的(de)硅(gui)(gui)外(wai)(wai)(wai)延(yan)(yan)片(pian)(pian)(pian)(pian)，然而都未形成穩定(ding)的(de)批(pi)量(liang)(liang)生(sheng)產(chan)(chan)(chan)(chan)能(neng)力(li)，更談不(bu)(bu)上規(gui)模生(sheng)產(chan)(chan)(chan)(chan)。建(jian)議國(guo)(guo)(guo)家(jia)(jia)集中(zhong)人力(li)和財(cai)力(li)，首(shou)先(xian)開(kai)展8英(ying)(ying)寸(cun)(cun)硅(gui)(gui)單晶實用(yong)化和6英(ying)(ying)寸(cun)(cun)硅(gui)(gui)外(wai)(wai)(wai)延(yan)(yan)片(pian)(pian)(pian)(pian)研究開(kai)發，在“十(shi)五”的(de)后期(qi)，爭取做到(dao)(dao)8英(ying)(ying)寸(cun)(cun)集成電路生(sheng)產(chan)(chan)(chan)(chan)線用(yong)硅(gui)(gui)單晶材料的(de)國(guo)(guo)(guo)產(chan)(chan)(chan)(chan)化，并有(you)6～8英(ying)(ying)寸(cun)(cun)硅(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)(pian)的(de)批(pi)量(liang)(liang)供片(pian)(pian)(pian)(pian)能(neng)力(li)。到(dao)(dao)2010年左(zuo)右，我(wo)國(guo)(guo)(guo)應(ying)有(you)8～12英(ying)(ying)寸(cun)(cun)硅(gui)(gui)單晶、片(pian)(pian)(pian)(pian)材和8英(ying)(ying)寸(cun)(cun)硅(gui)(gui)外(wai)(wai)(wai)延(yan)(yan)片(pian)(pian)(pian)(pian)的(de)規(gui)模生(sheng)產(chan)(chan)(chan)(chan)能(neng)力(li)；更大直徑(jing)的(de)硅(gui)(gui)單晶、片(pian)(pian)(pian)(pian)材和外(wai)(wai)(wai)延(yan)(yan)片(pian)(pian)(pian)(pian)也(ye)應(ying)及(ji)時布點研制。另外(wai)(wai)(wai)，硅(gui)(gui)多(duo)晶材料生(sheng)產(chan)(chan)(chan)(chan)基地及(ji)其相配(pei)套的(de)高純石英(ying)(ying)、氣體和化學(xue)試劑等(deng)也(ye)必需同(tong)時給以(yi)重(zhong)視，只有(you)這樣，才能(neng)逐步改觀我(wo)國(guo)(guo)(guo)微電子技(ji)術(shu)的(de)落后局面，進(jin)入世(shi)界發達(da)國(guo)(guo)(guo)家(jia)(jia)之林(lin)。

5.2GaAs及其有(you)關化(hua)合物半導體(ti)單晶

材料發展建議

GaAs、InP等單晶(jing)(jing)材料(liao)同(tong)國(guo)(guo)外(wai)的(de)(de)(de)(de)差距主要表現在拉晶(jing)(jing)和(he)晶(jing)(jing)片加(jia)工設備落(luo)后，沒有形成(cheng)生(sheng)產(chan)(chan)能力。相信在國(guo)(guo)家各(ge)(ge)部(bu)委(wei)的(de)(de)(de)(de)統一組織、領導下(xia)，并爭取(qu)企業介入，建立我(wo)國(guo)(guo)自己的(de)(de)(de)(de)研究、開(kai)發和(he)生(sheng)產(chan)(chan)聯合體，取(qu)各(ge)(ge)家之長(chang)，分工協作，到2010年(nian)趕上世界(jie)先進(jin)水(shui)平(ping)是可能的(de)(de)(de)(de)。要達到上述(shu)目的(de)(de)(de)(de)，到“十(shi)五(wu)”末應形成(cheng)以(yi)4英寸(cun)單晶(jing)(jing)為主2－3噸／年(nian)的(de)(de)(de)(de)SI－GaAs和(he)3－5噸／年(nian)摻(chan)雜GaAs、InP單晶(jing)(jing)和(he)開(kai)盒就用晶(jing)(jing)片的(de)(de)(de)(de)生(sheng)產(chan)(chan)能力，以(yi)滿足我(wo)國(guo)(guo)不斷發展的(de)(de)(de)(de)微電子(zi)和(he)光(guang)電子(zi)工業的(de)(de)(de)(de)需術。到2010年(nian)，應當實(shi)現4英寸(cun)GaAs生(sheng)產(chan)(chan)線(xian)的(de)(de)(de)(de)國(guo)(guo)產(chan)(chan)化，并具有滿足6英寸(cun)線(xian)的(de)(de)(de)(de)供片能力。

5.3發展超晶格、量(liang)子阱(jing)和一維、零維半導(dao)體(ti)

微結構材料的建議

(1)超晶(jing)格、量(liang)子阱(jing)材料

從目前我國(guo)(guo)國(guo)(guo)力(li)和(he)(he)我們已有(you)的(de)基(ji)(ji)礎出發，應以三基(ji)(ji)色（超(chao)高亮度(du)紅、綠和(he)(he)藍(lan)光(guang)）材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)和(he)(he)光(guang)通信材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)為(wei)主攻方(fang)向，并(bing)兼顧新一代微(wei)電子(zi)(zi)器件和(he)(he)電路(lu)的(de)需求，加(jia)強MBE和(he)(he)MOCVD兩(liang)個基(ji)(ji)地的(de)建設，引進必(bi)要的(de)適合批量(liang)生產的(de)工業型(xing)MBE和(he)(he)MOCVD設備(bei)并(bing)著重致力(li)于(yu)GaAlAs／GaAs，InGaAlP／InGaP,GaN基(ji)(ji)藍(lan)綠光(guang)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)，InGaAs／InP和(he)(he)InGaAsP／InP等(deng)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)體系的(de)實用化研究是當務(wu)之急，爭取(qu)在“十五”末，能滿足國(guo)(guo)內(nei)2、3和(he)(he)4英寸GaAs生產線所需要的(de)異質結(jie)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)。到2010年，每年能具(ju)備(bei)至(zhi)少100萬(wan)平方(fang)英寸MBE和(he)(he)MOCVD微(wei)電子(zi)(zi)和(he)(he)光(guang)電子(zi)(zi)微(wei)結(jie)構(gou)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)的(de)生產能力(li)。達到本(ben)世紀初的(de)國(guo)(guo)際(ji)水平。

寬帶(dai)隙(xi)高溫半導體材料如SiC，GaN基(ji)微(wei)電子材料和單晶(jing)金剛石薄(bo)膜以及(ji)ZnO等材料也應擇優布點(dian)，分(fen)別做好(hao)研(yan)究與開發工(gong)作(zuo)。

(2)一維和零維半導(dao)體材(cai)料(liao)(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)發展(zhan)設想。基于低維半導(dao)體微結構(gou)材(cai)料(liao)(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)固態納米量(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)器(qi)(qi)件，目前雖然仍(reng)處在預(yu)研(yan)階段，但極其重(zhong)要(yao)，極有(you)可能觸發微電子(zi)(zi)(zi)(zi)、光(guang)電子(zi)(zi)(zi)(zi)技(ji)術新的(de)(de)(de)(de)(de)革(ge)命。低維量(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)器(qi)(qi)件的(de)(de)(de)(de)(de)制(zhi)造依賴于低維結構(gou)材(cai)料(liao)(liao)生長和納米加工技(ji)術的(de)(de)(de)(de)(de)進(jin)步，而(er)納米結構(gou)材(cai)料(liao)(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)質量(liang)(liang)又很(hen)大程度上(shang)取決(jue)于生長和制(zhi)備(bei)技(ji)術的(de)(de)(de)(de)(de)水(shui)平。因而(er)，集(ji)中人(ren)力(li)、物力(li)建設我國(guo)自(zi)己的(de)(de)(de)(de)(de)納米科學與技(ji)術研(yan)究發展(zhan)中心就成(cheng)為了成(cheng)敗(bai)的(de)(de)(de)(de)(de)關(guan)鍵。具體目標是(shi)，“十(shi)五”末(mo)，在半導(dao)體量(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)線、量(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)材(cai)料(liao)(liao)制(zhi)備(bei)，量(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)器(qi)(qi)件研(yan)制(zhi)和系統集(ji)成(cheng)等(deng)(deng)若干個重(zhong)要(yao)研(yan)究方向(xiang)接近(jin)當(dang)時(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)國(guo)際先進(jin)水(shui)平；2010年在有(you)實(shi)(shi)(shi)用(yong)化前景(jing)的(de)(de)(de)(de)(de)量(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)激光(guang)器(qi)(qi)，量(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)共(gong)振隧穿器(qi)(qi)件和單電子(zi)(zi)(zi)(zi)器(qi)(qi)件及其集(ji)成(cheng)等(deng)(deng)研(yan)發方面，達到國(guo)際先進(jin)水(shui)平，并(bing)在國(guo)際該(gai)領域占有(you)一席(xi)之地(di)。可以預(yu)料(liao)(liao)，它的(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)施必將極大地(di)增(zeng)強(qiang)我國(guo)的(de)(de)(de)(de)(de)經濟和國(guo)防實(shi)(shi)(shi)力(li)。

篇2

關鍵詞:半(ban)導體物理實(shi)驗;教學改革;專業實(shi)驗

實驗(yan)教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)作(zuo)為高校(xiao)教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)環節中的一個重(zhong)要組成(cheng)部分，不(bu)僅因為其是(shi)課堂教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)的延伸，更由于(yu)通過實驗(yan)教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)，可以加深學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)對理(li)(li)(li)論(lun)知(zhi)識的理(li)(li)(li)解(jie)(jie)，培(pei)養學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)的動手能(neng)(neng)(neng)力(li)，拓展(zhan)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)的創(chuang)造思維［1，2］。實驗(yan)教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)分為基(ji)(ji)礎(chu)(chu)(chu)實驗(yan)和(he)專業(ye)實驗(yan)兩部分［3，4］:基(ji)(ji)礎(chu)(chu)(chu)實驗(yan)面向全校(xiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)，如(ru)大學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)物理(li)(li)(li)實驗(yan)、普通化(hua)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)實驗(yan)等，其主要任務(wu)是(shi)鞏固(gu)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)對所學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)基(ji)(ji)礎(chu)(chu)(chu)知(zhi)識和(he)規律的理(li)(li)(li)解(jie)(jie)，旨(zhi)在提高學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)的觀察、分析及解(jie)(jie)決問題(ti)(ti)(ti)的能(neng)(neng)(neng)力(li)，提供知(zhi)識儲(chu)備［5，6］;與基(ji)(ji)礎(chu)(chu)(chu)實驗(yan)不(bu)同(tong)，專業(ye)實驗(yan)僅面向某一專業(ye)，是(shi)針對專業(ye)理(li)(li)(li)論(lun)課程的具(ju)體學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)習要求設計的實驗(yan)教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)內容，對于(yu)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)專業(ye)方向能(neng)(neng)(neng)力(li)的提高具(ju)有極(ji)強(qiang)的促進(jin)作(zuo)用［7～8］。通過專業(ye)實驗(yan)教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)使學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)能(neng)(neng)(neng)夠更好的理(li)(li)(li)解(jie)(jie)、掌握和(he)應用基(ji)(ji)礎(chu)(chu)(chu)知(zhi)識和(he)專業(ye)知(zhi)識，提高分析問題(ti)(ti)(ti)的能(neng)(neng)(neng)力(li)并解(jie)(jie)決生(sheng)(sheng)活(huo)中涉及專業(ye)的實際(ji)問題(ti)(ti)(ti)，為學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)開展(zhan)專業(ye)創(chuang)新實踐(jian)活(huo)動打下堅實的基(ji)(ji)礎(chu)(chu)(chu)［9～11］。

1半導(dao)體物理實驗課程存(cun)在的問題與(yu)困難(nan)

半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體物(wu)理(li)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)是物(wu)理(li)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)專(zhuan)(zhuan)業(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)電(dian)子(zi)材(cai)(cai)料與器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)工(gong)程(cheng)(cheng)方(fang)(fang)向(xiang)必修的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)一門專(zhuan)(zhuan)業(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)課(ke)(ke)，旨在(zai)培(pei)養學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)對(dui)(dui)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體材(cai)(cai)料和(he)器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)制備(bei)(bei)及測(ce)試(shi)方(fang)(fang)法(fa)(fa)(fa)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)踐(jian)操作能力，其(qi)教(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)效果(guo)(guo)直接影(ying)響著(zhu)(zhu)后(hou)續研究生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)階段的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)習和(he)畢(bi)業(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)工(gong)作實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)踐(jian)。通過(guo)(guo)對(dui)(dui)前(qian)(qian)幾年(nian)本專(zhuan)(zhuan)業(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)畢(bi)業(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)就(jiu)業(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)情況分析，發現該專(zhuan)(zhuan)業(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)畢(bi)業(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)缺乏對(dui)(dui)領(ling)(ling)域(yu)內前(qian)(qian)沿(yan)技(ji)術的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)理(li)解和(he)掌(zhang)握(wo)。由于(yu)(yu)(yu)沒(mei)有經過(guo)(guo)相關(guan)知識的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)訓練(lian)，不少(shao)(shao)(shao)畢(bi)業(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)就(jiu)業(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)后(hou)再學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)習過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)較(jiao)(jiao)長，融入企事(shi)業(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)單(dan)位較(jiao)(jiao)慢，因(yin)(yin)此提升空間受到(dao)限制。1．1教(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)內容簡單(dan)陳舊(jiu)。目(mu)前(qian)(qian)，國內高校(xiao)在(zai)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體物(wu)理(li)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)課(ke)(ke)程(cheng)(cheng)教(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)內容的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)設(she)(she)(she)置上大(da)(da)同小(xiao)異，基礎(chu)性(xing)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)居多，對(dui)(dui)于(yu)(yu)(yu)新(xin)(xin)(xin)(xin)能源(yuan)(yuan)、新(xin)(xin)(xin)(xin)型(xing)電(dian)子(zi)器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)等領(ling)(ling)域(yu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)相關(guan)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)內容完全沒(mei)有或涉及較(jiao)(jiao)少(shao)(shao)(shao)。某些高校(xiao)還(huan)利用(yong)虛(xu)擬實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)來進行(xing)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)教(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)，其(qi)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)效果(guo)(guo)遠(yuan)不如(ru)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)際動手操作。我(wo)校(xiao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體物(wu)理(li)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)原有教(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)內容主(zhu)(zhu)要(yao)參(can)照上個(ge)世(shi)紀七(qi)、八十(shi)年(nian)代(dai)國家(jia)對(dui)(dui)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體產(chan)業(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)人(ren)(ren)才培(pei)養的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)求所(suo)(suo)設(she)(she)(she)置，受技(ji)術、條(tiao)件(jian)(jian)(jian)所(suo)(suo)限，主(zhu)(zhu)要(yao)以傳統半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體物(wu)理(li)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)基礎(chu)類實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)為主(zhu)(zhu)，實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)內容陳舊(jiu)。但是在(zai)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)內容中(zhong)添加新(xin)(xin)(xin)(xin)能源(yuan)(yuan)、新(xin)(xin)(xin)(xin)型(xing)電(dian)子(zi)器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)等領(ling)(ling)域(yu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)技(ji)術方(fang)(fang)法(fa)(fa)(fa)，對(dui)(dui)于(yu)(yu)(yu)增加學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)對(dui)(dui)所(suo)(suo)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)領(ling)(ling)域(yu)內最新(xin)(xin)(xin)(xin)前(qian)(qian)沿(yan)技(ji)術的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)了(le)解，掌(zhang)握(wo)現代(dai)技(ji)術中(zhong)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體材(cai)(cai)料特性(xing)相關(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)手段和(he)測(ce)試(shi)技(ji)術是極為重要(yao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)。1．2儀器(qi)(qi)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)嚴重匱乏。半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體物(wu)理(li)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)教(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)目(mu)標(biao)是使(shi)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)熟(shu)練(lian)掌(zhang)握(wo)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體材(cai)(cai)料和(he)器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)制備(bei)(bei)、基本物(wu)理(li)參(can)數以及物(wu)理(li)性(xing)質(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)測(ce)試(shi)原理(li)和(he)表征方(fang)(fang)法(fa)(fa)(fa)，為半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體材(cai)(cai)料與器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)開發設(she)(she)(she)計(ji)與研制奠定基礎(chu)。隨著(zhu)(zhu)科(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)技(ji)術的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)不斷發展，專(zhuan)(zhuan)業(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)教(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)內容應(ying)(ying)隨著(zhu)(zhu)專(zhuan)(zhuan)業(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)知識的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)更(geng)(geng)新(xin)(xin)(xin)(xin)及行(xing)業(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)發展及時(shi)調整(zheng)，從(cong)而能更(geng)(geng)好的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)完成(cheng)課(ke)(ke)程(cheng)(cheng)教(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)目(mu)標(biao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)求，培(pei)養新(xin)(xin)(xin)(xin)時(shi)代(dai)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)人(ren)(ren)才。實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)內容的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)調整(zheng)和(he)更(geng)(geng)新(xin)(xin)(xin)(xin)需要(yao)有新(xin)(xin)(xin)(xin)型(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)儀器(qi)(qi)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)做保障，但我(wo)校(xiao)原有實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)教(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)儀器(qi)(qi)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)絕大(da)(da)部(bu)分生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)產(chan)于(yu)(yu)(yu)上個(ge)世(shi)紀六七(qi)十(shi)年(nian)代(dai)，在(zai)長期(qi)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)教(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)中(zhong)，不少(shao)(shao)(shao)儀器(qi)(qi)因(yin)(yin)無法(fa)(fa)(fa)修復的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)故(gu)障而處于(yu)(yu)(yu)待報廢狀態。由于(yu)(yu)(yu)儀器(qi)(qi)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)不能及時(shi)更(geng)(geng)新(xin)(xin)(xin)(xin)，致使(shi)個(ge)別(bie)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)內容無法(fa)(fa)(fa)正(zheng)常進行(xing)，可運行(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)儀器(qi)(qi)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)也因(yin)(yin)為年(nian)代(dai)久遠(yuan)，實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)誤(wu)差大(da)(da)、重復性(xing)低，有時(shi)甚至會得到(dao)錯(cuo)誤(wu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)結果(guo)(guo)，只能作學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)“按部(bu)就(jiu)班”的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)基礎(chu)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)，難以進行(xing)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)內容的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)調整(zheng)，將(jiang)新(xin)(xin)(xin)(xin)技(ji)術新(xin)(xin)(xin)(xin)方(fang)(fang)法(fa)(fa)(fa)應(ying)(ying)用(yong)于(yu)(yu)(yu)教(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)中(zhong)。因(yin)(yin)此，在(zai)改(gai)革之前(qian)(qian)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體物(wu)理(li)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)設(she)(she)(she)計(ji)以基礎(chu)類實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)為主(zhu)(zhu)，設(she)(she)(she)計(ji)性(xing)、應(ying)(ying)用(yong)性(xing)、綜合性(xing)等提高類實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)較(jiao)(jiao)少(shao)(shao)(shao)，且無法(fa)(fa)(fa)開展創新(xin)(xin)(xin)(xin)類實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)。缺少(shao)(shao)(shao)自主(zhu)(zhu)設(she)(she)(she)計(ji)、創新(xin)(xin)(xin)(xin)、協作等實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)踐(jian)能力的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)訓練(lian)，不僅極大(da)(da)地降(jiang)低學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)對(dui)(dui)專(zhuan)(zhuan)業(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)興趣，且不利于(yu)(yu)(yu)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)踐(jian)和(he)創新(xin)(xin)(xin)(xin)創業(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)(ye)能力的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)培(pei)養，半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體物(wu)理(li)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)課(ke)(ke)程(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)改(gai)革勢(shi)在(zai)必行(xing)。

2半導體物理實驗課(ke)程改革的(de)內容(rong)與(yu)舉措

半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理(li)(li)(li)(li)(li)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)開(kai)(kai)(kai)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)時(shi)(shi)間為(wei)(wei)(wei)(wei)本(ben)(ben)科(ke)(ke)(ke)大四秋季(ji)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)期(qi)，該實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)課(ke)(ke)與(yu)專業(ye)理(li)(li)(li)(li)(li)論(lun)課(ke)(ke)半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理(li)(li)(li)(li)(li)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)、半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)器(qi)(qi)(qi)(qi)件、薄(bo)膜物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理(li)(li)(li)(li)(li)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)在(zai)(zai)同(tong)一(yi)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)期(qi)進(jin)(jin)行。隨著(zhu)(zhu)半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)技(ji)(ji)術(shu)日新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)月(yue)異發展(zhan)(zhan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)今(jin)天，對(dui)(dui)半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理(li)(li)(li)(li)(li)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)內(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)容(rong)也提(ti)(ti)(ti)出(chu)了(le)(le)(le)新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)(qiu)，因此，要(yao)求(qiu)(qiu)這(zhe)門實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)課(ke)(ke)程(cheng)不僅(jin)能(neng)(neng)(neng)(neng)夠通(tong)(tong)(tong)過(guo)(guo)(guo)對(dui)(dui)半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)材(cai)(cai)料(liao)(liao)某些重要(yao)參數(shu)(shu)和(he)特(te)性(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)觀(guan)(guan)(guan)測(ce)，使(shi)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)掌(zhang)握(wo)(wo)(wo)半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)材(cai)(cai)料(liao)(liao)和(he)器(qi)(qi)(qi)(qi)件的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)制(zhi)備(bei)及(ji)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)本(ben)(ben)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理(li)(li)(li)(li)(li)參數(shu)(shu)與(yu)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理(li)(li)(li)(li)(li)性(xing)(xing)(xing)質(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)測(ce)試方(fang)法(fa)，而且可(ke)以在(zai)(zai)鋪墊必備(bei)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)礎(chu)和(he)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)際(ji)(ji)操作(zuo)(zuo)(zuo)技(ji)(ji)能(neng)(neng)(neng)(neng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)同(tong)時(shi)(shi)，拓(tuo)展(zhan)(zhan)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)在(zai)(zai)電子(zi)(zi)材(cai)(cai)料(liao)(liao)與(yu)器(qi)(qi)(qi)(qi)件工(gong)(gong)程(cheng)領域的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)科(ke)(ke)(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)前(qian)(qian)沿知識(shi)(shi)，為(wei)(wei)(wei)(wei)將(jiang)來(lai)獨立開(kai)(kai)(kai)展(zhan)(zhan)產(chan)品的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)研(yan)(yan)制(zhi)和(he)科(ke)(ke)(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)研(yan)(yan)究(jiu)打下(xia)堅實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)礎(chu)。2．1實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)礎(chu)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)施的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)建(jian)(jian)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)。2013年年底，基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)于(yu)我校(xiao)本(ben)(ben)科(ke)(ke)(ke)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)項目的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)資(zi)金(jin)支持(chi)，半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理(li)(li)(li)(li)(li)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)團(tuan)隊通(tong)(tong)(tong)過(guo)(guo)(guo)調(diao)研(yan)(yan)國內(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)外高(gao)(gao)校(xiao)現(xian)行半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理(li)(li)(li)(li)(li)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)資(zi)料(liao)(liao)，結(jie)合(he)(he)(he)(he)我校(xiao)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)自身特(te)點，按(an)照創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)育(yu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)(qiu)重新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)計(ji)(ji)了(le)(le)(le)半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理(li)(li)(li)(li)(li)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)內(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)容(rong)，并(bing)根據所開(kai)(kai)(kai)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)內(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)容(rong)合(he)(he)(he)(he)理(li)(li)(li)(li)(li)配置(zhi)相應(ying)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)儀(yi)(yi)器(qi)(qi)(qi)(qi)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)，新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)配置(zhi)儀(yi)(yi)器(qi)(qi)(qi)(qi)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)具有(you)一(yi)定的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)前(qian)(qian)瞻性(xing)(xing)(xing)，品質(zhi)優良，數(shu)(shu)量(liang)合(he)(he)(he)(he)理(li)(li)(li)(li)(li)，保證實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)質(zhi)量(liang)。由(you)于(yu)作(zuo)(zuo)(zuo)為(wei)(wei)(wei)(wei)一(yi)門專業(ye)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)課(ke)(ke)，每(mei)(mei)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)年只有(you)一(yi)個(ge)(ge)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)期(qi)承擔教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)任務(wu)，為(wei)(wei)(wei)(wei)了(le)(le)(le)提(ti)(ti)(ti)高(gao)(gao)儀(yi)(yi)器(qi)(qi)(qi)(qi)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)利用(yong)(yong)(yong)率，做到實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)資(zi)源的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)不浪(lang)費，計(ji)(ji)劃成(cheng)(cheng)立一(yi)間半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理(li)(li)(li)(li)(li)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)專屬的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)室(shi)(shi)，用(yong)(yong)(yong)于(yu)陳放新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)購置(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)，在(zai)(zai)沒有(you)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)任務(wu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)期(qi)，該實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)室(shi)(shi)做為(wei)(wei)(wei)(wei)科(ke)(ke)(ke)研(yan)(yan)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)室(shi)(shi)和(he)創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)業(ye)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)室(shi)(shi)使(shi)用(yong)(yong)(yong)。通(tong)(tong)(tong)過(guo)(guo)(guo)近三(san)年的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)建(jian)(jian)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)，半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理(li)(li)(li)(li)(li)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)專屬實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)室(shi)(shi)———新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)能(neng)(neng)(neng)(neng)源材(cai)(cai)料(liao)(liao)與(yu)電子(zi)(zi)器(qi)(qi)(qi)(qi)件工(gong)(gong)程(cheng)創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)室(shi)(shi)建(jian)(jian)成(cheng)(cheng)并(bing)投入使(shi)用(yong)(yong)(yong)，該實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)室(shi)(shi)為(wei)(wei)(wei)(wei)電子(zi)(zi)材(cai)(cai)料(liao)(liao)與(yu)器(qi)(qi)(qi)(qi)件工(gong)(gong)程(cheng)方(fang)向的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)本(ben)(ben)科(ke)(ke)(ke)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)畢(bi)業(ye)論(lun)文(wen)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)計(ji)(ji)以及(ji)全院(yuan)本(ben)(ben)科(ke)(ke)(ke)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)業(ye)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)計(ji)(ji)提(ti)(ti)(ti)供(gong)了(le)(le)(le)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)本(ben)(ben)保障，更(geng)為(wei)(wei)(wei)(wei)重要(yao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)是該實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)室(shi)(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)建(jian)(jian)成(cheng)(cheng)極大地(di)改(gai)善了(le)(le)(le)半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理(li)(li)(li)(li)(li)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)原(yuan)有(you)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)條件，解(jie)(jie)決(jue)了(le)(le)(le)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)際(ji)(ji)困(kun)難，使(shi)得半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理(li)(li)(li)(li)(li)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)效(xiao)果顯著(zhu)(zhu)提(ti)(ti)(ti)升。不僅(jin)加(jia)強了(le)(le)(le)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)對(dui)(dui)專業(ye)核心(xin)知識(shi)(shi)理(li)(li)(li)(li)(li)解(jie)(jie)和(he)掌(zhang)握(wo)(wo)(wo)，而且啟發學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)綜(zong)(zong)合(he)(he)(he)(he)運用(yong)(yong)(yong)所學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)知識(shi)(shi)創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)造性(xing)(xing)(xing)地(di)解(jie)(jie)決(jue)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)際(ji)(ji)問題(ti)，有(you)效(xiao)提(ti)(ti)(ti)高(gao)(gao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)踐動(dong)(dong)手(shou)能(neng)(neng)(neng)(neng)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)、創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)能(neng)(neng)(neng)(neng)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)和(he)綜(zong)(zong)合(he)(he)(he)(he)素質(zhi)。2．2實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)內(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)容(rong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)更(geng)新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)。半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理(li)(li)(li)(li)(li)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)是一(yi)門72學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)時(shi)(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)課(ke)(ke)，在(zai)(zai)專屬實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)室(shi)(shi)建(jian)(jian)成(cheng)(cheng)后(hou)(hou)，按(an)照重視基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)礎(chu)、突出(chu)綜(zong)(zong)合(he)(he)(he)(he)、強調(diao)創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)、提(ti)(ti)(ti)升能(neng)(neng)(neng)(neng)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)求(qiu)(qiu)，逐步培(pei)養與(yu)提(ti)(ti)(ti)高(gao)(gao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)科(ke)(ke)(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)素質(zhi)和(he)創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)能(neng)(neng)(neng)(neng)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)，構建(jian)(jian)了(le)(le)(le)“九—八—五(wu)”新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)內(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)容(rong)體(ti)(ti)(ti)系(xi)，包括如下(xia)三(san)個(ge)(ge)層次(ci)(表1)。第(di)一(yi)層次(ci)為(wei)(wei)(wei)(wei)“九”個(ge)(ge)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)礎(chu)型(xing)(xing)(xing)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)，涵蓋對(dui)(dui)半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)材(cai)(cai)料(liao)(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理(li)(li)(li)(li)(li)性(xing)(xing)(xing)質(zhi)(結(jie)構、電學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)、光學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue))的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)測(ce)定，通(tong)(tong)(tong)過(guo)(guo)(guo)對(dui)(dui)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理(li)(li)(li)(li)(li)量(liang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)測(ce)量(liang)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)證物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理(li)(li)(li)(li)(li)規(gui)(gui)律，訓(xun)練(lian)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)觀(guan)(guan)(guan)察、分析和(he)研(yan)(yan)究(jiu)半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理(li)(li)(li)(li)(li)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)現(xian)象(xiang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)能(neng)(neng)(neng)(neng)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)，掌(zhang)握(wo)(wo)(wo)常用(yong)(yong)(yong)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)本(ben)(ben)半(ban)(ban)(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理(li)(li)(li)(li)(li)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)儀(yi)(yi)器(qi)(qi)(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)原(yuan)理(li)(li)(li)(li)(li)、性(xing)(xing)(xing)能(neng)(neng)(neng)(neng)和(he)測(ce)量(liang)方(fang)法(fa)等(deng)。第(di)二層次(ci)為(wei)(wei)(wei)(wei)“八”個(ge)(ge)提(ti)(ti)(ti)高(gao)(gao)型(xing)(xing)(xing)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(綜(zong)(zong)合(he)(he)(he)(he)、應(ying)用(yong)(yong)(yong)性(xing)(xing)(xing)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan))，學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)通(tong)(tong)(tong)過(guo)(guo)(guo)第(di)一(yi)層次(ci)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)訓(xun)練(lian)后(hou)(hou)，已(yi)掌(zhang)握(wo)(wo)(wo)了(le)(le)(le)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)本(ben)(ben)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)方(fang)法(fa)和(he)技(ji)(ji)能(neng)(neng)(neng)(neng)，在(zai)(zai)此基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)礎(chu)上(shang)，開(kai)(kai)(kai)展(zhan)(zhan)綜(zong)(zong)合(he)(he)(he)(he)性(xing)(xing)(xing)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)，可(ke)以培(pei)養學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)綜(zong)(zong)合(he)(he)(he)(he)運用(yong)(yong)(yong)所學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)知識(shi)(shi)以及(ji)分析和(he)解(jie)(jie)決(jue)問題(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)能(neng)(neng)(neng)(neng)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)。通(tong)(tong)(tong)過(guo)(guo)(guo)應(ying)用(yong)(yong)(yong)性(xing)(xing)(xing)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)培(pei)養學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)將(jiang)來(lai)利用(yong)(yong)(yong)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)備(bei)原(yuan)理(li)(li)(li)(li)(li)從(cong)事(shi)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)產(chan)或者技(ji)(ji)術(shu)服務(wu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)能(neng)(neng)(neng)(neng)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)。第(di)三(san)層次(ci)為(wei)(wei)(wei)(wei)“五(wu)”個(ge)(ge)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)計(ji)(ji)創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)型(xing)(xing)(xing)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)，學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)需(xu)運用(yong)(yong)(yong)多學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)科(ke)(ke)(ke)知識(shi)(shi)、綜(zong)(zong)合(he)(he)(he)(he)多學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)科(ke)(ke)(ke)內(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)容(rong)，結(jie)合(he)(he)(he)(he)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)師(shi)(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)科(ke)(ke)(ke)研(yan)(yan)項目進(jin)(jin)行創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)研(yan)(yan)究(jiu)，通(tong)(tong)(tong)過(guo)(guo)(guo)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)計(ji)(ji)型(xing)(xing)(xing)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)可(ke)以鍛(duan)煉學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)組(zu)織(zhi)和(he)自主(zhu)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)能(neng)(neng)(neng)(neng)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)，著(zhu)(zhu)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)培(pei)養學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)踐能(neng)(neng)(neng)(neng)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)和(he)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)本(ben)(ben)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)科(ke)(ke)(ke)研(yan)(yan)素質(zhi)。每(mei)(mei)個(ge)(ge)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)礎(chu)型(xing)(xing)(xing)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)4學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)時(shi)(shi)，提(ti)(ti)(ti)高(gao)(gao)型(xing)(xing)(xing)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)8學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)時(shi)(shi)，創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)型(xing)(xing)(xing)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)12學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)時(shi)(shi)，規(gui)(gui)定基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)礎(chu)型(xing)(xing)(xing)為(wei)(wei)(wei)(wei)必修實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)，提(ti)(ti)(ti)高(gao)(gao)型(xing)(xing)(xing)、創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)型(xing)(xing)(xing)為(wei)(wei)(wei)(wei)選(xuan)作(zuo)(zuo)(zuo)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)。九個(ge)(ge)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)礎(chu)型(xing)(xing)(xing)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)全部完成(cheng)(cheng)后(hou)(hou)，學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)可(ke)根據興(xing)趣和(he)畢(bi)業(ye)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)計(ji)(ji)要(yao)求(qiu)(qiu)在(zai)(zai)提(ti)(ti)(ti)高(gao)(gao)型(xing)(xing)(xing)、創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)型(xing)(xing)(xing)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)中各分別(bie)選(xuan)做一(yi)定數(shu)(shu)量(liang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)，在(zai)(zai)開(kai)(kai)(kai)課(ke)(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)期(qi)結(jie)束時(shi)(shi)完成(cheng)(cheng)至(zhi)少(shao)72個(ge)(ge)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)時(shi)(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)并(bing)獲得成(cheng)(cheng)績方(fang)為(wei)(wei)(wei)(wei)合(he)(he)(he)(he)格。2．3實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)方(fang)式(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)優化。在(zai)(zai)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)方(fang)式(shi)上(shang)，建(jian)(jian)立以學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)為(wei)(wei)(wei)(wei)中心(xin)、學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)自我訓(xun)練(lian)為(wei)(wei)(wei)(wei)主(zhu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)模式(shi)，充(chong)分調(diao)動(dong)(dong)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)主(zhu)觀(guan)(guan)(guan)能(neng)(neng)(neng)(neng)動(dong)(dong)性(xing)(xing)(xing)。將(jiang)之前(qian)(qian)老(lao)師(shi)(shi)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)前(qian)(qian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)講(jiang)解(jie)(jie)轉變為(wei)(wei)(wei)(wei)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)代表講(jiang)解(jie)(jie)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)內(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)容(rong)，然(ran)后(hou)(hou)老(lao)師(shi)(shi)提(ti)(ti)(ti)問并(bing)補(bu)充(chong)完善，在(zai)(zai)整個(ge)(ge)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)安排過(guo)(guo)(guo)程(cheng)中，實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)內(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)容(rong)由(you)淺入深、由(you)簡(jian)單到綜(zong)(zong)合(he)(he)(he)(he)、逐步過(guo)(guo)(guo)渡至(zhi)設(she)(she)(she)(she)(she)(she)計(ji)(ji)和(he)研(yan)(yan)究(jiu)創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)型(xing)(xing)(xing)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)。三(san)個(ge)(ge)層次(ci)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)內(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)容(rong)形成(cheng)(cheng)連貫的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)梯度教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)體(ti)(ti)(ti)系(xi)，在(zai)(zai)充(chong)分激(ji)發學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)習(xi)(xi)興(xing)趣的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)同(tong)時(shi)(shi)，培(pei)養學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)自主(zhu)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)習(xi)(xi)、自發解(jie)(jie)決(jue)問題(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)能(neng)(neng)(neng)(neng)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)。2．4實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)考(kao)核機(ji)制(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)改(gai)革。目前(qian)(qian)大部分實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)課(ke)(ke)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)成(cheng)(cheng)績由(you)每(mei)(mei)次(ci)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)后(hou)(hou)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)“實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)報(bao)告(gao)”的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)平(ping)均成(cheng)(cheng)績決(jue)定，然(ran)而單獨一(yi)份實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)報(bao)告(gao)并(bing)不能(neng)(neng)(neng)(neng)夠完整反(fan)應(ying)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)際(ji)(ji)動(dong)(dong)手(shou)操作(zuo)(zuo)(zuo)能(neng)(neng)(neng)(neng)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)和(he)對(dui)(dui)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)內(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)容(rong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)熟悉程(cheng)度。因此，本(ben)(ben)課(ke)(ke)程(cheng)將(jiang)此改(gai)革為(wei)(wei)(wei)(wei)總成(cheng)(cheng)績由(you)每(mei)(mei)次(ci)“實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)”的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)平(ping)均成(cheng)(cheng)績決(jue)定。每(mei)(mei)次(ci)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)成(cheng)(cheng)績包括實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)預習(xi)(xi)、實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)操作(zuo)(zuo)(zuo)和(he)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)報(bao)告(gao)三(san)部分，實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)開(kai)(kai)(kai)始前(qian)(qian)通(tong)(tong)(tong)過(guo)(guo)(guo)問答以及(ji)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)講(jiang)解(jie)(jie)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)內(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)(nei)容(rong)來(lai)給(gei)(gei)出(chu)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)預習(xi)(xi)成(cheng)(cheng)績;實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)操作(zuo)(zuo)(zuo)成(cheng)(cheng)績是個(ge)(ge)團(tuan)隊成(cheng)(cheng)績反(fan)映(ying)每(mei)(mei)組(zu)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)在(zai)(zai)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)過(guo)(guo)(guo)程(cheng)中的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)動(dong)(dong)手(shou)能(neng)(neng)(neng)(neng)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)以及(ji)組(zu)員(yuan)之間的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)相互協助情況(kuang);針(zhen)對(dui)(dui)提(ti)(ti)(ti)高(gao)(gao)型(xing)(xing)(xing)和(he)創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)性(xing)(xing)(xing)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)，特(te)別(bie)是創(chuang)(chuang)(chuang)(chuang)新(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)性(xing)(xing)(xing)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)，要(yao)求(qiu)(qiu)以科(ke)(ke)(ke)技(ji)(ji)論(lun)文(wen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)形式(shi)來(lai)撰(zhuan)寫實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)報(bao)告(gao)，以此來(lai)鍛(duan)煉本(ben)(ben)科(ke)(ke)(ke)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)科(ke)(ke)(ke)技(ji)(ji)論(lun)文(wen)寫作(zuo)(zuo)(zuo)能(neng)(neng)(neng)(neng)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)。通(tong)(tong)(tong)過(guo)(guo)(guo)三(san)部分綜(zong)(zong)合(he)(he)(he)(he)來(lai)給(gei)(gei)出(chu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)成(cheng)(cheng)績更(geng)注重對(dui)(dui)知識(shi)(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)掌(zhang)握(wo)(wo)(wo)、能(neng)(neng)(neng)(neng)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)提(ti)(ti)(ti)高(gao)(gao)和(he)綜(zong)(zong)合(he)(he)(he)(he)素質(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)培(pei)養等(deng)方(fang)面的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)考(kao)核。

3半(ban)導體物理實(shi)驗(yan)課程改革后(hou)的(de)成效

半導體(ti)物理實(shi)(shi)(shi)驗在我校本(ben)(ben)(ben)科(ke)(ke)教(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)項目(mu)的(de)(de)(de)(de)(de)支持下(xia)，購(gou)(gou)置(zhi)并更(geng)新(xin)了(le)(le)實(shi)(shi)(shi)驗設(she)(she)備(bei)建(jian)(jian)立(li)(li)了(le)(le)專屬實(shi)(shi)(shi)驗室，構建(jian)(jian)了(le)(le)“九—八—五(wu)”新(xin)實(shi)(shi)(shi)驗內容體(ti)系，并采(cai)用(yong)新(xin)的(de)(de)(de)(de)(de)教(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)方(fang)式和考核機(ji)制(zhi)，教(jiao)(jiao)師和學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)普遍(bian)感覺到新(xin)實(shi)(shi)(shi)驗教(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)體(ti)系的(de)(de)(de)(de)(de)目(mu)的(de)(de)(de)(de)(de)性、整(zheng)體(ti)性和層次性都得到了(le)(le)極大(da)(da)的(de)(de)(de)(de)(de)提(ti)高。教(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)內容和教(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)方(fang)式的(de)(de)(de)(de)(de)調(diao)整(zheng)，使(shi)(shi)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)理論(lun)聯系實(shi)(shi)(shi)際的(de)(de)(de)(de)(de)能(neng)力得到增強(qiang)，提(ti)高了(le)(le)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)積極性和主動(dong)性。實(shi)(shi)(shi)驗中學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)實(shi)(shi)(shi)際動(dong)手(shou)的(de)(de)(de)(de)(de)機(ji)會增多，對知識的(de)(de)(de)(de)(de)渴求程度明(ming)顯(xian)加強(qiang)，為(wei)(wei)了(le)(le)更(geng)好地完成創(chuang)(chuang)新(xin)設(she)(she)計(ji)實(shi)(shi)(shi)驗，部分本(ben)(ben)(ben)科(ke)(ke)生(sheng)還會主動(dong)去查閱(yue)研中英文(wen)(wen)科(ke)(ke)技文(wen)(wen)獻(xian)，真正做到了(le)(le)自(zi)主自(zi)覺的(de)(de)(de)(de)(de)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)習。通過(guo)實(shi)(shi)(shi)驗課程的(de)(de)(de)(de)(de)教(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)，學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)掌(zhang)握了(le)(le)科(ke)(ke)技論(lun)文(wen)(wen)的(de)(de)(de)(de)(de)基本(ben)(ben)(ben)格式，數(shu)據(ju)處理的(de)(de)(de)(de)(de)圖表制(zhi)作，了(le)(le)解了(le)(le)科(ke)(ke)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)研究的(de)(de)(de)(de)(de)過(guo)程，具備(bei)了(le)(le)基本(ben)(ben)(ben)的(de)(de)(de)(de)(de)科(ke)(ke)研能(neng)力，也(ye)為(wei)(wei)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)畢業(ye)設(she)(she)計(ji)打下(xia)了(le)(le)良好的(de)(de)(de)(de)(de)基礎。與此同(tong)時，利用(yong)新(xin)購(gou)(gou)置(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)驗設(she)(she)備(bei)建(jian)(jian)立(li)(li)的(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)驗室，在做為(wei)(wei)科(ke)(ke)研實(shi)(shi)(shi)驗室和創(chuang)(chuang)新(xin)創(chuang)(chuang)業(ye)實(shi)(shi)(shi)驗室使(shi)(shi)用(yong)時，也(ye)取得了(le)(le)優異(yi)的(de)(de)(de)(de)(de)成績。依托本(ben)(ben)(ben)實(shi)(shi)(shi)驗室，2015年“國(guo)家(jia)級(ji)大(da)(da)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)創(chuang)(chuang)新(xin)創(chuang)(chuang)業(ye)訓練(lian)(lian)計(ji)劃”立(li)(li)項3項，2016年“國(guo)家(jia)級(ji)大(da)(da)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生(sheng)創(chuang)(chuang)新(xin)創(chuang)(chuang)業(ye)訓練(lian)(lian)計(ji)劃”立(li)(li)項4項。

4結語

篇3

本文的主角――陜(shan)西師范大學(xue)材(cai)(cai)料(liao)(liao)科學(xue)與(yu)工(gong)程學(xue)院特(te)聘教授(shou)胡鑒勇，是國內有機(ji)(ji)(ji)(ji)光電子材(cai)(cai)料(liao)(liao)研(yan)究領(ling)域的新(xin)生代(dai)杰出(chu)代(dai)表。以有機(ji)(ji)(ji)(ji)電致(zhi)(zhi)發(fa)光二極管（OLED）、有機(ji)(ji)(ji)(ji)場效(xiao)應(ying)(ying)晶(jing)體管（OFET）和有機(ji)(ji)(ji)(ji)太(tai)陽(yang)能電池（OPV）為代(dai)表的有機(ji)(ji)(ji)(ji)光電子材(cai)(cai)料(liao)(liao)和器(qi)件(jian)是研(yan)究的熱點，胡鑒勇博士長期致(zhi)(zhi)力于應(ying)(ying)用(yong)于高性(xing)能有機(ji)(ji)(ji)(ji)光電子器(qi)件(jian)的新(xin)型(xing)有機(ji)(ji)(ji)(ji)/高分子半導體材(cai)(cai)料(liao)(liao)的開發(fa)和研(yan)究，在(zai)高效(xiao)穩定的有機(ji)(ji)(ji)(ji)光電子材(cai)(cai)料(liao)(liao)的設計、合成(cheng)、性(xing)能表征及其在(zai)有機(ji)(ji)(ji)(ji)光電子元器(qi)件(jian)的應(ying)(ying)用(yong)方面開展了(le)大量(liang)創(chuang)新(xin)性(xing)研(yan)究，取得了(le)一系(xi)列原創(chuang)性(xing)成(cheng)果，逐漸成(cheng)長為有機(ji)(ji)(ji)(ji)光電子材(cai)(cai)料(liao)(liao)領(ling)域的骨(gu)干(gan)力量(liang)。

勤(qin)奮鉆研，鑄就科研里程(cheng)碑

早1995年(nian)大學(xue)(xue)畢業后(hou)，胡鑒勇在家(jia)鄉的(de)一所中學(xue)(xue)擔任了9年(nian)的(de)化學(xue)(xue)教師(shi)(shi)；2004年(nian)留學(xue)(xue)于日本佐賀大學(xue)(xue)獲得工學(xue)(xue)博士(shi)學(xue)(xue)位，隨(sui)后(hou)進(jin)入日本山(shan)形大學(xue)(xue)有機光電子研(yan)究中心，OLED研(yan)究世界權(quan)威科(ke)(ke)學(xue)(xue)家(jia)城戶(hu)淳二教授(shou)（Prof. Junji Kido）研(yan)究室進(jin)行(xing)博士(shi)后(hou)研(yan)究，并在日本世界級科(ke)(ke)研(yan)中心-日本理化學(xue)(xue)研(yan)究所RIKEN，跟隨(sui)著名有機半導體材(cai)料(liao)科(ke)(ke)學(xue)(xue)家(jia)龍宮和男教授(shou)（Prof. Kazuo Takimiya）從(cong)事特別研(yan)究員工作；2015年(nian)由陜(shan)西師(shi)(shi)范(fan)大學(xue)(xue)以海外(wai)高層次(ci)人(ren)才-陜(shan)西省“百(bai)人(ren)計劃”特聘(pin)教授(shou)身份引進(jin)到陜(shan)師(shi)(shi)大材(cai)料(liao)科(ke)(ke)學(xue)(xue)與工程(cheng)學(xue)(xue)院(yuan)工作。

“勤(qin)奮、刻苦、創(chuang)新(xin)、突破(po)”是(shi)胡鑒勇(yong)博士的(de)特點，在(zai)日(ri)本(ben)求學(xue)工作期間，他參與過一項日(ri)本(ben)國家研(yan)發(fa)(fa)課(ke)(ke)題（高效有機(ji)電子器件研(yan)發(fa)(fa)），承擔(dan)過日(ri)本(ben)文部(bu)科(ke)學(xue)省、日(ri)本(ben)新(xin)能源(yuan)和(he)產業(ye)技術開發(fa)(fa)機(ji)構（NEDO）和(he)日(ri)本(ben)科(ke)學(xue)技術振興機(ji)構（JST）資(zi)助(zhu)的(de)多項研(yan)究(jiu)課(ke)(ke)題。

在有機深(shen)(shen)藍(lan)(lan)熒光(guang)(guang)(guang)(guang)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)的(de)(de)(de)研究方(fang)面(mian)胡(hu)鑒勇博士貢獻卓著。高(gao)效(xiao)率的(de)(de)(de)深(shen)(shen)藍(lan)(lan)發光(guang)(guang)(guang)(guang)能最(zui)大限度(du)地提高(gao)全彩顯(xian)示品質或(huo)照(zhao)明的(de)(de)(de)顯(xian)色指數，有效(xiao)降低(di)OLED顯(xian)示器(qi)的(de)(de)(de)功耗(hao)，開(kai)發性(xing)能好的(de)(de)(de)藍(lan)(lan)光(guang)(guang)(guang)(guang)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)，尤(you)其(qi)是具有高(gao)的(de)(de)(de)發光(guang)(guang)(guang)(guang)效(xiao)率和CIE色度(du)坐標(biao)(biao)Y值小于(yu)0.10的(de)(de)(de)深(shen)(shen)藍(lan)(lan)光(guang)(guang)(guang)(guang)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)對(dui)于(yu)實現(xian)高(gao)性(xing)能的(de)(de)(de)OLED器(qi)件意(yi)義重大，胡(hu)鑒勇博士設計合(he)成(cheng)了一類新的(de)(de)(de)蒽(en)(en)類衍生物(wu)―基于(yu)雙蒽(en)(en)的(de)(de)(de)D-A型深(shen)(shen)藍(lan)(lan)延遲熒光(guang)(guang)(guang)(guang)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)，通過對(dui)傳統的(de)(de)(de)藍(lan)(lan)光(guang)(guang)(guang)(guang)始祖材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)蒽(en)(en)分子進行一系列結構上的(de)(de)(de)修飾，包括采取苯基為中心(xin)橋(qiao)鏈和pi共軛阻隔基團，在其(qi)對(dui)位上分別引(yin)入(ru)以單(dan)蒽(en)(en)為核的(de)(de)(de)電(dian)子供體(ti)單(dan)元（D）和電(dian)子受體(ti)單(dan)元（A），形(xing)成(cheng)了具有獨特的(de)(de)(de)雙蒽(en)(en)結構的(de)(de)(de)D-A型材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)分子，以該類材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)為發光(guang)(guang)(guang)(guang)體(ti)，成(cheng)功實現(xian)了滿(man)足高(gao)清(qing)晰度(du)電(dian)視(shi)（HDTV）藍(lan)(lan)光(guang)(guang)(guang)(guang)標(biao)(biao)準的(de)(de)(de)高(gao)效(xiao)率器(qi)件，對(dui)實現(xian)高(gao)性(xing)能OLED器(qi)件具有“里程(cheng)碑”式的(de)(de)(de)創新意(yi)義。該工作發表在材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)領域國際頂尖(jian)期刊(kan)《先(xian)進功能材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)》上（Adv. Funct. Mater. 2014， 24， 2064），并(bing)入(ru)選SCI高(gao)被引(yin)論文（top 1%）。

在空(kong)氣(qi)穩(wen)(wen)定的(de)、高(gao)遷(qian)移率的(de)雙(shuang)極性(xing)有(you)(you)機(ji)(ji)半導體(ti)材料(liao)的(de)研究(jiu)方面胡鑒(jian)勇博(bo)士成績斐(fei)然。開發空(kong)氣(qi)穩(wen)(wen)定的(de)、高(gao)遷(qian)移率的(de)n型(xing)和雙(shuang)極性(xing)有(you)(you)機(ji)(ji)半導體(ti)材料(liao)，是實(shi)現高(gao)性(xing)能OFET的(de)前提。胡鑒(jian)勇博(bo)士和團隊成員(yuan)一起合作開發了(le)一種全新的(de)電(dian)子受體(ti)單元―萘并二(er)噻吩二(er)酰亞胺(an)（NDTI），以其為共(gong)聚(ju)電(dian)子受體(ti)中(zhong)心的(de)D-A型(xing)聚(ju)合物(wu)實(shi)現了(le)空(kong)氣(qi)穩(wen)(wen)定的(de)，高(gao)遷(qian)移率的(de)n型(xing)和雙(shuang)極性(xing)有(you)(you)機(ji)(ji)場(chang)(chang)效應晶體(ti)管，該(gai)成果發表在美(mei)國化學會上（J. Am. Chem. Soc. 2013， 135， 11445），并入(ru)選SCI高(gao)被引(yin)論文（top 1%）。以此為契機(ji)(ji)，胡鑒(jian)勇博(bo)士進一步基于NDTI發展(zhan)了(le)新型(xing)雙(shuang)極性(xing)有(you)(you)機(ji)(ji)小(xiao)分子材料(liao)，并實(shi)現了(le)空(kong)氣(qi)穩(wen)(wen)定的(de)、可溶液加工的(de)、高(gao)遷(qian)移率的(de)雙(shuang)極性(xing)有(you)(you)機(ji)(ji)場(chang)(chang)效應晶體(ti)管和互補邏輯電(dian)路(lu)（J. Mater. Chem. C， 2015， 3， 4244； Chem. Mater. 2015， 27， 6418）。

在非(fei)富勒(le)(le)烯(xi)(xi)受體(ti)材(cai)(cai)料的(de)研(yan)究方面(mian)胡(hu)鑒(jian)勇博士成效(xiao)顯著。近些年來，以聚合物(wu)電(dian)子給體(ti)和富勒(le)(le)烯(xi)(xi)電(dian)子受體(ti)材(cai)(cai)料為活性(xing)層(ceng)的(de)本(ben)體(ti)異質結太陽能(neng)電(dian)池取(qu)得(de)了巨大的(de)進(jin)步，但由(you)于富勒(le)(le)烯(xi)(xi)價格昂貴、吸收光譜和能(neng)級調制較為困難，開(kai)發高效(xiao)的(de)n型聚合物(wu)電(dian)子受體(ti)材(cai)(cai)料來替代富勒(le)(le)烯(xi)(xi)備受業界關注(zhu)。胡(hu)鑒(jian)勇博士開(kai)發的(de)基于NDTI的(de)有機小(xiao)分子和聚合物(wu)，作為非(fei)富勒(le)(le)烯(xi)(xi)受體(ti)材(cai)(cai)料，在全(quan)聚合物(wu)OPV器件中取(qu)得(de)了較好的(de)光電(dian)轉換效(xiao)率（ACS Macro Lett. 2014， 3， 872）。

迄(qi)今為(wei)止，胡(hu)鑒勇博士以第(di)一(yi)作(zuo)(zuo)者或(huo)通(tong)訊作(zuo)(zuo)者在(zai)Adv. Funct. Mater.； J. Am. Chem. Soc.； Chem. Commun.； Org. Lett.； J. Mater. Chem. C.； Chem. Eur. J.；和(he)J. Org. Chem.等國際著名學(xue)術(shu)期刊上(shang)共(gong)發表SCI論(lun)文(wen)30余(yu)篇，受(shou)邀撰寫英文(wen)論(lun)著1章， 在(zai)國際學(xue)術(shu)會(hui)議上(shang)作(zuo)(zuo)講(jiang)演報告(gao)(gao)20余(yu)次，多(duo)次受(shou)邀在(zai)國內著名大學(xue)和(he)學(xue)會(hui)上(shang)做學(xue)術(shu)交(jiao)流報告(gao)(gao)，申請日本(ben)專利多(duo)項，已授權2項。多(duo)年來作(zuo)(zuo)為(wei)一(yi)名有機(ji)光電子材料領(ling)域的(de)科研(yan)(yan)人員，胡(hu)鑒勇博士兢兢業(ye)業(ye)、孜孜以求，以自己(ji)的(de)實際行動為(wei)鑄就科研(yan)(yan)力量(liang)不斷添磚加瓦。

迎接挑戰，提升人生新(xin)高度

“十(shi)年彈指一揮(hui)間”，十(shi)年前為了(le)(le)提升人生高度(du)，豐(feng)富人生閱歷，胡鑒(jian)勇博(bo)(bo)士以34歲的“高齡(ling)”選擇自(zi)費出(chu)國(guo)留學(xue)路，付出(chu)了(le)(le)常人難以想(xiang)象的的艱辛和努力；十(shi)年后懷揣(chuai)著拳拳赤子之心，胡鑒(jian)勇博(bo)(bo)士毅然謝絕多家日(ri)本和國(guo)內公(gong)司(si)的誠意(yi)邀請(qing)，選擇了(le)(le)陜西(xi)師范大(da)學(xue)作為自(zi)己(ji)事業發展(zhan)的新平臺。

為(wei)了進一步提升(sheng)有(you)機(ji)(ji)光電子材(cai)料研(yan)究新高度，拓展(zhan)(zhan)以(yi)有(you)機(ji)(ji)電致(zhi)(zhi)發光二極管（OLED）、有(you)機(ji)(ji)場效應(ying)晶(jing)體管（OFET）和有(you)機(ji)(ji)太(tai)陽能(neng)電池(chi)（OPV）為(wei)代(dai)表的(de)有(you)機(ji)(ji)光電子材(cai)料和器件在新型信息(xi)顯(xian)示、綠色節能(neng)固(gu)體照(zhao)明和新能(neng)源(yuan)(yuan)等(deng)(deng)技術(shu)領域(yu)(yu)的(de)應(ying)用(yong)(yong)前景，胡鑒(jian)勇博士爭取到了多項科研(yan)課題(ti)，在不(bu)到一年的(de)時間里，成功(gong)打造(zao)了一個環(huan)境優(you)美、設備一流的(de)先進實(shi)驗室和一個小(xiao)而精致(zhi)(zhi)的(de)科研(yan)創新團(tuan)隊(dui)，以(yi)期在OLED躋身(shen)最(zui)具發展(zhan)(zhan)前景的(de)下一代(dai)顯(xian)示技術(shu)和固(gu)態照(zhao)明技術(shu)產業化，OFET應(ying)用(yong)(yong)于有(you)機(ji)(ji)傳感器、有(you)源(yuan)(yuan)矩(ju)陣顯(xian)示、射頻標簽、電子紙(zhi)等(deng)(deng)新興產業，OPV技術(shu)光電轉(zhuan)換(huan)效率實(shi)用(yong)(yong)化等(deng)(deng)領域(yu)(yu)大顯(xian)身(shen)手，開展(zhan)(zhan)更深入、更細致(zhi)(zhi)的(de)高端研(yan)究工(gong)作。

篇4

英文(wen)名(ming)稱：Journal of Synthetic Crystals

主管單(dan)位：中國建筑材(cai)料(liao)聯合會

主辦(ban)單位(wei)：中材人(ren)工晶(jing)體研究院(yuan)

出版周期：雙月刊

出版地址：北京市

語

種：中文

開

本：16開

國際刊號：1000-985X

國內(nei)刊(kan)號(hao)：11-2637/O7

郵發代號：

發(fa)行(xing)范圍(wei)：國內(nei)外統一發(fa)行(xing)

創刊時間(jian)：1972

期刊收錄：

CA 化學文摘(美)(2009)

SA 科(ke)學文(wen)摘(英)(2009)

CBST 科學技術文獻速報(日)(2009)

EI 工(gong)程索引(美(mei))(2009)

中國科學引文數據庫(CSCD―2008)

核心期刊：

中(zhong)文核心期刊(kan)(2008)

中(zhong)文核心期刊(2004)

中文核(he)心期刊(2000)

中(zhong)文核(he)心期(qi)刊(1996)

期刊榮譽：

中科雙效期刊

Caj-cd規范獲獎期(qi)刊(kan)

聯系方式

篇5

關鍵詞(ci)：光(guang)纖，語音(yin)，傳(chuan)輸，光(guang)電檢測

 

1、光纖通信系統的基本組成

最基(ji)本(ben)的(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)纖通(tong)信(xin)(xin)(xin)(xin)系(xi)統(tong)由數(shu)(shu)據源(yuan)(yuan)、光(guang)(guang)(guang)發送端、光(guang)(guang)(guang)學信(xin)(xin)(xin)(xin)道(dao)和光(guang)(guang)(guang)接(jie)收機組成(cheng)。其(qi)中(zhong)數(shu)(shu)據源(yuan)(yuan)包括所(suo)有(you)的(de)(de)(de)信(xin)(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)源(yuan)(yuan)，它們是話音、圖(tu)象、數(shu)(shu)據等業務經過(guo)信(xin)(xin)(xin)(xin)源(yuan)(yuan)編碼所(suo)得到(dao)的(de)(de)(de)信(xin)(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)；光(guang)(guang)(guang)發送機和調制(zhi)(zhi)器則負(fu)責將信(xin)(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)轉變成(cheng)適合于在(zai)光(guang)(guang)(guang)纖上(shang)傳(chuan)輸(shu)的(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)信(xin)(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)，先后用過(guo)的(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)波有(you)0.85、1.31和1.55三個低損耗窗(chuang)口。光(guang)(guang)(guang)學信(xin)(xin)(xin)(xin)道(dao)包括最基(ji)本(ben)的(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)纖，還(huan)有(you)中(zhong)繼放大器EDFA等；而光(guang)(guang)(guang)學接(jie)收機則接(jie)收光(guang)(guang)(guang)信(xin)(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)，并(bing)從(cong)中(zhong)提取信(xin)(xin)(xin)(xin)息(xi)，然后轉變成(cheng)電(dian)信(xin)(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)，最后得到(dao)對應的(de)(de)(de)話音、圖(tu)象、數(shu)(shu)據等信(xin)(xin)(xin)(xin)息(xi)。論文(wen)格式。在(zai)光(guang)(guang)(guang)纖通(tong)信(xin)(xin)(xin)(xin)系(xi)統(tong)中(zhong)，光(guang)(guang)(guang)纖中(zhong)傳(chuan)輸(shu)的(de)(de)(de)是二進制(zhi)(zhi)光(guang)(guang)(guang)脈(mo)(mo)沖(chong)'0'碼和'1'碼，它由二進制(zhi)(zhi)數(shu)(shu)字(zi)信(xin)(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)對光(guang)(guang)(guang)源(yuan)(yuan)進行通(tong)斷(duan)調制(zhi)(zhi)而產生(sheng)。而數(shu)(shu)字(zi)信(xin)(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)是對連續變化的(de)(de)(de)模擬(ni)信(xin)(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)進行抽(chou)樣、量化和編碼產生(sheng)的(de)(de)(de)，稱(cheng)為PCM（pulse code modulation），即脈(mo)(mo)沖(chong)編碼調制(zhi)(zhi)。這(zhe)種電(dian)的(de)(de)(de)數(shu)(shu)字(zi)信(xin)(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)稱(cheng)為數(shu)(shu)字(zi)基(ji)帶(dai)信(xin)(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)，由PCM電(dian)端機產生(sheng)。光(guang)(guang)(guang)纖通(tong)信(xin)(xin)(xin)(xin)系(xi)統(tong)的(de)(de)(de)基(ji)本(ben)組成(cheng)原理圖(tu)如下圖(tu)1-1所(suo)示：

圖1-1光纖通信系統(tong)

1.1光發射端機

光(guang)發(fa)射機(ji)是實現電(dian)(dian)/光(guang)轉(zhuan)換的光(guang)端(duan)機(ji)。它由(you)光(guang)源、驅動器(qi)和調(diao)制器(qi)組成。其功能是將(jiang)來自于電(dian)(dian)端(duan)機(ji)的電(dian)(dian)信號(hao)對光(guang)源發(fa)出的光(guang)波(bo)進行調(diao)制，成為已(yi)調(diao)光(guang)波(bo)，然后再將(jiang)已(yi)調(diao)的光(guang)信號(hao)耦合到光(guang)纖或(huo)光(guang)纜(lan)中傳輸(shu)。電(dian)(dian)端(duan)機(ji)就是常規的電(dian)(dian)子(zi)通(tong)信設備。光(guang)發(fa)射機(ji)的原(yuan)理圖(tu)如下圖(tu)1-2所示(shi)：

圖1-2光發射機原理框圖

光(guang)(guang)(guang)源(yuan)(yuan)是光(guang)(guang)(guang)發(fa)(fa)(fa)射機的核(he)心，其性(xing)能好(hao)壞將對光(guang)(guang)(guang)纖(xian)(xian)通(tong)信系統(tong)產(chan)生很(hen)大的影(ying)響(xiang)。目前光(guang)(guang)(guang)纖(xian)(xian)通(tong)信系統(tong)使用(yong)的光(guang)(guang)(guang)源(yuan)(yuan)都(dou)是由半(ban)導(dao)體(ti)(ti)材料(liao)制(zhi)成的，而(er)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)光(guang)(guang)(guang)源(yuan)(yuan)分兩種：發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)管(guan)LED和激光(guang)(guang)(guang)管(guan)LD。由于半(ban)導(dao)體(ti)(ti)激光(guang)(guang)(guang)器發(fa)(fa)(fa)出(chu)的是激光(guang)(guang)(guang)，發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)功率(lv)大、譜(pu)(pu)線寬度(du)窄，但電路(lu)結(jie)(jie)構復(fu)雜，溫度(du)特性(xing)差。而(er)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)二(er)極管(guan)發(fa)(fa)(fa)出(chu)的是熒(ying)光(guang)(guang)(guang)，發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)功率(lv)不(bu)大，譜(pu)(pu)線寬度(du)寬，但電路(lu)結(jie)(jie)構簡單、壽命長(chang)、價格便宜。在(zai)實驗室中經常用(yong)到。

1.2光纖或光纜

光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)纖(xian)(xian)(xian)作為傳(chuan)輸(shu)媒(mei)介，作用(yong)是(shi)(shi)將(jiang)發射端機(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)源發出的(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)信號，經(jing)遠距離傳(chuan)輸(shu)后耦(ou)合(he)到接(jie)(jie)(jie)收端機(ji)的(de)(de)(de)檢測器，完成(cheng)(cheng)信息傳(chuan)輸(shu)任務。在(zai)通(tong)(tong)信中使用(yong)的(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)纖(xian)(xian)(xian)通(tong)(tong)常是(shi)(shi)由(you)石英玻(bo)璃制成(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)，由(you)纖(xian)(xian)(xian)芯(xin)和包(bao)層組成(cheng)(cheng)。目前，塑料(liao)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)纖(xian)(xian)(xian)應用(yong)于低速、短(duan)距離的(de)(de)(de)傳(chuan)輸(shu)中。其(qi)構成(cheng)(cheng)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)纖(xian)(xian)(xian)的(de)(de)(de)纖(xian)(xian)(xian)芯(xin)與包(bao)層都(dou)是(shi)(shi)塑料(liao)材料(liao)。與大芯(xin)徑(jing)50/125μm和62.5/125μm的(de)(de)(de)石英玻(bo)璃多模光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)纖(xian)(xian)(xian)相(xiang)比，塑料(liao)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)纖(xian)(xian)(xian)的(de)(de)(de)芯(xin)徑(jing)高達(da)200～1000μm，其(qi)接(jie)(jie)(jie)續時(shi)可使用(yong)不(bu)帶光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)纖(xian)(xian)(xian)定(ding)位套(tao)筒的(de)(de)(de)便直注塑塑料(liao)連接(jie)(jie)(jie)器，即便是(shi)(shi)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)纖(xian)(xian)(xian)接(jie)(jie)(jie)續中芯(xin)對準產生 ±30μm偏差都(dou)不(bu)會影響耦(ou)合(he)損耗。正(zheng)是(shi)(shi)塑料(liao)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)纖(xian)(xian)(xian)結構賦予了其(qi)施(shi)工快捷，接(jie)(jie)(jie)續成(cheng)(cheng)本低等優點。另外，芯(xin)徑(jing)100μm或更(geng)大則能夠消(xiao)除在(zai)石英玻(bo)璃多模光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)纖(xian)(xian)(xian)中存在(zai)的(de)(de)(de)模間(jian)噪音。論(lun)文格式(shi)。

1.3中繼器

含有光(guang)(guang)中繼器的(de)光(guang)(guang)纖傳輸系統成為光(guang)(guang)纖中繼通信(xin)(xin)。光(guang)(guang)信(xin)(xin)號(hao)在(zai)光(guang)(guang)纖中傳輸一定(ding)的(de)距離后(hou)，由(you)于(yu)受到(dao)(dao)光(guang)(guang)纖衰(shuai)減(jian)和(he)色散的(de)影響會產生能量衰(shuai)減(jian)和(he)波形(xing)失真(zhen)，為保證通信(xin)(xin)質量，必須對衰(shuai)減(jian)和(he)失真(zhen)達到(dao)(dao)一定(ding)程(cheng)度(du)的(de)光(guang)(guang)信(xin)(xin)號(hao)及時進(jin)行放(fang)大和(he)恢(hui)復。中繼器由(you)光(guang)(guang)檢測器、光(guang)(guang)源(yuan)和(he)判(pan)決再生電路組成。它的(de)作用有兩(liang)個(ge)：一個(ge)是補償光(guang)(guang)信(xin)(xin)號(hao)在(zai)光(guang)(guang)纖中傳輸時受到(dao)(dao)的(de)衰(shuai)減(jian)；另(ling)一個(ge)是對波形(xing)失真(zhen)的(de)脈沖(chong)進(jin)行整形(xing)。

1.4光纖連接器(qi)(qi)、耦(ou)合(he)器(qi)(qi)等無源器(qi)(qi)件

由于光纖(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)或光纜(lan)的(de)(de)長(chang)度(du)(du)受光纖(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)拉(la)制工藝和光纜(lan)施工條(tiao)件的(de)(de)限制，且光纖(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)的(de)(de)拉(la)制長(chang)度(du)(du)也是(shi)有(you)限度(du)(du)的(de)(de)（如(ru)1Km)。因此(ci)一條(tiao)光纖(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)線路可能存在(zai)多根光纖(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)相(xiang)連(lian)接的(de)(de)問(wen)題。于是(shi)，光纖(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)間的(de)(de)連(lian)接、光纖(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)與光端(duan)機(ji)的(de)(de)連(lian)接及耦合，對(dui)光纖(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)連(lian)接器(qi)、耦合器(qi)等無源器(qi)件的(de)(de)使用是(shi)必(bi)不可少(shao)的(de)(de)。

1.5光接收端機

光(guang)收信(xin)(xin)機是(shi)實(shi)現光(guang)/電轉換的光(guang)端機。 它(ta)由光(guang)檢測器和光(guang)放大器組成。其(qi)功能是(shi)將(jiang)(jiang)光(guang)纖或光(guang)纜傳輸(shu)來的光(guang)信(xin)(xin)號，經光(guang)檢測器轉變為電信(xin)(xin)號，然(ran)后，再(zai)將(jiang)(jiang)這微(wei)弱的電信(xin)(xin)號經放大電路放大到足夠的電平，送到接收端的電端汲(ji)去。光(guang)接收機原理圖如(ru)下圖1-3所示：

圖1-3光接收機電路原理方框圖

2、光(guang)纖(xian)語音(yin)電路設計(ji)

光(guang)纖(xian)語音(yin)(yin)電(dian)(dian)路(lu)(lu)由(you)(you)(you)三部分組成：光(guang)發(fa)射電(dian)(dian)路(lu)(lu)、光(guang)纖(xian)和光(guang)接(jie)收電(dian)(dian)路(lu)(lu)。論文格式。其工作(zuo)原理(li)是：音(yin)(yin)頻信(xin)號(hao)最初是聲(sheng)(sheng)波，由(you)(you)(you)發(fa)送器(qi)的電(dian)(dian)子麥克風轉換(huan)為(wei)(wei)電(dian)(dian)信(xin)號(hao)。此信(xin)號(hao)由(you)(you)(you)LM358組成的音(yin)(yin)頻放(fang)(fang)大器(qi)放(fang)(fang)大，并(bing)且借助于一個單獨(du)的晶(jing)體(ti)管控制LED的端電(dian)(dian)壓(ya)，將電(dian)(dian)信(xin)號(hao)轉換(huan)為(wei)(wei)光(guang)信(xin)號(hao)。光(guang)信(xin)號(hao)送入光(guang)纖(xian)或(huo)光(guang)纜(lan)。在光(guang)纖(xian)或(huo)光(guang)纜(lan)的另一端，光(guang)信(xin)號(hao)照射到接(jie)收器(qi)的光(guang)電(dian)(dian)檢(jian)測(ce)器(qi)上(shang)。光(guang)電(dian)(dian)檢(jian)測(ce)器(qi)再(zai)將其轉換(huan)為(wei)(wei)電(dian)(dian)信(xin)號(hao)。此信(xin)號(hao)被(bei)放(fang)(fang)大并(bing)送入揚(yang)聲(sheng)(sheng)器(qi)轉換(huan)為(wei)(wei)聲(sheng)(sheng)波恢復為(wei)(wei)原始信(xin)號(hao)。

2.1、發射器電路(lu)板

此電(dian)(dian)路主要是把音頻(pin)信(xin)號(hao)(hao)經(jing)麥克(ke)風轉換(huan)為(wei)(wei)電(dian)(dian)信(xin)號(hao)(hao)，電(dian)(dian)信(xin)號(hao)(hao)經(jing)濾(lv)波器、多級(ji)放大器把微弱的電(dian)(dian)流信(xin)號(hao)(hao)轉換(huan)為(wei)(wei)適合半(ban)導體(ti)二極管(guan)發光(guang)的電(dian)(dian)壓信(xin)號(hao)(hao)，在(zai)(zai)(zai)晶體(ti)管(guan)的調(diao)制下把電(dian)(dian)信(xin)號(hao)(hao)轉換(huan)為(wei)(wei)光(guang)信(xin)號(hao)(hao)送入光(guang)纖(xian)(xian)(xian)中進行(xing)傳輸。在(zai)(zai)(zai)發射(she)器電(dian)(dian)路上(shang)有一個話(hua)筒和調(diao)制LED發光(guang)的線路。LED裝在(zai)(zai)(zai)塑(su)(su)料殼(ke)中以便于(yu)連接光(guang)纖(xian)(xian)(xian)或(huo)光(guang)纜(lan)進行(xing)發送信(xin)號(hao)(hao)。在(zai)(zai)(zai)實(shi)驗室(shi)里設計操作可(ke)以使用200m長的塑(su)(su)料光(guang)纖(xian)(xian)(xian)傳送語(yu)音信(xin)號(hao)(hao)，也可(ke)以使用玻(bo)璃(li)光(guang)纖(xian)(xian)(xian)在(zai)(zai)(zai)更(geng)遠的距離(li)內通信(xin)。光(guang)纖(xian)(xian)(xian)語(yu)音發射(she)器電(dian)(dian)路如(ru)下圖1-4所示：

圖1-4光纖語音發射電路

2.2、光電接收器電路板:

在接(jie)收器電(dian)(dian)路板上通過光電(dian)(dian)檢測器把(ba)光纖傳輸的微弱的光信(xin)號(hao)(hao)(hao)轉(zhuan)換為(wei)電(dian)(dian)信(xin)號(hao)(hao)(hao)，經電(dian)(dian)容濾波、運算放(fang)大器放(fang)大，把(ba)電(dian)(dian)流信(xin)號(hao)(hao)(hao)轉(zhuan)換為(wei)電(dian)(dian)壓(ya)信(xin)號(hao)(hao)(hao)，放(fang)大到適合揚聲器輸出的電(dian)(dian)壓(ya)，恢復原始的語(yu)音信(xin)號(hao)(hao)(hao)。光纖語(yu)音接(jie)收電(dian)(dian)路如下圖1-5所示：

圖1-5光纖(xian)語(yu)音接收(shou)電路

3、結 語

本文詳細的(de)(de)介紹了光纖通信系統(tong)的(de)(de)組成，為設(she)計光纖語(yu)音(yin)傳(chuan)(chuan)輸電(dian)路提供理論基礎。在(zai)該電(dian)路系統(tong)中語(yu)音(yin)信號以光波(bo)形式在(zai)光纜內(nei)傳(chuan)(chuan)輸、不(bu)受任(ren)何電(dian)場(chang)和磁場(chang)的(de)(de)影響。傳(chuan)(chuan)輸距離遠，抗(kang)干擾能力強(qiang)。每個電(dian)路板需要一個9V電(dian)池，元件(jian)簡單，易于實現(xian)，在(zai)實驗(yan)室就(jiu)能操作完成。

參考文獻

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篇6

論文(wen)關鍵(jian)詞：元素周(zhou)期表(biao)，規律

 

一．“m/n定性”規律：

若(ruo)主族(zu)(zu)元(yuan)素(su)族(zu)(zu)數為m，周期數為n，則：①m/n＜1時(shi)為金屬(shu)(shu)，m/n值越(yue)(yue)小，元(yuan)素(su)失電(dian)子能力越(yue)(yue)強(qiang)(qiang)；②m/n＞1時(shi)是非金屬(shu)(shu)。m/n越(yue)(yue)大，元(yuan)素(su)得電(dian)子能力越(yue)(yue)強(qiang)(qiang)；③m/n=1時(shi)多為兩性元(yuan)素(su)。例如：Na是第一主族(zu)(zu)元(yuan)素(su)，m/n=1/3＜1為金屬(shu)(shu)，Cl是第三周期第七主族(zu)(zu)元(yuan)素(su)，m/n=7/3＞1為非金屬(shu)(shu)。

二(er)．“陰前陽下，徑小序大”規(gui)律(lv)：

“稀有氣體元(yuan)素原(yuan)子(zi)、與之同(tong)周期元(yuan)素的陰離子(zi)及下一周期元(yuan)素陽離子(zi)”三者之間具有相同(tong)的電子(zi)層結構；同(tong)時原(yuan)子(zi)序數大的，其粒子(zi)半徑反而小。例如：

r (Ca2+)<r(K+)<r(Ar)<r(Cl-)<r(S2-)。

三．序差(cha)“左上(shang)右(you)下”規律：

元(yuan)(yuan)素(su)周(zhou)(zhou)期(qi)表(biao)中(zhong)上下相鄰兩元(yuan)(yuan)素(su)原(yuan)子序(xu)數之差(cha)，取(qu)決于(yu)(yu)其所在(zai)周(zhou)(zhou)期(qi)表(biao)中(zhong)的(de)位(wei)置，如果它們位(wei)于(yu)(yu)元(yuan)(yuan)素(su)周(zhou)(zhou)期(qi)表(biao)ⅢB元(yuan)(yuan)素(su)之左（或(huo)右），它們的(de)原(yuan)子序(xu)數之差(cha)就(jiu)是上（或(huo)下）面的(de)元(yuan)(yuan)素(su)所在(zai)周(zhou)(zhou)期(qi)的(de)元(yuan)(yuan)素(su)個數。

四．主族中非金(jin)屬元素個數(shu)規(gui)律：

除ⅠA族(zu)外(wai)，任何一主族(zu)中，非(fei)金屬(shu)個數(shu)=族(zu)序數(shu)—2。

五(wu)．“對角”規(gui)律：

1．沿(yan)表(biao)中金屬(shu)與非金屬(shu)分(fen)界(jie)線(xian)方(fang)向（↖ ），對角相鄰(lin)的(de)兩主(zhu)族(zu)元素（都是(shi)金屬(shu)或非金化學論文，性質（得(de)、失電子能(neng)力(li)）相近。

2．元素周(zhou)期表中左上(shang)右下（↖ ）相鄰的(de)兩金屬元素的(de)離子半徑相近。

六．“奇偶數”規律：

在(zai)(zai)元(yuan)素周期(qi)表中，原子(zi)序數(shu)為奇(qi)（或偶）數(shu)的(de)元(yuan)素，元(yuan)素所在(zai)(zai)的(de)主(zhu)序數(shu)及主(zhu)要化(hua)學價(jia)也為奇(qi)（或偶）數(shu)（第(di)Ⅷ族(zu)元(yuan)素除外），即價(jia)奇(qi)序奇(qi)，價(jia)偶序偶。

七(qi)．“序位(wei)互定”規律：

 若n為奇數(shu)(shu)，則第n周(zhou)期(qi)(qi)最多容納的(de)(de)元素種(zhong)數(shu)(shu)為（n+1）2/2；若n為偶數(shu)(shu)，則第n周(zhou)期(qi)(qi)最多容納的(de)(de)元素種(zhong)數(shu)(shu)為（n+2）2/2。應(ying)用這一(yi)規律，不僅可(ke)求(qiu)出任(ren)一(yi)周(zhou)期(qi)(qi)所含元素種(zhong)數(shu)(shu)（第七周(zhou)期(qi)(qi)為排滿除外），進而還可(ke)以“序位(wei)互定”，即已(yi)知(zhi)(zhi)某元素的(de)(de)原子(zi)序數(shu)(shu)，可(ke)確(que)(que)定其(qi)在表(biao)中的(de)(de)位(wei)置(zhi)；已(yi)知(zhi)(zhi)某元素在表(biao)中的(de)(de)位(wei)置(zhi)，可(ke)確(que)(que)定出其(qi)原子(zi)序數(shu)(shu)。

八．“分(fen)界(jie)”規(gui)律：

1．表中金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)與非(fei)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)間有一分(fen)界線(xian)(xian)(xian)，分(fen)界線(xian)(xian)(xian)左邊元(yuan)屬(shu)(shu)（金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)元(yuan)素）的(de)(de)單質為(wei)(wei)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)晶(jing)體(ti)，化(hua)合(he)物為(wei)(wei)離子晶(jing)體(ti)。分(fen)界線(xian)(xian)(xian)左邊元(yuan)屬(shu)(shu)（非(fei)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)元(yuan)素）的(de)(de)單質及其(qi)相(xiang)互間的(de)(de)化(hua)合(he)物為(wei)(wei)，固態時(shi)多為(wei)(wei)分(fen)子晶(jing)體(ti)。

2．分界(jie)線(xian)附(fu)近的金屬多數有兩性，非金屬及其某(mou)些(xie)化合物多數為原子晶體(ti)(ti)（如晶體(ti)(ti)硼、晶體(ti)(ti)硅(gui)、二(er)氧化硅(gui)晶體(ti)(ti)、碳(tan)化硅(gui)晶體(ti)(ti)等）；同時在(zai)分界(jie)線(xian)附(fu)近還可以找到半導體(ti)(ti)材料(liao)。

3．若(ruo)把元(yuan)(yuan)素周期表從第ⅤA與ⅥA之間分開，則左邊(bian)元(yuan)(yuan)素氫(qing)化(hua)(hua)物化(hua)(hua)學式(shi)，是將氫(qing)元(yuan)(yuan)素符(fu)號(hao)(hao)寫在(zai)后面（如SiH4、PH3、CaH2等(deng)）；而右(you)邊(bian)的氫(qing)化(hua)(hua)物化(hua)(hua)學式(shi)，是將氫(qing)元(yuan)(yuan)素符(fu)號(hao)(hao)寫在(zai)前面（如H20、HBr等(deng)）。

篇7

10月(yue)6日下(xia)午,2009年諾(nuo)貝爾物理學(xue)(xue)獎揭曉(xiao),高(gao)錕與美國貝爾實(shi)(shi)驗(yan)室的(de)(de)威拉德(de)?博伊爾(Willard Boyle)、喬治?史(shi)密斯(George Smith)共獲殊榮。高(gao)錕的(de)(de)獲獎成果(guo),是(shi)在英國標準電訊實(shi)(shi)驗(yan)室完成的(de)(de)。后(hou)來,他(ta)在香港中文大學(xue)(xue)做過(guo)九年校(xiao)長(chang)(1987年至1996年),直至退休。

由于在(zai)光纖通(tong)信領域的(de)(de)(de)開創性成就(jiu),高錕將獲(huo)得約140萬美元獎金(jin)的(de)(de)(de)一半,博伊爾和史密斯發明了用于數字圖像(xiang)技術的(de)(de)(de)CCD傳感(gan)器,將各獲(huo)四(si)分(fen)之(zhi)一的(de)(de)(de)獎金(jin)。

三位科學(xue)家40年前的研究,幫助構建了當下(xia)的信息時代,也為自己(ji)贏得了諾貝爾獎(jiang)。

高錕與低損耗光纖

20世紀60年代(dai)初,激光(guang)器的(de)發明給光(guang)通(tong)信研究帶來了新的(de)希望(wang)――激光(guang)束不僅(jin)具有亮度高等優點(dian),還可以(yi)在光(guang)纖(xian)中傳播。

但(dan)由于缺乏穩定、可(ke)靠和低損耗的(de)(de)傳輸介質,光通信似(si)乎仍是(shi)一個(ge)遙不可(ke)及(ji)的(de)(de)目標,因為(wei)光信號在當(dang)時的(de)(de)光纖(xian)材料中只能(neng)傳輸20米。

當時,高錕是國際電(dian)話電(dian)報公司旗(qi)下英國標準電(dian)訊實(shi)驗室的(de)一名研究人(ren)員。他(ta)1933年11月出(chu)生在上海的(de)一個(ge)書香門第,孩提(ti)時代的(de)他(ta)就喜歡科學實(shi)驗,甚至自制過小型炸藥彈丸。

后來,高錕隨(sui)家人遷居香港(gang),曾在香港(gang)圣約(yue)瑟書院就讀(du)。1954年,他(ta)遠赴(fu)英倫,在倫敦大學攻(gong)讀(du)電機(ji)工程。

與不少同行因此對光纖傳輸的技術前景產生懷疑不同,高(gao)錕(kun)研究團隊認為更值得關注的,是光纖原材料問題。

他后來回憶道:“那時面對的最大難題,就是玻(bo)璃(li)的雜質(zhi)問題。玻(bo)璃(li)看似(si)透明,其實雜有(you)不純的元素,所以我(wo)們構想,假若有(you)一種沒有(you)雜質(zhi)的玻(bo)璃(li),光波的傳(chuan)導就不會衰減。”

1966年6月,高錕與同事喬治?霍肯(George Hockham)在(zai)《電氣電子工程(cheng)師學會學報》上(shang)發(fa)表題為(wei)“用于光頻的光纖(xian)表面波導”的論文指出(chu),提純(chun)原材料后可(ke)制(zhi)造出(chu)適合長距離通信(xin)使(shi)用的低(di)損耗光纖(xian):在(zai)純(chun)的玻璃纖(xian)維中,光信(xin)號可(ke)傳輸100公里以(yi)上(shang)。

這(zhe)一(yi)(yi)研究奠定(ding)了光(guang)纖(xian)(xian)通信的基礎。這(zhe)一(yi)(yi)年(nian),他年(nian)僅32歲。1970年(nian),美國康(kang)寧公司研制出第一(yi)(yi)種超純光(guang)纖(xian)(xian)。1975年(nian),英國安裝了世界(jie)上第一(yi)(yi)套光(guang)纖(xian)(xian)通信系統。

北(bei)京郵電大(da)學(xue)前校長(chang)林(lin)金桐對記者說(shuo):“從高錕(kun)和(he)霍肯的論(lun)文,到世界上第一(yi)個商用(yong)光纖(xian)通信系統的誕(dan)生,僅用(yong)了十年時間,這(zhe)在重大(da)科學(xue)研究成果向現實生產(chan)力轉化的眾多案例(li)中,顯(xian)得格外(wai)突出。”

諾貝爾獎評(ping)委會(hui)在(zai)(zai)新聞公報中表示(shi),這些低損耗的(de)(de)玻(bo)璃(li)纖維(wei)(wei)推動了因(yin)特網(wang)等寬帶通信的(de)(de)發展,光在(zai)(zai)這些玻(bo)璃(li)纖維(wei)(wei)中流動,文(wen)本、音樂、圖像和視頻可在(zai)(zai)瞬(shun)間進行全球傳輸,“如果我們拆(chai)開密布全球的(de)(de)玻(bo)璃(li)纖維(wei)(wei),將(jiang)得到(dao)一條10億公里以上(shang)的(de)(de)長線,足夠環繞地球2.5萬多圈。”

香(xiang)港中(zhong)文大學前任(ren)校長(chang)金耀基(ji)甚至將高錕研究成果的(de)重要性,與(yu)印(yin)刷術、火(huo)藥、指南針等中(zhong)國(guo)古明(ming)相(xiang)提并論,“今天生(sheng)活(huo)在(zai)網絡社會,就(jiu)是因為光纖(xian)的(de)發明(ming)改變了我們的(de)生(sheng)活(huo)。”(更(geng)多關于高錕的(de)資料,見本期“華(hua)人”欄目)

貝(bei)爾實驗室(shi)和CCD

在(zai)現代的高速(su)網絡通信中,數字圖(tu)像(xiang)是(shi)最主要(yao)的承載內容,而這(zhe)很大程度上要(yao)歸功(gong)于本(ben)年度諾(nuo)貝爾(er)物理學獎(jiang)的另一(yi)項(xiang)獲(huo)獎(jiang)內容――美國朗訊公司(si)貝爾(er)實驗室的威拉德?博(bo)伊爾(er)和(he)喬治?史(shi)密斯(si)發明的用于數字圖(tu)像(xiang)的裝置(zhi):電荷耦合器件(Charge Coupled Device,CCD)。

博伊(yi)爾1924年出生于(yu)加拿(na)大(da),26歲時在加拿(na)大(da)麥基爾大(da)學(xue)獲得(de)博士學(xue)位(wei)。他(ta)在1953年加入貝(bei)爾實驗室,并(bing)在1962年與同事首先(xian)發明了可以連續運(yun)行的紅(hong)寶石激光器。

史密斯1930年出生于美國(guo),29歲時在美國(guo)芝(zhi)加哥(ge)大學(xue)(xue)獲得博士學(xue)(xue)位(wei)后也進入貝爾實驗室。

1969年10月(yue)的(de)(de)一(yi)天,史(shi)密斯走進(jin)同在(zai)(zai)貝(bei)爾實(shi)驗室半(ban)導體研究部門工作的(de)(de)博(bo)伊爾的(de)(de)辦公室,兩(liang)人(ren)(ren)進(jin)行了一(yi)場“頭腦(nao)風暴”。在(zai)(zai)不到兩(liang)個小時的(de)(de)時間里,博(bo)伊爾和史(shi)密斯在(zai)(zai)黑板上大致(zhi)勾繪(hui)出一(yi)種新裝置的(de)(de)藍圖,兩(liang)人(ren)(ren)將(jiang)其命名為電荷耦合器件(jian)。

這種新技術(shu)的(de)源頭,還(huan)要追溯到愛因斯坦提出(chu)的(de)光(guang)(guang)電效應,即通(tong)過(guo)光(guang)(guang)電效應,光(guang)(guang)可以(yi)被轉變(bian)為電信號。然而,如何在極短時(shi)間內收集并讀出(chu)信號,看上去卻(que)是一個(ge)無法逾越的(de)技術(shu)挑戰。因此,一開始,很多同行都(dou)對CCD的(de)概念嗤(chi)之以(yi)鼻(bi)。

但博伊爾和史密斯堅信自己的想法,并(bing)成(cheng)(cheng)功地將(jiang)藍圖變(bian)成(cheng)(cheng)了現實。他們采用特殊的硅半導體材料(liao),并(bing)將(jiang)硅片細分為(wei)一個(ge)個(ge)“單(dan)元格”或(huo)者說(shuo)“像素”,這樣,當(dang)光(guang)照射到像素之上,會產生信號(hao)電(dian)荷(he)。當(dang)時(shi),很多(duo)電(dian)子器件以電(dian)流或(huo)電(dian)壓作(zuo)(zuo)為(wei)信號(hao),CCD則(ze)采用電(dian)荷(he)作(zuo)(zuo)為(wei)信號(hao)。

信號電荷不僅(jin)可以(yi)在(zai)CCD內(nei)存貯,還可以(yi)穿(chuan)越一(yi)排排的“像素”,在(zai)電極與電極之間快速傳輸(shu)(電荷耦合),并最終被(bei)讀出(chu)。

CCD的發明(ming),帶來(lai)了攝(she)影的一場革命。光(guang)能夠被(bei)電(dian)子化捕捉,而(er)不再(zai)需(xu)要傳統的感光(guang)膠(jiao)卷,數碼相機也得以走進(jin)千(qian)家萬戶。

篇8

中美(mei)專家計劃“綠(lv)能城市”

【本刊訊】（記者 蔡婷(ting)貽）減排和(he)城市的持(chi)續發展不僅與經(jing)濟成(cheng)長(chang)結為一體，而(er)且(qie)已(yi)經(jing)變成(cheng)招商引(yin)資的重要因素(su)。在(zai)12月4日舉辦的“未(wei)來城市”論壇上，來自美(mei)國的專(zhuan)家們一致(zhi)強調這一觀點。

該論(lun)壇(tan)由(you)美國前財(cai)政部部長亨利?保爾(er)森成立(li)的(de)芝加哥大學(xue)保爾(er)森研究所與(yu)中(zhong)國國際經濟交流(liu)中(zhong)心(xin)聯合舉辦。在美國專家眼中(zhong)，仍(reng)快速發展的(de)中(zhong)國，占有推廣綠色節(jie)能城市的(de)絕對優勢，因為不斷建(jian)設的(de)中(zhong)國有機會將節(jie)能減排的(de)概念直接運用到城市化(hua)進程(cheng)中(zhong)。

長期致(zhi)力于環保(bao)運動的保(bao)爾森(sen)表(biao)示，“中國最讓我(wo)感興趣(qu)的地(di)方是，這(zhe)是世界上最大的實驗(yan)(yan)室(shi)。中國在城(cheng)市(shi)化進程中的一些(xie)理念和經驗(yan)(yan)將對世界上所有(you)人(ren)至關重(zhong)要(yao)。”據他透露，中美(mei)專家將在中國城(cheng)市(shi)中開(kai)展一個“綠(lv)能城(cheng)市(shi)”實驗(yan)(yan)計劃，假若成(cheng)功，這(zhe)一計劃將被推向世界其他城(cheng)市(shi)。

“綠能(neng)(neng)城(cheng)(cheng)市”涵(han)蓋交通能(neng)(neng)力(li)、能(neng)(neng)源消耗、建筑節(jie)能(neng)(neng)等多方(fang)面(mian)(mian)。紐約(yue)交通主(zhu)管(guan)賽迪克-侃(kan)(Janette Sadik-Khan)在接(jie)受《財經(jing)》記者采訪時(shi)表示，舒適、方(fang)便(bian)的(de)居住環境是城(cheng)(cheng)市能(neng)(neng)否(fou)吸引世界級(ji)投資的(de)重要誘因(yin)，而大城(cheng)(cheng)市人口的(de)不斷增(zeng)長(chang)則是城(cheng)(cheng)市規劃者面(mian)(mian)臨的(de)主(zhu)要挑戰(zhan)。以(yi)紐約(yue)交通為(wei)例,因(yin)公共運輸系統發達，私(si)家車出行減少(shao)，紐約(yue)在過去20年內交通量幾乎沒有明顯的(de)增(zeng)長(chang)。但是，到(dao)2030年紐約(yue)人口將再增(zeng)加100萬人，而這個城(cheng)(cheng)市已經(jing)沒有容量修(xiu)建新的(de)道路。

“紐約市政府致(zhi)力于(yu)擴大公共運(yun)輸系(xi)統和鼓勵市民騎自行車(che)、走路出行。為了(le)這100萬人(ren)，我們正(zheng)在(zai)公路上增(zeng)加(jia)(jia)自行車(che)道(dao)(dao)，在(zai)過去四(si)年(nian)里(li)增(zeng)加(jia)(jia)了(le)260英(ying)(ying)里(li)的(de)自行車(che)道(dao)(dao),現在(zai)總長是600英(ying)(ying)里(li)，這使(shi)自行車(che)使(shi)用幾乎增(zeng)加(jia)(jia)了(le)一(yi)倍。”賽迪克-侃建(jian)議,街道(dao)(dao)是非常寶(bao)貴的(de)資源，在(zai)交通量不斷(duan)增(zeng)長的(de)同時，城(cheng)市規劃者必須作出優先(xian)選擇，讓街道(dao)(dao)得到(dao)最高效率地使(shi)用就是最優先(xian)的(de)選擇。

紐約1.3萬(wan)輛計程(cheng)(cheng)車安裝(zhuang)了GPS，市政府(fu)借此(ci)來(lai)衡量(liang)交通流量(liang)。北京(jing)也(ye)有(you)(you)6.5萬(wan)輛計程(cheng)(cheng)車裝(zhuang)有(you)(you)類似的(de)系統。“我認為投資高運量(liang)的(de)交通工具，通過(guo)提高效(xiao)率來(lai)運輸更(geng)多乘客(ke)將是重要的(de)策(ce)略(lve)。而用數據證明政策(ce)是不是有(you)(you)效(xiao)，則是最有(you)(you)效(xiao)的(de)方法。”賽迪克-侃說。

關鍵詞

“雪鷹”號科考直升機墜毀

12月9日，正在執(zhi)行(xing)(xing)任(ren)務的第28次(ci)南(nan)極科(ke)(ke)學考察(cha)隊配置(zhi)的“雪鷹”號KA32直升(sheng)機(ji)，在南(nan)極冰(bing)(bing)山間的海冰(bing)(bing)區(qu)上空突然失控(kong)，迫(po)降未(wei)成功，后墜落海冰(bing)(bing)上損毀。兩(liang)名機(ji)組(zu)人員安全(quan)脫險(xian)，并被及時救回“雪龍”號科(ke)(ke)考船。中(zhong)國科(ke)(ke)考隊聯系了附近的俄(e)羅(luo)斯站與(yu)印(yin)度站，對損毀直升(sheng)機(ji)進(jin)行(xing)(xing)營救。事(shi)故(gu)的調查工作已全(quan)面(mian)展開。

“雪(xue)鷹”號是一種(zhong)可執(zhi)行多種(zhong)任務(wu)的(de)多用途直升機，包括消防救援、人員貨物(wu)運輸、巡邏保護等，在南極地區(qu)被(bei)廣泛使(shi)用。

失(shi)事(shi)直(zhi)升機于2008年12月從(cong)俄羅(luo)斯(si)購進，購置價(jia)格約5400萬(wan)元(yuan)，于2009年正式(shi)服務(wu)于中(zhong)國南(nan)極(ji)考(kao)察(cha)隊。此(ci)次(ci)(ci)是該(gai)機第三次(ci)(ci)隨隊執行(xing)任(ren)務(wu)，中(zhong)信(xin)通(tong)用航空(kong)有限責任(ren)公司受委托管理并執行(xing)此(ci)次(ci)(ci)南(nan)極(ji)考(kao)察(cha)飛(fei)行(xing)任(ren)務(wu)。此(ci)次(ci)(ci)考(kao)察(cha)任(ren)務(wu)，中(zhong)國極(ji)地研究中(zhong)心亦購買了(le)8000萬(wan)元(yuan)意外損害保險。

進展

英(ying)國科學(xue)家(jia)造出(chu)優(you)質干(gan)細胞

 英國科(ke)學家制(zhi)取(qu)出了質量一流的“金標(biao)”干細胞，這可能引發(fa)對(dui)退化性疾病的新治療方法的研究。相關論文已發(fa)表(biao)于《細胞治療》期刊。

此前在(zai)人體(ti)上進行的(de)胚胎(tai)干(gan)(gan)(gan)細胞試驗一直(zhi)使用質(zhi)量(liang)較低的(de)“研究(jiu)級(ji)”干(gan)(gan)(gan)細胞，它們(men)是(shi)在(zai)經過處(chu)理后被(bei)重新定為“臨床(chuang)級(ji)”的(de)，而研究(jiu)人員新制取的(de)干(gan)(gan)(gan)細胞在(zai)被(bei)捐贈(zeng)出來時就具有“臨床(chuang)級(ji)”質(zhi)量(liang)，不需(xu)要昂(ang)貴而又危險的(de)轉換過程。這些“金標”干(gan)(gan)(gan)細胞已捐給了英國干(gan)(gan)(gan)細胞庫，并將在(zai)此接受進一步檢(jian)測，以確保(bao)它們(men)安(an)全(quan)無害，達到可用于(yu)人體(ti)試驗的(de)質(zhi)量(liang)。

瑞(rui)士制(zhi)成首個輝(hui)鉬芯片

篇9

論文關鍵詞： 信息技(ji)術　微(wei)電子專業教學　應用(yong)

論文摘 要： 信(xin)(xin)息技(ji)(ji)術(shu)包括多媒(mei)體(ti)技(ji)(ji)術(shu)、虛擬仿真技(ji)(ji)術(shu)、網絡技(ji)(ji)術(shu)，等等。它的(de)(de)飛速發展和廣泛普及，使得傳(chuan)統的(de)(de)教學方(fang)(fang)法(fa)(fa)正在(zai)向現代教育技(ji)(ji)術(shu)方(fang)(fang)法(fa)(fa)轉變(bian)。針對(dui)新興的(de)(de)多學科(ke)綜合的(de)(de)微(wei)(wei)電(dian)子專業，作(zuo)者(zhe)討論了(le)信(xin)(xin)息技(ji)(ji)術(shu)在(zai)微(wei)(wei)電(dian)子專業教學中(zhong)的(de)(de)作(zuo)用與意義，聯系實際教學實踐(jian)，指出了(le)各種信(xin)(xin)息技(ji)(ji)術(shu)的(de)(de)特(te)點及應用中(zhong)需注意的(de)(de)關(guan)鍵問題(ti)。

信息(xi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)是現代教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)育技(ji)(ji)術(shu)(shu)的基石和重要組(zu)成部分。《國家中(zhong)長期教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)育改革(ge)(ge)和發展(zhan)規劃綱要（2010—2020年）》中(zhong)提出：“信息(xi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)對教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)育發展(zhan)具有(you)革(ge)(ge)命性影(ying)響，必須(xu)予以高(gao)度重視(shi)”；“強(qiang)化信息(xi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)應用(yong)。提高(gao)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)師(shi)應用(yong)信息(xi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)水平，更新教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)觀念，改進教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)方(fang)法，提高(gao)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)效果”。信息(xi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)與(yu)高(gao)校專(zhuan)業教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)相結(jie)合(he)，可(ke)以改進教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)手段、創新教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)方(fang)法、提高(gao)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)效率、增強(qiang)教(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)效果。

微電(dian)子(zi)專(zhuan)業(ye)(ye)是我國(guo)近年來(lai)大力(li)發展的(de)(de)一(yi)個(ge)多(duo)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)科(ke)綜合、高(gao)技(ji)術(shu)密集(ji)的(de)(de)新興專(zhuan)業(ye)(ye)，主要研究半導(dao)體材料、器件與(yu)工藝和集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路與(yu)系統(tong)的(de)(de)設(she)計、制造和測試等理(li)論和技(ji)術(shu)。微電(dian)子(zi)專(zhuan)業(ye)(ye)教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)由于課程開設(she)時(shi)(shi)間較短、涉及(ji)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)科(ke)多(duo)、理(li)論性強、同(tong)時(shi)(shi)又與(yu)實踐結合緊密。因此如(ru)何有(you)效(xiao)地(di)改善教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)效(xiao)果(guo)，提(ti)高(gao)教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)質量成(cheng)(cheng)為微電(dian)子(zi)專(zhuan)業(ye)(ye)教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)中迫(po)切需(xu)要解(jie)決的(de)(de)問題。將(jiang)現代信息技(ji)術(shu)應(ying)用到(dao)微電(dian)子(zi)專(zhuan)業(ye)(ye)的(de)(de)教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)活動(dong)中，提(ti)高(gao)了學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)習的(de)(de)興趣和積極性，促進了教(jiao)師與(yu)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)生的(de)(de)互(hu)動(dong)，取得了很好的(de)(de)教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)(xue)效(xiao)果(guo)。

1.多媒體(ti)技術在(zai)專業教學中的應用

多(duo)媒(mei)體(ti)教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)是(shi)信息技術在(zai)教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)過程中(zhong)最(zui)典型、最(zui)廣泛的(de)(de)具體(ti)應用(yong)(yong)。多(duo)媒(mei)體(ti)信息技術在(zai)教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)中(zhong)的(de)(de)應用(yong)(yong)是(shi)指(zhi)采用(yong)(yong)圖(tu)像、動畫、視頻等新穎的(de)(de)教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)形(xing)式(shi)，將教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)內容生動形(xing)象地展示給(gei)學(xue)(xue)(xue)(xue)生，使(shi)學(xue)(xue)(xue)(xue)生獲(huo)得直觀的(de)(de)感性(xing)認識。多(duo)媒(mei)體(ti)教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)方(fang)(fang)(fang)式(shi)有(you)助(zhu)于(yu)學(xue)(xue)(xue)(xue)生對(dui)教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)內容，特別(bie)是(shi)重難點內容的(de)(de)理解和吸收，是(shi)對(dui)傳(chuan)統教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)方(fang)(fang)(fang)式(shi)的(de)(de)突破和有(you)益的(de)(de)補(bu)充。針對(dui)于(yu)微(wei)電子(zi)專業的(de)(de)特殊性(xing)和綜合性(xing)，我們在(zai)教(jiao)學(xue)(xue)(xue)(xue)中(zhong)采用(yong)(yong)多(duo)種多(duo)媒(mei)體(ti)表現(xian)方(fang)(fang)(fang)式(shi)，分別(bie)應用(yong)(yong)在(zai)以下幾(ji)個方(fang)(fang)(fang)面。

1.1幻燈片教學

多媒體輔(fu)助(zhu)教(jiao)學(xue)課(ke)件通常由多頁幻燈片(pian)(pian)組(zu)成(cheng)。在幻燈片(pian)(pian)中可以插入各種(zhong)對象(xiang)如文字(zi)、圖(tu)片(pian)(pian)、圖(tu)形、表(biao)格(ge)、藝(yi)術字(zi)和聲音等，把(ba)抽象(xiang)的(de)(de)、難(nan)以直接用語言表(biao)達的(de)(de)概念和理論以直觀的(de)(de)、易于接受(shou)的(de)(de)形式表(biao)現出來，有(you)效地增強了教(jiao)學(xue)效果。微(wei)電子(zi)專(zhuan)業課(ke)程理論較(jiao)多，信(xin)息量(liang)大，直接講授(shou)學(xue)生感到比較(jiao)枯燥。使用幻燈片(pian)(pian)教(jiao)學(xue)后，色彩豐(feng)富，圖(tu)形清楚，概念清晰，有(you)助(zhu)于把(ba)抽象(xiang)概念形象(xiang)化，復(fu)雜問題(ti)簡明化，調動學(xue)生的(de)(de)積極性，提高學(xue)習效率。

1.2動畫演示

電(dian)腦(nao)(nao)動(dong)畫的運用能夠進(jin)一(yi)步提升多媒(mei)體技術的作(zuo)用和效果。動(dong)畫能夠將微電(dian)子專(zhuan)業課程(cheng)中遇(yu)到的深奧的理論問題和復雜的內(nei)部(bu)機(ji)理，通過簡單的畫面動(dong)態地(di)表示出(chu)來(lai)，從而使學生(sheng)加(jia)快加(jia)深理解，特別有利于重點難點的掌握。另外，電(dian)腦(nao)(nao)動(dong)畫能夠逼真地(di)再現(xian)微電(dian)子工(gong)藝流程(cheng)的加(jia)工(gong)過程(cheng)，可以(yi)模(mo)擬實際操作(zuo)步驟，從而可以(yi)代替或輔助部(bu)分實踐(jian)教學。

1.3錄像放映

微電子專業(ye)的(de)(de)(de)實(shi)(shi)習(xi)單(dan)位往往是高投(tou)資、大規模(mo)、貴重(zhong)(zhong)設備(bei)云集的(de)(de)(de)高科技公(gong)(gong)司。這些公(gong)(gong)司管理(li)制度嚴格(ge)、專業(ye)程度高，對(dui)(dui)在校學(xue)(xue)生(sheng)進企業(ye)實(shi)(shi)習(xi)有著(zhu)很多(duo)限制，同學(xue)(xue)們經常只能去參觀(guan)(guan)(guan)工廠環(huan)境，遠(yuan)眺機(ji)器的(de)(de)(de)運(yun)作(zuo)，甚至有些生(sheng)產企業(ye)不(bu)對(dui)(dui)學(xue)(xue)生(sheng)開放(fang)實(shi)(shi)習(xi)。這樣，教(jiao)學(xue)(xue)得不(bu)到生(sheng)產實(shi)(shi)踐的(de)(de)(de)支(zhi)持，使得理(li)論與實(shi)(shi)踐嚴重(zhong)(zhong)脫(tuo)節(jie)，降低了教(jiao)學(xue)(xue)效果。而將企業(ye)內(nei)部的(de)(de)(de)生(sheng)產流程拍成錄像，或(huo)者(zhe)購置相關內(nei)容(rong)的(de)(de)(de)影(ying)像資料，通(tong)過多(duo)媒體放(fang)映給同學(xue)(xue)觀(guan)(guan)(guan)看，可以近距離地觀(guan)(guan)(guan)摩(mo)生(sheng)產流程和設備(bei)運(yun)作(zuo)、了解(jie)技術細節(jie)，對(dui)(dui)不(bu)甚明白的(de)(de)(de)內(nei)容(rong)可以反復(fu)觀(guan)(guan)(guan)看。采用這種方式進行教(jiao)學(xue)(xue)，同學(xue)(xue)們紛(fen)紛(fen)反映大開眼界(jie)，受益匪(fei)淺，不(bu)僅(jin)對(dui)(dui)課程里(li)所學(xue)(xue)的(de)(de)(de)內(nei)容(rong)有了直(zhi)觀(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)認識，而且了解(jie)到產業(ye)的(de)(de)(de)前沿(yan)發展。

2.虛(xu)擬(ni)仿(fang)真技術(shu)在專業教學(xue)中的應用

得益于計算機硬(ying)件的(de)(de)飛速進步和(he)軟件技術(shu)的(de)(de)迅(xun)猛發展，虛(xu)擬仿(fang)真技術(shu)成為當前流行(xing)的(de)(de)新(xin)型教(jiao)學手(shou)(shou)段。傳統的(de)(de)實(shi)驗教(jiao)學手(shou)(shou)段，局限于實(shi)驗室購置(zhi)的(de)(de)設備和(he)儀器(qi)，特別是微(wei)電子專(zhuan)業的(de)(de)實(shi)驗設備價格高(gao)(gao)昂、操作復雜、容易損傷，使同學很難得到上(shang)機鍛煉(lian)的(de)(de)機會。而使用基于虛(xu)擬仿(fang)真技術(shu)的(de)(de)教(jiao)學方式，過程簡(jian)單靈活，交互方式多樣，結果直觀明了，既能培養學生(sheng)(sheng)的(de)(de)動手(shou)(shou)能力和(he)分析(xi)、綜合能力，又(you)能提高(gao)(gao)學習興趣(qu)，激(ji)發學生(sheng)(sheng)的(de)(de)創造(zao)性。

虛擬仿真(zhen)技(ji)(ji)術(shu)在(zai)微(wei)(wei)(wei)電子(zi)專(zhuan)業教(jiao)學中的應用主要體(ti)現在(zai)兩個方(fang)面(mian)：一是在(zai)電路設(she)計(ji)方(fang)面(mian)，基于(yu)電子(zi)設(she)計(ji)自動化（Electronic Design Automation，EDA）技(ji)(ji)術(shu)實(shi)現對(dui)電子(zi)線路（包括集成電路與(yu)版圖(tu)）的模擬仿真(zhen)；二是在(zai)微(wei)(wei)(wei)電子(zi)工(gong)藝(yi)(yi)與(yu)器件(jian)方(fang)面(mian)，基于(yu)半導(dao)體(ti)工(gong)藝(yi)(yi)和(he)(he)(he)器件(jian)的計(ji)算機輔助技(ji)(ji)術(shu)（Technology Computer Aided Design，TCAD）實(shi)現對(dui)微(wei)(wei)(wei)電子(zi)制造工(gong)藝(yi)(yi)和(he)(he)(he)半導(dao)體(ti)器件(jian)結構及工(gong)作(zuo)過程的仿真(zhen)與(yu)演(yan)示。使用仿真(zhen)軟(ruan)件(jian)所(suo)提供的強大功能，包括軟(ruan)件(jian)所(suo)具(ju)有的可升級性，在(zai)課堂和(he)(he)(he)實(shi)驗中通過軟(ruan)件(jian)設(she)計(ji)微(wei)(wei)(wei)電子(zi)電路、工(gong)藝(yi)(yi)和(he)(he)(he)器件(jian)，在(zai)屏幕上模擬其功能，可使教(jiao)學概念清晰，內容(rong)生動，過程可視(shi)，還能夠大幅(fu)節省實(shi)驗設(she)備(bei)的購置和(he)(he)(he)維護費用，經濟(ji)高效。

3.網(wang)絡技術在(zai)專業教學中的應用(yong)

近年來網(wang)絡(luo)技(ji)術更(geng)加普及(ji)，也(ye)更(geng)加方便，特別是(shi)校園(yuan)局域(yu)網(wang)的建設，提供(gong)了學(xue)生隨時隨地使用(yong)各種終端進行網(wang)絡(luo)學(xue)習的教(jiao)育環境。這也(ye)促使我(wo)們把教(jiao)學(xue)平臺(tai)從(cong)教(jiao)室向網(wang)絡(luo)拓展，必然(ran)在一定程度上改變教(jiao)學(xue)的形(xing)式和(he)基本架(jia)構，帶來革(ge)命性的變化。

互聯網和(he)校園(yuan)局域網一方面(mian)可以(yi)作(zuo)為信(xin)(xin)息資源(yuan)庫，為微電(dian)(dian)子(zi)(zi)專業(ye)(ye)課程教(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)提供教(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)教(jiao)(jiao)(jiao)案(an)、課件、習題等資源(yuan)的(de)(de)(de)下(xia)載和(he)在線瀏(liu)覽；另一方面(mian)也可以(yi)作(zuo)為師生課外互動的(de)(de)(de)平臺(tai)，進行答疑、作(zuo)業(ye)(ye)提交、通(tong)知(zhi)等教(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)活(huo)動。這兩(liang)種方式也是目前微電(dian)(dian)子(zi)(zi)教(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)中最主要的(de)(de)(de)網絡(luo)(luo)應(ying)用(yong)手段。使用(yong)網絡(luo)(luo)教(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)有助于師生雙方的(de)(de)(de)交流，教(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)信(xin)(xin)息的(de)(de)(de)豐(feng)富，以(yi)及多(duo)元(yuan)化(hua)教(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)，等等。網絡(luo)(luo)教(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)的(de)(de)(de)推廣(guang)和(he)網絡(luo)(luo)教(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)平臺(tai)的(de)(de)(de)建(jian)設(she)，極(ji)大地推動了網絡(luo)(luo)技術在教(jiao)(jiao)(jiao)學(xue)(xue)(xue)體系(xi)中的(de)(de)(de)應(ying)用(yong)，將(jiang)會成(cheng)為現代教(jiao)(jiao)(jiao)育技術的(de)(de)(de)主流之一。

綜合運用信息技(ji)術的各種方法和(he)手(shou)段，結合微電(dian)子專業特點，更(geng)(geng)新教(jiao)學(xue)觀念，加強教(jiao)學(xue)實踐應用，能夠有效(xiao)地(di)提(ti)升教(jiao)學(xue)效(xiao)率和(he)效(xiao)果，培養出更(geng)(geng)優秀的符合社會需求的專業人才。

參考文獻

［1］劉子良.發(fa)揮幻燈片在計(ji)算機輔助教學中(zhong)的作用［J］.中(zhong)國現代(dai)教育(yu)裝備(bei)，2007，52（6）：22-24.

篇10

【關鍵詞】ZnS：Mn；發(fa)光(guang)性質(zhi)；發(fa)光(guang)壽命(ming)

0 引言

硫化鋅(xin)納米半導(dao)體(ti)材(cai)料(liao)是制造光(guang)(guang)電設(she)備的(de)(de)(de)重要材(cai)料(liao)之一(yi)，具有帶隙(xi)寬、化學穩(wen)定(ding)性好等特點，可用做藍光(guang)(guang)發光(guang)(guang)材(cai)料(liao)，自Bhargava等[1]用實驗證實經表面鈍化處(chu)理的(de)(de)(de)納米ZnS：Mn能夠顯著提高半導(dao)體(ti)的(de)(de)(de)發光(guang)(guang)效率，越來越多的(de)(de)(de)科研(yan)工作者涌向(xiang)了(le)(le)ZnS摻(chan)(chan)雜(za)Mn這一(yi)領域。而摻(chan)(chan)雜(za)錳離子(zi)的(de)(de)(de)硫化鋅(xin)是一(yi)種發橙色光(guang)(guang)的(de)(de)(de)光(guang)(guang)電材(cai)料(liao)，用途很廣，可用作磁性材(cai)料(liao)和(he)發光(guang)(guang)材(cai)料(liao)，因此，很多研(yan)究者都把目光(guang)(guang)集(ji)中在了(le)(le)ZnS：Mn的(de)(de)(de)發光(guang)(guang)性質方向(xiang)上的(de)(de)(de)研(yan)究。

1 實驗部分

1.1 試劑和儀器

實驗所用的化學試劑包括：醋酸鋅、醋酸錳、硫化鈉、巰基丙(bing)酸均為(wei)分析純(chun)，實驗用水(shui)為(wei)自制的去離(li)子水(shui)。

1.2 ZnS：Mn納米顆粒(li)的(de)制備

1.2.1 配置反(fan)應溶液

稱取6.5700g的(de)(de)(de)醋酸(suan)(suan)鋅，在磁(ci)力(li)攪拌下加入(ru)巰基丙酸(suan)(suan)（1%ml）水溶(rong)(rong)液(ye)(ye)(ye)(ye)中，配(pei)置的(de)(de)(de)70ml溶(rong)(rong)液(ye)(ye)(ye)(ye)為①，此(ci)溶(rong)(rong)液(ye)(ye)(ye)(ye)為白色的(de)(de)(de)乳(ru)濁液(ye)(ye)(ye)(ye)；稱取0.0368g質量的(de)(de)(de)醋酸(suan)(suan)錳，在磁(ci)力(li)攪拌下加入(ru)巰基丙酸(suan)(suan)（1%ml）水溶(rong)(rong)液(ye)(ye)(ye)(ye)中，配(pei)置的(de)(de)(de)30ml溶(rong)(rong)液(ye)(ye)(ye)(ye)為②，此(ci)溶(rong)(rong)液(ye)(ye)(ye)(ye)為粉紅(hong)色的(de)(de)(de)透明(ming)溶(rong)(rong)液(ye)(ye)(ye)(ye)；稱取10.854g的(de)(de)(de)硫化鈉(na)溶(rong)(rong)入(ru)去離子水中，配(pei)置的(de)(de)(de)50ml溶(rong)(rong)液(ye)(ye)(ye)(ye)為③，此(ci)溶(rong)(rong)液(ye)(ye)(ye)(ye)為無色透明(ming)溶(rong)(rong)液(ye)(ye)(ye)(ye)。

1.2.2 在(zai)250ml三口(kou)燒瓶中(zhong)，先(xian)讓②溶液(ye)和③溶液(ye)在(zai)90℃溫度、磁力(li)攪拌、冷凝回流、氮氣(qi)環境下反應30分鐘，再(zai)加入①溶液(ye)，反應六個小時(shi)，制的(de)乳(ru)濁液(ye)。在(zai)氮氣(qi)保護下冷卻至室溫的(de)乳(ru)濁液(ye)，用無水乙醇離心三次(ci)，在(zai)80℃下真空干燥3小時(shi)獲得固(gu)體，需研磨獲得粉(fen)末，該(gai)合(he)成的(de)ZnS：Mn納米顆粒(li)中(zhong)Mn2+ / Zn2+為0.5%（mol之比）。

同(tong)樣條件下以(yi)此制備Mn2+ / Zn2+為1%、1.5%、2%的ZnS：Mn納米顆粒(li)。

2 實驗結果(guo)與討論

2.1 X射線粉末衍(yan)射（XRD）分(fen)析

圖1 ZnS：Mn納米(mi)顆粒(li)的X射線粉末衍射圖

圖中a為(wei)(wei)(wei)標準(zhun)卡(ka)(ka)片（JCPDS NO.77-2100）上(shang)的(de)(de)ZnS，b、c、d、e為(wei)(wei)(wei)本(ben)論文實(shi)驗(yan)制備的(de)(de)Mn2+ / Zn2+為(wei)(wei)(wei)0.5%、1%、1.5%、2%的(de)(de)ZnS：Mn納米(mi)顆粒。標準(zhun)卡(ka)(ka)片上(shang)的(de)(de)ZnS的(de)(de)2θ=28.5°，47.5°，56.5°，對應(ying)晶面是（111），（220）和（311），從(cong)圖上(shang)分析，該實(shi)驗(yan)合成(cheng)的(de)(de)ZnS：Mn納米(mi)顆粒和標準(zhun)卡(ka)(ka)片是一(yi)致(zhi)的(de)(de)，說明該反應(ying)合成(cheng)的(de)(de)ZnS：Mn的(de)(de)晶體(ti)結(jie)構(gou)和ZnS相同，為(wei)(wei)(wei)立(li)方形晶體(ti)結(jie)構(gou)，在我們摻雜范圍(wei)內晶體(ti)結(jie)構(gou)無根本(ben)變(bian)化，無雜相生成(cheng)。平均晶粒尺寸(cun)(cun)D是根據謝樂公式(shi)D=Kλ/βcosθ計算獲得。K為(wei)(wei)(wei)Scherrer常數，其值為(wei)(wei)(wei)0.89；β為(wei)(wei)(wei)積分半(ban)高(gao)寬度，θ為(wei)(wei)(wei)衍射角；λ為(wei)(wei)(wei)X射線波(bo)長，為(wei)(wei)(wei)0.154056nm。由于摻雜的(de)(de)Mn的(de)(de)量(liang)(liang)不同，納米(mi)晶體(ti)的(de)(de)平均粒徑依次為(wei)(wei)(wei)2.21nm，2.55nm，2.87nm和3.37nm，隨著Mn含量(liang)(liang)的(de)(de)增(zeng)加，納米(mi)顆粒的(de)(de)幾何尺寸(cun)(cun)逐漸增(zeng)加。

2.2 ZnS：Mn光致發光光譜

圖2 ZnS：Mn的光致(zhi)發光光譜

用340nm波長的(de)(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)激發(fa)(fa)合成的(de)(de)(de)(de)(de)(de)ZnS：Mn納(na)(na)米(mi)材(cai)(cai)(cai)料，以此圖分析：ZnS：Mn納(na)(na)米(mi)顆(ke)粒(li)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)發(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)有兩個(ge)發(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)峰(feng)，在(zai)波長475nm左右藍(lan)光(guang)(guang)(guang)發(fa)(fa)射峰(feng)和(he)在(zai)600nm左右桔(jie)黃色光(guang)(guang)(guang)發(fa)(fa)射峰(feng)。波長475nm的(de)(de)(de)(de)(de)(de)藍(lan)光(guang)(guang)(guang)是(shi)來自(zi)體(ti)材(cai)(cai)(cai)料ZnS的(de)(de)(de)(de)(de)(de)缺(que)陷，一般認(ren)為(wei)是(shi)鋅空(kong)位，600nm桔(jie)黃色光(guang)(guang)(guang)是(shi)由于Mn2+的(de)(de)(de)(de)(de)(de)3d中(zhong)4T1-6A1的(de)(de)(de)(de)(de)(de)躍(yue)(yue)遷(qian)(qian)。Bhargava等人(ren)(ren)認(ren)為(wei)，在(zai)ZnS：Mn納(na)(na)米(mi)粒(li)子(zi)中(zhong)，由于Mn離子(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)d電子(zi)態與ZnS基體(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)SP電子(zi)態的(de)(de)(de)(de)(de)(de)耦(ou)合導(dao)致(zhi)了(le)Mn2+的(de)(de)(de)(de)(de)(de)4T1-6A1的(de)(de)(de)(de)(de)(de)躍(yue)(yue)遷(qian)(qian)[2]。Sooklal等人(ren)(ren)發(fa)(fa)現Mn2+取代了(le)體(ti)材(cai)(cai)(cai)料ZnS晶格中(zhong)Zn2+導(dao)致(zhi)了(le)Mn2+的(de)(de)(de)(de)(de)(de)4T1-6A1的(de)(de)(de)(de)(de)(de)躍(yue)(yue)遷(qian)(qian)，而ZnS表(biao)面方(fang)上的(de)(de)(de)(de)(de)(de)Mn2+產生的(de)(de)(de)(de)(de)(de)是(shi)紫外光(guang)(guang)(guang)，因此可以推斷出(chu)Mn2+成為(wei)ZnS晶格中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)一部分，成為(wei)發(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)中(zhong)心[3]。一些學者發(fa)(fa)現隨著ZnS納(na)(na)米(mi)晶中(zhong)Mn2+濃(nong)度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)增加，橙色光(guang)(guang)(guang)（波長600nm）強度(du)會下(xia)(xia)降(jiang)。Sooklal等人(ren)(ren)發(fa)(fa)現Mn2+的(de)(de)(de)(de)(de)(de)最(zui)佳(jia)(jia)濃(nong)度(du)為(wei)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)最(zui)佳(jia)(jia)濃(nong)度(du)為(wei)2%，Khosravi等人(ren)(ren)研究認(ren)為(wei)Mn2+的(de)(de)(de)(de)(de)(de)最(zui)佳(jia)(jia)濃(nong)度(du)為(wei)0.12wt%，Leeb等人(ren)(ren)報道Mn2+的(de)(de)(de)(de)(de)(de)最(zui)佳(jia)(jia)濃(nong)度(du)為(wei)1%。從(cong)我所(suo)做的(de)(de)(de)(de)(de)(de)實驗中(zhong)能看(kan)出(chu)，Mn2+的(de)(de)(de)(de)(de)(de)發(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)強度(du)隨著Mn2+濃(nong)度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)增加而增加，Mn2+的(de)(de)(de)(de)(de)(de)最(zui)大濃(nong)度(du)為(wei)1%，當Mn2+的(de)(de)(de)(de)(de)(de)濃(nong)度(du)繼(ji)續增加，也就(jiu)是(shi)超(chao)過1%時，Mn2+的(de)(de)(de)(de)(de)(de)發(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)強度(du)下(xia)(xia)降(jiang)。由于納(na)(na)米(mi)顆(ke)粒(li)表(biao)面和(he)內部結構受制(zhi)備(bei)條件(jian)(jian)影(ying)響非常大，制(zhi)備(bei)過程和(he)制(zhi)備(bei)條件(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)差異導(dao)致(zhi)發(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)不(bu)同，所(suo)以不(bu)同研究者得到的(de)(de)(de)(de)(de)(de)結論和(he)規律有很大的(de)(de)(de)(de)(de)(de)差異，有些甚至(zhi)是(shi)相反的(de)(de)(de)(de)(de)(de)。

2.3 ZnS：Mn的壽(shou)命

為了研究ZnS：Mn納米顆粒的激發態的壽命(ming)，我(wo)們(men)測量了在光激發下的瞬態發光。

圖(tu)3為(wei)ZnS：Mn（1%）的在355脈(mo)沖(chong)激(ji)光(guang)激(ji)發(fa)(fa)下的發(fa)(fa)光(guang)壽命衰(shuai)減(jian)曲(qu)線，通過數學擬合可知我們得到的發(fa)(fa)光(guang)衰(shuai)減(jian)曲(qu)線滿足(zu)雙(shuang)e指數衰(shuai)減(jian)規律：

I=Ae■+Be■

這里I為發光強度，A和(he)(he)B是常(chang)說，t時(shi)間，τ1和(he)(he)τ2是激發態壽命(ming)。具體壽命(ming)擬合結果顯示ZnS：Mn（1%）的發光壽命(ming)τ1為5.57364E-4， τ2為1.41348E-4。

關于(yu)ZnS：Mn的(de)(de)(de)(de)(de)壽(shou)(shou)(shou)命(ming)(ming)，Bhargava等(deng)在實驗上發(fa)現納(na)(na)米(mi)ZnS：Mn的(de)(de)(de)(de)(de)590nm發(fa)光(guang)(guang)(guang)（對應Mn2+的(de)(de)(de)(de)(de)4T1-6A1躍遷）在保持較高發(fa)光(guang)(guang)(guang)效(xiao)率的(de)(de)(de)(de)(de)同(tong)(tong)時發(fa)光(guang)(guang)(guang)壽(shou)(shou)(shou)命(ming)(ming)至少縮短了(le)5個量級[2]，他們給出常(chang)(chang)規晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)ZnS：Mn的(de)(de)(de)(de)(de)壽(shou)(shou)(shou)命(ming)(ming)是(shi)1.8ms，納(na)(na)米(mi)晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)ZnS：Mn的(de)(de)(de)(de)(de)壽(shou)(shou)(shou)命(ming)(ming)是(shi)20.5ns，3.7ns。但是(shi)后來有(you)許多人研究(jiu)證(zheng)實了(le)這一結(jie)果是(shi)有(you)誤的(de)(de)(de)(de)(de)。而我所(suo)測試(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)ZnS：Mn的(de)(de)(de)(de)(de)壽(shou)(shou)(shou)命(ming)(ming)是(shi)幾(ji)百個微秒(miao)，僅次于(yu)常(chang)(chang)規晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)ZnS：Mn的(de)(de)(de)(de)(de)壽(shou)(shou)(shou)命(ming)(ming)：1.8ms，也證(zheng)實了(le)納(na)(na)米(mi)晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)ZnS：Mn的(de)(de)(de)(de)(de)壽(shou)(shou)(shou)命(ming)(ming)不(bu)(bu)是(shi)納(na)(na)米(mi)量級。通常(chang)(chang)，發(fa)光(guang)(guang)(guang)衰(shuai)(shuai)減時間(jian)要歸(gui)結(jie)于(yu)發(fa)光(guang)(guang)(guang)物理過程(cheng)(cheng)和(he)發(fa)光(guang)(guang)(guang)中(zhong)心(xin)所(suo)處的(de)(de)(de)(de)(de)環境(jing)。從發(fa)光(guang)(guang)(guang)過程(cheng)(cheng)分(fen)析不(bu)(bu)會有(you)兩個衰(shuai)(shuai)減壽(shou)(shou)(shou)命(ming)(ming)，雙衰(shuai)(shuai)減壽(shou)(shou)(shou)命(ming)(ming)應該(gai)是(shi)存在兩種不(bu)(bu)同(tong)(tong)環境(jing)的(de)(de)(de)(de)(de)發(fa)光(guang)(guang)(guang)中(zhong)心(xin)。我們知道有(you)一部分(fen)Mn2+在合成(cheng)過程(cheng)(cheng)中(zhong)進入ZnS晶(jing)(jing)(jing)(jing)格中(zhong)，取代晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)Zn2+，而另一部分(fen)是(shi)穿(chuan)在于(yu)ZnS晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)表(biao)面(mian)附(fu)近。當10nm左右(you)的(de)(de)(de)(de)(de)納(na)(na)米(mi)顆(ke)粒表(biao)面(mian)原(yuan)子(zi)(zi)占20%左右(you)，表(biao)面(mian)附(fu)近原(yuan)子(zi)(zi)要更多。表(biao)面(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)Mn離子(zi)(zi)所(suo)處晶(jing)(jing)(jing)(jing)場和(he)內部的(de)(de)(de)(de)(de)不(bu)(bu)同(tong)(tong)，激發(fa)態的(de)(de)(de)(de)(de)壽(shou)(shou)(shou)命(ming)(ming)不(bu)(bu)同(tong)(tong)，所(suo)以(yi)發(fa)光(guang)(guang)(guang)衰(shuai)(shuai)減存在兩個壽(shou)(shou)(shou)命(ming)(ming)。隨著納(na)(na)米(mi)顆(ke)粒粒徑的(de)(de)(de)(de)(de)增加，表(biao)面(mian)原(yuan)子(zi)(zi)所(suo)占的(de)(de)(de)(de)(de)比例逐(zhu)漸降低。

圖(tu)3 ZnS：Mn（1%）的發(fa)光壽命衰減(jian)曲線(xian)

3 結論

本文(wen)采用溶膠法(fa)制備了不同摻雜(za)(za)量(liang)的(de)(de)ZnS：Mn納(na)(na)米(mi)顆粒，用X射線衍射譜對ZnS：Mn納(na)(na)米(mi)晶的(de)(de)晶型結構進行了表征，結果表明了該合成法(fa)合成的(de)(de)ZnS：Mn納(na)(na)米(mi)晶為立方相，且發(fa)現在相同的(de)(de)制備條件(jian)下，隨著ZnS中(zhong)(zhong)Mn的(de)(de)含量(liang)的(de)(de)增(zeng)(zeng)加(jia)，納(na)(na)米(mi)晶的(de)(de)顆粒不斷增(zeng)(zeng)大。用光(guang)致發(fa)光(guang)光(guang)譜研究了Mn2+的(de)(de)發(fa)光(guang)強(qiang)(qiang)(qiang)度，比較(jiao)得(de)出：隨著Mn摻雜(za)(za)的(de)(de)增(zeng)(zeng)加(jia)，Mn2+的(de)(de)發(fa)光(guang)強(qiang)(qiang)(qiang)度在增(zeng)(zeng)加(jia)，1%Mn的(de)(de)ZnS納(na)(na)米(mi)晶中(zhong)(zhong)，Mn2+的(de)(de)發(fa)光(guang)強(qiang)(qiang)(qiang)度最(zui)強(qiang)(qiang)(qiang)。ZnS：Mn瞬態(tai)發(fa)光(guang)研究顯示，納(na)(na)米(mi)量(liang)級(ji)的(de)(de)ZnS：Mn晶體(ti)的(de)(de)壽命比常規(gui)的(de)(de)ZnS：Mn晶體(ti)要短一些，但是(shi)又不像(xiang)Bhargava等(deng)人實(shi)驗得(de)出的(de)(de)納(na)(na)米(mi)量(liang)級(ji)的(de)(de)ZnS：Mn晶體(ti)發(fa)光(guang)壽命至(zhi)少縮短了5個量(liang)級(ji)。處于納(na)(na)米(mi)表面和內部的(de)(de)Mn離子(zi)的(de)(de)激發(fa)態(tai)壽命不同，由(you)此導致發(fa)光(guang)衰減(jian)是(shi)雙(shuang)e指數衰減(jian)。

【參考文獻】

[1]Bhargava R N， Gallagher D. Optical properties of manganese doped nanocrystals of ZnS[J].Phys Rev Lett，1994，72：416-419.